.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/18.29
940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH240N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

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S/18.29

S/12.11

S/9.30

S/8.25

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S/7.32

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
1: S/26.90
773En existencias

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STH410N4F7-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH410N4F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

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S/26.90

S/18.18

S/13.47

Envase tipo carrete

S/12.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

365 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

STH180N10F3-2
STMicroelectronics
1: S/20.71
1,072En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH180N10F3-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH180N10F3-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

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S/20.71

S/13.82

S/9.89

S/9.50

Envase tipo carrete

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

114.6 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

STH6N95K5-2
STMicroelectronics
1: S/13.31
899En existencias

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STH6N95K5-2

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511-STH6N95K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

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899En existencias

Cinta cortada

S/13.31

S/8.72

S/6.07

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

STH260N6F6-2
STMicroelectronics
1: S/15.92
693En existencias

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STH260N6F6-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH260N6F6-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

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S/15.92

S/11.91

S/9.19

S/8.14

Envase tipo carrete

S/7.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/20.20
8,894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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S/20.20

S/14.44

S/11.48

S/10.39

Envase tipo carrete

S/8.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

STH12N120K5-2
STMicroelectronics
1: S/45.93
1,250En existencias

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STH12N120K5-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH12N120K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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S/45.93

S/32.23

S/27.60

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S/25.77

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/20.59
889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-2

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511-STH315N10F7-2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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S/20.59

S/13.66

S/10.86

S/9.34

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S/8.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

STH3N150-2
STMicroelectronics
1: S/23.43
795En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STH3N150-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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S/23.43

S/15.73

S/11.33

S/11.21

Envase tipo carrete

S/10.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

STH140N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/13.58
282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH140N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH140N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

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S/13.58

S/8.87

S/6.77

S/5.68

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S/4.94

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

STH150N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/15.76
225En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH150N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH150N10F7-2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

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S/10.35

S/7.32

S/6.58

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S/6.15

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH170N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/10.51
59En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH170N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH170N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

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S/10.51

S/7.20

S/6.11

S/5.88

Envase tipo carrete

S/5.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-2AG
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1: S/22.03
97En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH275N8F7-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-2AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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97En existencias

Cinta cortada

S/22.03

S/16.54

S/11.95

Envase tipo carrete

S/11.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

STH270N8F7-2
STMicroelectronics
1,000: S/8.25
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH270N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH270N8F7-2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.25

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Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LGS LV MOSFET

STH290N4F6-2AG
STMicroelectronics
1,000: S/4.87
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STH290N4F6-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH290N4F6-2AG

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LGS LV MOSFET

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S/4.87

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in

STH145N8F7-2AG
STMicroelectronics
1,000: S/5.96
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH145N8F7-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH145N8F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in

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Envase tipo carrete

S/5.96

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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