.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 81

Filtros aplicados:

Tipo de transistor = Power MOSFET

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

RRS100P03HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/11.48
2,455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RRS100P03HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-RRS100P03HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,455En existencias

Cinta cortada

S/11.48

S/7.43

S/5.14

S/4.13

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.64

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET

R6024KNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/23.47
1,932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024KNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6024KNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,932En existencias

S/23.47

S/12.42

S/11.37

S/11.29

S/10.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N

DI100N10PQ
Diotec Semiconductor
1: S/9.73
2,508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DI100N10PQ

N.º de artículo de Mouser
637-DI100N10PQ

Diotec Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N

Obtenga más información

Hoja de datos

2,508En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.66

S/4.59

S/3.66

Envase tipo carrete

S/2.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PowerQFN 5x6

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

DI100N10PQ

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

RX3G18BGNC16
ROHM Semiconductor
1: S/29.82
844En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RX3G18BGNC16

N.º de artículo de Mouser
755-RX3G18BGNC16

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

Hoja de datos

844En existencias

S/29.82

S/16.04

S/14.71

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.64 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

168 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101

DI038N04PQ2-AQ
Diotec Semiconductor
1: S/7.16
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DI038N04PQ2-AQ

N.º de artículo de Mouser
637-DI038N04PQ2-AQ

Diotec Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101

Obtenga más información

Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PowerQFN 5x6

N-Channel

2 Channel

45 V

38 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

AEC-Q101

DI038N04PQ2-AQ

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET

R6520ENXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/24.29
680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6520ENXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6520ENXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

680En existencias

S/24.29

S/12.81

S/11.72

S/10.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

205 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 9A N-CH MOSFET

R8009KNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/21.18
1,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R8009KNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R8009KNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 9A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,369En existencias

S/21.18

S/14.09

S/10.04

S/8.95

S/8.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 40V 35A

RQ3G110ATTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.65
2,253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3G110ATTB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3G110ATTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 40V 35A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,253En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/5.84

S/4.13

S/3.38

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

P-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 60V 25A

RQ3L070ATTB
ROHM Semiconductor
1: S/8.33
10,082En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3L070ATTB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3L070ATTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 60V 25A

Obtenga más información

Hoja de datos

10,082En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/4.90

S/3.46

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HSMT-8

P-Channel

1 Channel

60 V

25 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

RRS090P03HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.93
4,170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RRS090P03HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-RRS090P03HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,170En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/5.84

S/4.20

S/3.48

S/3.20

Envase tipo carrete

S/3.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

RSS065N06HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.07
2,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSS065N06HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-RSS065N06HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,510En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.33

S/3.78

S/3.14

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.66

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

6.5 A

37 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SPR247 500V 36A N-CH MOSFET

SIHFPS37N50A-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/32.85
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFPS37N50A-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFPS37N50A-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SPR247 500V 36A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

465En existencias

S/32.85

S/19.07

S/16.04

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Super-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

36 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT

CSD86336Q3D
Texas Instruments
1: S/7.94
660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD86336Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD86336Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT

Obtenga más información

Hoja de datos

660En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.10

S/3.43

S/2.73

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

20 A

9.1 mOhms

- 8 V, 8 V

1.1 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.22
14En existencias
240Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

14En existencias

240Se espera el 2/07/2026

S/47.22

S/31.61

S/26.55

S/24.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.64
99En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

99En existencias

S/34.64

S/24.41

S/19.73

S/17.52

S/15.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET

HS8MA2TCR1
ROHM Semiconductor
1: S/6.62
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HS8MA2TCR1

N.º de artículo de Mouser
755-HS8MA2TCR1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET

Hoja de datos

1,000En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.80

S/2.20

Envase tipo carrete

S/2.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

HSML3333L-9

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

5.5 A, 7 A

35 mOhms, 80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.8 nC, 8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET

R6024ENXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/23.47
4,919En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024ENXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6024ENXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4,919En existencias

S/23.47

S/12.42

S/11.37

S/11.29

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 155 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET

R6515ENXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/18.96
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6515ENXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6515ENXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000En existencias

S/18.96

S/9.77

S/8.91

S/7.32

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

315 mOhms

- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET

R6530ENXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/25.50
1,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6530ENXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6530ENXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,970En existencias

S/25.50

S/15.38

S/14.09

S/12.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET

R6530KNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/25.50
1,219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6530KNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6530KNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,219En existencias

S/25.50

S/15.38

S/14.09

S/12.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 6A N-CH MOSFET

R8006KNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/17.98
378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R8006KNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R8006KNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 6A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

378En existencias

S/17.98

S/11.87

S/8.37

S/7.16

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

RRS050P03HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/7.59
2,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RRS050P03HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-RRS050P03HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,485En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.35

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

RSS070P05HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.69
1,486En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSS070P05HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-RSS070P05HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,486En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/6.23

S/4.24

S/3.38

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

45 V

7 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101

DI048N04PQ2-AQ
Diotec Semiconductor
1: S/6.50
4,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DI048N04PQ2-AQ

N.º de artículo de Mouser
637-DI048N04PQ2-AQ

Diotec Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101

Obtenga más información

Hoja de datos

4,980En existencias

Cinta cortada

S/6.50

S/4.24

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PowerQFN 5x6

N-Channel

2 Channel

40 V

48 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

DI048N04PQ2-AQ

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 85V, 195A, 175C, N

DIT195N08
Diotec Semiconductor
1: S/17.36
909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DIT195N08

N.º de artículo de Mouser
637-DIT195N08

Diotec Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 85V, 195A, 175C, N

Obtenga más información

Hoja de datos

909En existencias

S/17.36

S/8.87

S/8.02

S/6.58

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

85 V

195 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

DIT195N08

Tube

Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.6 A
3 A
4 A
5 A
5.5 A, 7 A
6 A
6.5 A
7 A
9 A
10 A
11 A
13 A
15 A
20 A
24 A
25 A
28 A
30 A
31 A
35 A

1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.64 mOhms
2.3 mOhms
3 mOhms
3.4 mOhms
4.1 mOhms
4.9 mOhms
5.7 mOhms
6 mOhms
6.5 mOhms
6.6 mOhms
6.7 mOhms
7.2 mOhms
8 mOhms
8.3 mOhms
8.8 mOhms
9.1 mOhms
9.9 mOhms
10 mOhms

3.8 nC
7.5 nC
7.8 nC, 8.4 nC
8.9 nC
9.2 nC
10 nC
11 nC
11.5 nC
12 nC
14 nC
15 nC
16.5 nC
17.5 nC
18 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
25.3 nC

1.4 W
2 W
4 W
6 W
16 W
20 W
25 W
28 W
30 W
31 W
32 W
36 W
37 W
40 W
45 W
46 W
48 W
52 W
53 W
56 W

CoolMOS
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI028P03PT
DI030N03D1
DI035N10PT
DI035N10PT-AQ
DI035P04PT
DI038N04PQ2
DI038N04PQ2-AQ
DI040N03PT-AQ
DI045N03PT
DI045N03PT-AQ
DI048N04PQ2
DI048N04PQ2-AQ
DI050N04PT
DI050N04PT-AQ
DI068N03PQ-AQ
DI080N03PQ