IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM

ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM features programmable burst length, burst sequence, and CAS latency, enabling further advantages.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Ancho de bus de datos
Frecuencia de reloj máxima
Paquete / Cubierta
Organización
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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27En existencias
108Se espera el 20/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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96En existencias
Min.: 1
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SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
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Mult.: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
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Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
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: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
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SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
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: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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Min.: 2,500
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: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
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: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel