Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4
CEL
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S/13.51
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N.º de artículo de Mouser 551-CE3521M4
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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S/4.63
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pHEMT
GaAs
20 GHz
11.9 dB
3 V
- 3 V
10 mA
- 55 C
+ 125 C
125 mW
SMD/SMT
minimold-4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2-C1
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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S/3.03
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pHEMT
GaAs
12 GHz
13.7 dB
4 V
- 3 V
10 mA
- 55 C
+ 125 C
125 mW
SMD/SMT
MICRO-X-4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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pHEMT
Si
12 GHz
14.1 dB
2 V
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10 mA
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125 mW
SMD/SMT
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4-C2
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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S/2.04
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Si
12 GHz
14.1 dB
2 V
- 400 mV
10 mA
- 55 C
+ 125 C
125 mW
SMD/SMT
minimold-4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3520K3-C1
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
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GaAs
24 GHz
13.8 dB
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- 3 V
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- 55 C
+ 125 C
125 mW
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MICRO-X-4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2
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N.º de artículo de Mouser 551-CE3512K2
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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GaAs
12 GHz
13.7 dB
4 V
- 3 V
10 mA
- 55 C
+ 125 C
125 mW
SMD/SMT
MICRO-X-4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4
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63 En existencias
N.º de artículo de Mouser 551-CE3514M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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GaAs
12 GHz
12.2 dB
4 V
- 3 V
10 mA
- 55 C
+ 125 C
125 mW
SMD/SMT
minimold-4
Bulk
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4-C2
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1,907 En existencias
15,000 Se espera el 28/04/2026
N.º de artículo de Mouser 551-CE3514M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
1,907 En existencias
15,000 Se espera el 28/04/2026
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1
S/5.02
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15,000
S/2.30
1,000
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S/2.43
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10,000
S/2.30
15,000
S/2.30
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Detalles
pHEMT
GaAs
12 GHz
12.2 dB
4 V
- 3 V
10 mA
- 55 C
+ 125 C
125 mW
SMD/SMT
minimold-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CEL CE3520K3
CE3520K3
CEL
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N.º de artículo de Mouser 551-CE3520K3
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
195 En existencias
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1
S/15.38
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100
S/5.80
500
S/5.41
1,000
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1,000
S/5.33
2,500
S/5.29
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S/5.25
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GaAs
Bulk
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CE3521M4-C2
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No en existencias
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
No en existencias
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GaAs
20 GHz
11.9 dB
3 V
- 3 V
10 mA
- 55 C
+ 125 C
125 mW
SMD/SMT
minimold-4
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7530K2-C1
CE7530K2-C1
CEL
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S/4.52
No en existencias
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CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
No en existencias
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Min.: 10,000 Mult.: 10,000
Detalles
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7531K3-C1
CE7531K3-C1
CEL
10,000:
S/4.52
No en existencias
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CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
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Reel
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