Semiconductores – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Group Power Conversion Components

YAGEO Group (YAGEO, Pulse, KEMET) designs passive component technologies that are critical in power conversion systems, including safety, snubber, and DC link capacitors; current sense and power resistors; and magnetic components such as transformers, common mode chokes, and inductors. Because every electronic device requires power, a vast majority of these products utilize a form of power conversion or power supply to deliver the required energy.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3

XP3P010YT
YAGEO XSemi
1: S/3.66
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P010YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P010YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3

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Cinta cortada

S/3.66

S/2.25

S/1.54

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.852

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Min.: 1
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: 3,000

Kits Capacitores 3 pcs 23 values Film Kit

FLM ENG KIT 21
KEMET
1: S/206.61
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FLM ENG KIT 21

N.º de artículo de Mouser
80-FLMENGKIT21

KEMET

Kits Capacitores 3 pcs 23 values Film Kit

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17En existencias

S/206.61

S/179.44

S/174.89

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

XP10NA011J
YAGEO XSemi
1: S/4.59
6,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011J

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011J

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

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6,679En existencias

S/4.59

S/1.97

S/1.58

S/1.35

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

XP10NA1R5TL
YAGEO XSemi
1: S/19.62
1,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA1R5TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA1R5TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

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Cinta cortada

S/19.62

S/13.04

S/9.30

S/8.84

S/8.25

Envase tipo carrete

S/8.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

XP3832CMT
YAGEO XSemi
1: S/7.24
2,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3832CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3832CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

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S/7.24

S/4.63

S/3.11

S/2.46

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.12

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

XP3N1R0MT
YAGEO XSemi
1: S/7.16
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N1R0MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N1R0MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

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Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.06

S/2.42

S/2.29

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

XP65SL380DH
YAGEO XSemi
1: S/8.68
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP65SL380DH

N.º de artículo de Mouser
603-XP65SL380DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

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S/8.68

S/5.61

S/3.79

S/3.02

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

XP6NA1R7CMT
YAGEO XSemi
1: S/9.54
2,995En existencias

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XP6NA1R7CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA1R7CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

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S/9.54

S/6.15

S/4.20

S/3.35

S/3.21

Envase tipo carrete

S/3.08

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

XP6NA3R0H
YAGEO XSemi
1: S/7.01
2,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA3R0H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA3R0H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

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S/7.01

S/4.48

S/2.99

S/2.36

S/2.22

Envase tipo carrete

S/2.02

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
1: S/19.46
1,994En existencias

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XP8NA1R2TL

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603-XP8NA1R2TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

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S/19.46

S/12.92

S/9.23

S/8.76

S/8.17

Envase tipo carrete

S/8.17

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: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1

XP10C150M
YAGEO XSemi
1: S/3.19
2,958En existencias

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XP10C150M

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603-XP10C150M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1

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S/3.19

S/1.98

S/1.28

S/0.981

Envase tipo carrete

S/0.751

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

XP10N3R5XT
YAGEO XSemi
1: S/7.36
2,995En existencias

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XP10N3R5XT

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603-XP10N3R5XT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

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S/7.36

S/4.71

S/3.16

S/2.50

S/2.38

Envase tipo carrete

S/2.16

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Min.: 1
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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

XP10N3R8P
YAGEO XSemi
1: S/9.30
1,758En existencias

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XP10N3R8P

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R8P

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

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S/9.30

S/4.55

S/3.72

S/3.24

S/2.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

XP10NA011H
YAGEO XSemi
1: S/4.75
2,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

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S/4.75

S/2.98

S/1.96

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.20

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

XP10NA8R4IT
YAGEO XSemi
1: S/6.23
967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA8R4IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA8R4IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

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967En existencias

S/6.23

S/2.89

S/2.31

S/1.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3

XP10TN028YT
YAGEO XSemi
1: S/3.58
2,670En existencias

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XP10TN028YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN028YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3

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Cinta cortada

S/3.58

S/2.23

S/1.45

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.872

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252

XP10TN135H
YAGEO XSemi
1: S/2.34
2,925En existencias

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XP10TN135H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252

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Cinta cortada

S/2.34

S/1.45

S/0.93

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.506

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223

XP10TN135K
YAGEO XSemi
1: S/1.95
2,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135K

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135K

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223

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Cinta cortada

S/1.95

S/1.19

S/0.767

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.401

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6

XP1504MT
YAGEO XSemi
1: S/3.46
2,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP1504MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP1504MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6

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Cinta cortada

S/3.46

S/2.16

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.833

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 5A PMPAK-3x3

XP1504YT
YAGEO XSemi
1: S/3.19
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP1504YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP1504YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 5A PMPAK-3x3

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Cinta cortada

S/3.19

S/1.98

S/1.28

S/0.977

Envase tipo carrete

S/0.747

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23

XP2344GN
YAGEO XSemi
1: S/1.60
2,811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2344GN

N.º de artículo de Mouser
603-XP2344GN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23

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2,811En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/0.977

S/0.615

S/0.459

Envase tipo carrete

S/0.343

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723

XP2N1K2EN1
YAGEO XSemi
1: S/0.934
9,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2N1K2EN1

N.º de artículo de Mouser
603-XP2N1K2EN1

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723

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9,990En existencias

Cinta cortada

S/0.934

S/0.564

S/0.354

S/0.257

Envase tipo carrete

S/0.132

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23

XP2P038N
YAGEO XSemi
1: S/1.48
2,839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2P038N

N.º de artículo de Mouser
603-XP2P038N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23

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Cinta cortada

S/1.48

S/0.899

S/0.564

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.311

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3700M
YAGEO XSemi
1: S/2.18
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3700M

N.º de artículo de Mouser
603-XP3700M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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Cinta cortada

S/2.18

S/1.32

S/0.852

S/0.642

Envase tipo carrete

S/0.455

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3C023AMT
YAGEO XSemi
1: S/3.58
1,554En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3C023AMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3C023AMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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Cinta cortada

S/3.58

S/2.22

S/1.44

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.86

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

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