.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 15

Filtros aplicados:

Marca = STMicroelectronics Selección de ficha Imagen

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL260N4LF7
STMicroelectronics
1: S/12.30
2,746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL260N4LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4LF7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

Obtenga más información

Hoja de datos

2,746En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/8.02

S/5.57

S/4.71

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL110N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/7.43
5,207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL110N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL110N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

Hoja de datos

5,207En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.15

S/2.58

Envase tipo carrete

S/1.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

108 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

STL105N4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/8.06
5,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL105N4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL105N4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

Hoja de datos

5,672En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.47

S/2.76

Envase tipo carrete

S/2.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL260N4F7
STMicroelectronics
1: S/14.29
5,403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL260N4F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

Obtenga más información

Hoja de datos

5,403En existencias

Cinta cortada

S/14.29

S/9.38

S/6.54

S/5.76

Envase tipo carrete

S/4.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.12
2,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

Obtenga más información

Hoja de datos

2,800En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.46

S/4.40

S/3.60

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: S/9.19
1,797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

1,797En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.05

S/3.25

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

STL115N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/12.46
2,272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL115N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL115N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,272En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/8.14

S/5.68

S/4.83

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

107 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

72.5 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL117N4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/7.79
4,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL117N4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL117N4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

Hoja de datos

4,204En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.46

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27.6 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power

STL225N6F7AG
STMicroelectronics
1: S/14.40
18En existencias
9,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
STL225N6F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL225N6F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

9,000Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/14.40

S/9.42

S/7.05

S/6.03

S/5.53

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N65M2
STMicroelectronics
1: S/8.33
3,000Se espera el 23/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STL10N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000Se espera el 23/03/2026

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.61

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

4.5 A

1 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL18N60M6
STMicroelectronics
3,000: S/4.94
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

308 mOhms

- 20 V, 20 V

3.25 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a

STL19N3LLH6AG
STMicroelectronics
3,000: S/1.57
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL19N3LLH6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL19N3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.57

S/1.55

S/1.52

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

10 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.7 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL22N60M6
STMicroelectronics
3,000: S/4.01
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL22N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL22N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.01

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL12N60M6
STMicroelectronics
3,000: S/2.79
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL12N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.79

S/2.75

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

6.4 A

490 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

12.3 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M6
STMicroelectronics
3,000: S/4.32
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL16N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte