Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
XP10NA1R5TL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
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XP6NA1R7CMT
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XP4NAR95CMT-A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
XP65SL380DH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
XP10N3R5XT
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XP4NA1R4CMT-A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262
XP60SL115DR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
XP6NA2R4IT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252
XP70SL1K4AH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
XP3700MT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
XP4N2R5MT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
XP8NA2R2CXT
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N.º de artículo de Mouser 603-XP8NA2R2CXT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220
XP10N3R8P
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1,738 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252
XP10NA011H
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA011H
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -15 .5A SO-8
XP3P7R0EM
YAGEO XSemi
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S/4.32
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N.º de artículo de Mouser 603-XP3P7R0EM
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -15 .5A SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
XP4N2R1MT
YAGEO XSemi
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S/6.31
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N.º de artículo de Mouser 603-XP4N2R1MT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
2,980 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252
XP60SA290DH
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP60SA290DH
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252
2,846 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM
XP65SL190DI
YAGEO XSemi
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S/13.12
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N.º de artículo de Mouser 603-XP65SL190DI
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM
785 En existencias
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S/13.12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
XP10N3R8IT
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10N3R8IT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
1,000 En existencias
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S/3.12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
XP6NA1R4CXT
YAGEO XSemi
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S/12.14
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N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA1R4CXT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
2,830 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
XP10C150M
YAGEO XSemi
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S/3.19
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10C150M
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
2,958 En existencias
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