STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
STMicroelectronics RF5L05950CF2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Si Reel
STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 180
Mult.: 180
Carrete: 180

Si Reel
STMicroelectronics SD2931-14
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) .500 DIA 4-L W/FLG Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Si Bulk
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk
STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

Si Bulk
STMicroelectronics RF3L05200CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

N-Channel Si 28 V 945 MHz 16 dB 200 W Through Hole LBB-3 Reel
STMicroelectronics RF3L05400CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

N-Channel Si 28 V 500 MHz 17 dB 380 W Through Hole LBB-3 Reel
STMicroelectronics RF5L051K4CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L08600CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100

Si Tray
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10 Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SD2931-12MR
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk