Memoria flash tipo NOR 256Mb 3V 110ns Parallel Memoria flash tipo NOR
S29GL256S11DHIV20
Infineon Technologies
1:
S/33.24
464 En existencias
N.º de artículo de Mouser 797-29GL256S11DHIV20
Infineon Technologies
Memoria flash tipo NOR 256Mb 3V 110ns Parallel Memoria flash tipo NOR
464 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/33.24
10
S/30.91
25
S/29.97
50
S/29.27
100
Ver
100
S/28.53
250
S/27.64
520
S/25.96
1,040
S/25.07
2,600
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet
IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/7.28
3,402 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet
3,402 En existencias
1
S/7.28
10
S/3.97
100
S/3.09
500
S/2.47
4,000
S/1.88
8,000
Ver
1,000
S/2.28
2,000
S/2.15
8,000
S/1.86
24,000
S/1.83
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Detalles
Controladores de puertas DRIVER-IC
1ED020I12FA2
Infineon Technologies
1:
S/37.41
3,627 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-1ED020I12FA2
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas DRIVER-IC
3,627 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/37.41
10
S/28.03
25
S/26.74
100
S/23.20
1,000
S/17.83
2,000
Ver
250
S/22.15
500
S/20.20
2,000
S/17.36
5,000
Presupuesto
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Detalles
Controladores de puertas DRIVER-IC
+2 imágenes
1ED020I12FA2XUMA2
Infineon Technologies
1:
S/30.13
4,220 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-1ED020I12FA2XUM
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas DRIVER-IC
4,220 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/30.13
10
S/23.32
25
S/21.60
100
S/19.73
250
Ver
1,000
S/16.15
250
S/18.84
500
S/18.29
1,000
S/16.15
5,000
Presupuesto
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Detalles
IGBTs DISCRETE SWITCHES
AIKB40N65DF5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.48
1,691 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-AIKB40N65DF5ATMA
Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
1,691 En existencias
1
S/17.48
10
S/11.56
100
S/8.17
500
S/7.55
1,000
S/6.38
2,000
Ver
2,000
S/6.15
25,000
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
BSC0924NDI
Infineon Technologies
1:
S/6.03
4,168 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC0924NDI
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
4,168 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.03
10
S/2.81
100
S/1.79
500
S/1.49
5,000
S/1.43
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
+2 imágenes
BSP316P H6327
Infineon Technologies
1:
S/3.93
15,169 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSP316PH6327
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
15,169 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.93
10
S/2.47
100
S/1.61
500
S/1.24
1,000
S/1.12
2,000
Ver
2,000
S/1.02
5,000
S/0.907
10,000
S/0.841
25,000
S/0.814
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Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET IC PWR SWITCH LOW SIDE 0.64A
BTS3207NHUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.83
20,473 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BTS3207NHUMA1
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET IC PWR SWITCH LOW SIDE 0.64A
20,473 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.83
10
S/3.49
25
S/3.16
100
S/2.79
4,000
S/2.18
8,000
Ver
250
S/2.62
500
S/2.51
1,000
S/2.43
8,000
S/2.16
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUZ30N10S5L240ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.14
18,526 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ30N10S5L240A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
18,526 En existencias
1
S/5.14
10
S/3.24
100
S/2.14
500
S/1.70
5,000
S/1.23
10,000
Ver
1,000
S/1.44
2,500
S/1.39
10,000
S/1.21
25,000
S/1.18
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Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDK06G65C5XTMA2
Infineon Technologies
1:
S/11.64
4,753 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IDK06G65C5XTMA2
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
4,753 En existencias
1
S/11.64
10
S/7.55
100
S/5.22
500
S/4.36
1,000
S/3.68
2,000
Ver
2,000
S/3.55
25,000
Presupuesto
Comprar
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.14
2,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
2,000 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.14
10
S/9.96
100
S/7.01
500
S/6.23
1,000
S/5.14
5,000
S/5.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB016N06L3 G
Infineon Technologies
1:
S/18.84
1,779 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB016N06L3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,779 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/18.84
10
S/12.46
100
S/9.77
500
S/8.68
1,000
S/7.36
2,000
Ver
2,000
S/6.97
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
1:
S/7.20
4,077 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB090N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
4,077 En existencias
1
S/7.20
10
S/4.59
100
S/3.08
500
S/2.46
1,000
S/2.16
2,000
Ver
2,000
S/1.91
5,000
S/1.81
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1:
S/14.21
9,397 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
9,397 En existencias
1
S/14.21
10
S/9.30
100
S/6.50
500
S/5.72
1,000
S/4.83
5,000
Ver
5,000
S/4.63
10,000
S/4.59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S400ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.22
3,348 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB180N04S400ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
3,348 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/18.22
10
S/12.07
100
S/8.56
500
S/7.98
1,000
S/6.50
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
IPB65R660CFDA
Infineon Technologies
1:
S/10.00
1,871 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R660CFDA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
1,871 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.00
10
S/6.42
100
S/4.36
500
S/3.63
1,000
S/3.19
2,000
Ver
2,000
S/2.95
5,000
S/2.85
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
1:
S/20.09
1,177 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB80R290C3AATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
1,177 En existencias
1
S/20.09
10
S/15.22
100
S/11.68
500
S/11.44
1,000
S/9.46
2,000
Ver
2,000
S/9.42
5,000
S/9.34
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2
IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/1.87
19,533 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2
19,533 En existencias
1
S/1.87
10
S/1.35
100
S/1.28
500
S/1.09
2,500
S/0.724
5,000
Ver
1,000
S/0.985
5,000
S/0.701
10,000
S/0.677
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
1:
S/9.73
18,036 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
18,036 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.73
10
S/6.23
100
S/4.24
500
S/3.53
2,500
S/2.88
5,000
Ver
1,000
S/3.11
5,000
S/2.78
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
1:
S/4.79
16,369 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
16,369 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.79
10
S/2.99
100
S/1.97
500
S/1.56
2,500
S/1.06
25,000
Ver
1,000
S/1.39
25,000
S/1.03
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.56
2,460 En existencias
7,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,460 En existencias
7,500 En pedido
1
S/11.56
10
S/7.51
100
S/5.25
500
S/4.36
1,000
S/3.93
2,500
S/3.51
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.51
7,306 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
7,306 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.83
100
S/3.23
500
S/2.57
2,500
S/2.02
5,000
Ver
1,000
S/2.39
5,000
S/1.95
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S403ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.12
19,034 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD90N04S403ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
19,034 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.12
10
S/4.55
100
S/3.04
500
S/2.40
2,500
S/1.91
5,000
Ver
1,000
S/2.21
5,000
S/1.80
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.03
27,778 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
27,778 En existencias
1
S/6.03
10
S/3.80
100
S/2.53
500
S/1.99
2,500
S/1.58
5,000
Ver
1,000
S/1.81
5,000
S/1.43
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/29.54
334 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
334 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/29.54
10
S/21.33
100
S/19.66
500
S/18.26
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Perú
