Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHS/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60
Carrete: 60

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60
Carrete: 60

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FEG/SOT1248/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0PE/OMP-1230/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFE/ACC-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C Screw Mount ACC-1230-6F-3-7 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFES/ACC-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 75 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29.8 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 75 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29.8 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 75 V 106 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28..5 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHG/SOT1214/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT1214C-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PE/OMP780/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 200 mOhms 1 MHz to 650 MHz 29.2 dB 800 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 32 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 32 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

LDMOS 65 V 2.11 GHz to 2.17 GHz 30.5 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

LDMOS 65 V 2.11 GHz to 2.17 GHz 30.5 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel