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CEL Transistores de radiofrecuencia

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Tipos de Transistores de radiofrecuencia

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Resultados: 14

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C

CE3521M4
CEL
1: S/13.51
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3521M4

N.º de artículo de Mouser
551-CE3521M4

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C

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Hoja de datos

90En existencias

S/13.51

S/8.80

S/5.41

S/5.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

GaAs

20 GHz

- 55 C

+ 125 C

11.9 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

CE3512K2-C1
CEL
1: S/6.50
11,531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3512K2-C1

N.º de artículo de Mouser
551-CE3512K2-C1

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

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Hoja de datos

11,531En existencias

Cinta cortada

S/6.50

S/4.36

S/3.63

S/3.49

Ver

Envase tipo carrete

S/3.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

MICRO-X-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

13.7 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead

CE7613M4
CEL
1: S/6.03
2,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE7613M4

N.º de artículo de Mouser
551-CE7613M4

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead

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Hoja de datos

2,803En existencias

S/6.03

S/3.97

S/3.53

S/3.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

14.1 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead

CE7613M4-C2
CEL
1: S/7.47
12,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE7613M4-C2

N.º de artículo de Mouser
551-CE7613M4-C2

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead

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Hoja de datos

12,597En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/4.79

S/3.30

S/2.80

Ver

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 15,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

14.1 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

CE3520K3-C1
CEL
1: S/8.87
6,934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3520K3-C1

N.º de artículo de Mouser
551-CE3520K3-C1

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

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Hoja de datos

6,934En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/5.99

S/5.10

S/4.90

Ver

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

MICRO-X-4

pHEMT

GaAs

24 GHz

- 55 C

+ 125 C

13.8 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

CE3512K2
CEL
1: S/8.41
809En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3512K2

N.º de artículo de Mouser
551-CE3512K2

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

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Hoja de datos

809En existencias

S/8.41

S/5.64

S/4.63

S/4.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

MICRO-X-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

13.7 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

CE3514M4
CEL
1: S/10.78
64En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3514M4

N.º de artículo de Mouser
551-CE3514M4

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

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Hoja de datos

64En existencias

S/10.78

S/6.97

S/3.74

S/3.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

12.2 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

CE3514M4-C2
CEL
1: S/5.02
1,907En existencias
15,000Se espera el 28/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
CE3514M4-C2

N.º de artículo de Mouser
551-CE3514M4-C2

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

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Hoja de datos

1,907En existencias

15,000Se espera el 28/04/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.32

S/2.76

S/2.65

Ver

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 15,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

GaAs

12 GHz

- 55 C

+ 125 C

12.2 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

CE3520K3
CEL
1: S/15.38
195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3520K3

N.º de artículo de Mouser
551-CE3520K3

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C

Hoja de datos

195En existencias

S/15.38

S/10.08

S/5.80

S/5.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors

pHEMT

GaAs

Bulk

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ

NESG270034-EV09-AZ
CEL
1: S/614.04
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
NESG270034-EV09-AZ

N.º de artículo de Mouser
NESG270034-EV09-AZ

CEL

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ

Hoja de datos

No en existencias

S/614.04

S/575.12

S/553.47

S/544.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

Bipolar

SiGe

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C

CE3521M4-C2
CEL
15,000: S/3.33
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE3521M4-C2

N.º de artículo de Mouser
551-CE3521M4-C2

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/3.33

Min.: 15,000
Mult.: 15,000

Carrete: 15,000

RF JFET Transistors

SMD/SMT

minimold-4

pHEMT

GaAs

20 GHz

- 55 C

+ 125 C

11.9 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz

NE5550979A-EV04-A
CEL
1: S/690.49
N/A

N.º de artículo del Fabricante
NE5550979A-EV04-A

N.º de artículo de Mouser
551-NE5550979A-EV04A

CEL

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz

Hoja de datos

N/A

S/690.49

S/588.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

Bulk

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

CE7530K2-C1
CEL
10,000: S/4.52
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE7530K2-C1

N.º de artículo de Mouser
551-CE7530K2-C1

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

No en existencias

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

RF JFET Transistors

Reel

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

CE7531K3-C1
CEL
10,000: S/4.52
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
CE7531K3-C1

N.º de artículo de Mouser
551-CE7531K3-C1

CEL

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

No en existencias

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

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Reel

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