.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Semiconductores discretos

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

STD130N6F7
STMicroelectronics
1: S/7.36
4,189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

Hoja de datos

4,189En existencias

Cinta cortada

S/7.36

S/4.71

S/3.15

S/2.50

S/2.31

Envase tipo carrete

S/2.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD18N60M6
STMicroelectronics
1: S/8.68
1,632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

1,632En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.57

S/3.82

S/3.05

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.59

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD6N60DM2
STMicroelectronics
1: S/7.98
2,132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

2,132En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.06

S/3.37

S/2.76

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

STD170N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/10.67
2,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD170N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD170N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

Hoja de datos

2,331En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/6.89

S/4.94

S/4.13

S/3.56

Envase tipo carrete

S/3.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

SCR 16 A High Temperature 800 V SCR

TN1605H-8BTR
STMicroelectronics
1: S/4.28
2,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN1605H-8BTR

N.º de artículo de Mouser
511-TN1605H-8BTR

STMicroelectronics

SCR 16 A High Temperature 800 V SCR

Obtenga más información

Hoja de datos

2,495En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.79

S/2.31

S/2.22

S/2.14

Envase tipo carrete

S/2.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SCRs

SMD/SMT

DPAK

Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Snubberless T-Series Triac

T1635T-8G
STMicroelectronics
1: S/6.11
3,357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
T1635T-8G

N.º de artículo de Mouser
511-T1635T-8G

STMicroelectronics

Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Snubberless T-Series Triac

Hoja de datos

3,357En existencias

S/6.11

S/3.78

S/2.55

S/2.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Triacs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

STGD5H60DF
STMicroelectronics
1: S/4.67
2,873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD5H60DF

N.º de artículo de Mouser
511-STGD5H60DF

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

Obtenga más información

Hoja de datos

2,873En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.92

S/1.92

S/1.51

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

SCR 80 A 800 V High Temperature Thyristor (SCR) in D3PAK package

TM8050H-8D3-TR
STMicroelectronics
1: S/28.73
168En existencias
700En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TM8050H-8D3-TR

N.º de artículo de Mouser
511-TM8050H-8D3-TR

STMicroelectronics

SCR 80 A 800 V High Temperature Thyristor (SCR) in D3PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

168En existencias

700En pedido

Cinta cortada

S/28.73

S/19.70

S/13.94

Envase tipo carrete

S/13.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 400

SCRs

SMD/SMT

D3PAK

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD11N60M6
STMicroelectronics
2,500: S/2.72
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD11N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD11N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.72

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N60M6
STMicroelectronics
2,500: S/3.88
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/3.88

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N60DM2
STMicroelectronics
2,500: S/2.25
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD7N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.25

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N6F7
STMicroelectronics
2,500: S/1.35
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD80N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.35

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A dual Power Schottky Rectifier

STPS20120CB-TR
STMicroelectronics
5,000: S/1.04
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STPS20120CB-TR

N.º de artículo de Mouser
511-STPS20120CB-TR

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A dual Power Schottky Rectifier

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

Cinta cortada

S/1.04

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

STD134N4F7AG
STMicroelectronics
2,500: S/2.61
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD134N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD134N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.61

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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