.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics MOSFETs de SiC

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

Filtros aplicados:

Marca = STMicroelectronics Selección de ficha Imagen

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/80.77
640En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT012W90G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT012W90G3-4AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

640En existencias

S/80.77

S/68.86

S/59.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: S/70.26
502En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

502En existencias

S/70.26

S/56.25

S/48.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/94.32
600Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT015W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

600Se espera el 26/10/2026

S/94.32

S/77.19

S/68.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: S/44.30
100En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

100En pedido

S/44.30

S/36.08

S/30.05

S/26.78

S/22.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

SCT019W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/72.21
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT019W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT019W120G3-4AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/72.21

S/57.80

S/49.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

90 A

26 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

120 nC

- 55 C

+ 200 C

486 W

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4
STMicroelectronics
600: S/45.66
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/45.66

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: S/42.55
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/42.55

S/25.42

S/21.64

S/20.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
1: S/47.25
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/47.25

S/38.46

S/32.07

S/28.57

S/24.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
1: S/70.22
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA40N120G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA40N120G2V

NRND

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/70.22

S/53.48

S/44.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

STMicroelectronics MOSFETs de SiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte