Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-36248-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-36248-2 Reel