Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD97N06-6M3L_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQJ403EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
SQJQ100E-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQS460ENW-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH
NVMTS0D7N06CLTXG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1470AEH-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1912AEEH-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
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S/3.04
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S/0.638
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
SQ3989EV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
170,532 En existencias
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1
S/3.97
10
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S/0.833
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ4153EY-T1_GE3
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S/10.04
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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Embalaje alternativo
1
S/10.04
10
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S/4.44
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S/3.53
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S/3.19
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S/3.44
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S/3.03
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/12.73
30,060 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
30,060 En existencias
1
S/12.73
10
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3,000
S/4.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.14
26,289 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
26,289 En existencias
1
S/8.14
10
S/3.93
100
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S/2.78
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S/2.63
6,000
S/2.30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.50
91,721 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
91,721 En existencias
1
S/6.50
10
S/3.08
100
S/2.74
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S/2.16
3,000
S/1.72
24,000
S/1.69
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Rectificadores y diodos Schottky 40 Volt 3.0 Amp 75 AMP IFSM
SSA34HE3_A/I
Vishay Semiconductors
1:
S/2.92
436,229 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SSA34HE3_A/I
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 40 Volt 3.0 Amp 75 AMP IFSM
436,229 En existencias
1
S/2.92
10
S/1.32
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S/1.16
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S/0.545
2,500
S/0.88
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S/0.545
7,500
S/0.545
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Carrete :7,500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 4.0A 60V SCHOTTKY DIODE
NRVB460MFST1G
onsemi
1:
S/3.78
85,008 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NRVB460MFST1G
onsemi
Rectificadores y diodos Schottky 4.0A 60V SCHOTTKY DIODE
85,008 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.78
10
S/1.72
100
S/1.46
500
S/1.12
1,000
S/0.954
1,500
S/0.872
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 1,500
Carrete :1,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUTN06S5N008GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.06
1,529 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN06S5N008GAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
1,529 En existencias
1
S/28.06
10
S/15.03
100
S/13.74
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S/13.04
1,000
S/12.30
1,800
S/12.30
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Carrete :1,800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
44,746 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
44,746 En existencias
1
S/5.61
10
S/2.62
100
S/2.33
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S/1.82
2,000
S/1.56
4,000
Ver
1,000
S/1.79
4,000
S/1.39
10,000
S/1.36
24,000
S/1.22
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/6.38
76,016 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
76,016 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.38
10
S/3.02
100
S/2.69
500
S/2.11
3,000
S/1.69
9,000
Ver
9,000
S/1.67
24,000
S/1.64
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
+3 imágenes
NVMTS0D6N04CTXG
onsemi
1:
S/40.33
3,416 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVMTS0D6N04CTXG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
3,416 En existencias
1
S/40.33
10
S/22.58
100
S/21.29
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S/20.94
1,000
S/20.12
3,000
S/20.12
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Carrete :3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
1:
S/43.21
4,570 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4,570 En existencias
1
S/43.21
10
S/24.41
100
S/23.39
500
S/23.20
1,000
S/22.11
4,000
S/22.11
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/17.28
40,781 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
40,781 En existencias
1
S/17.28
10
S/8.84
100
S/8.02
500
S/6.81
1,000
S/6.11
2,000
S/5.53
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.16
143,250 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
143,250 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.16
10
S/2.79
100
S/1.74
500
S/1.26
1,000
S/1.18
3,000
S/1.00
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.83
306,379 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
306,379 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.83
10
S/2.25
100
S/2.00
500
S/1.55
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S/1.22
6,000
Ver
1,000
S/1.53
6,000
S/1.19
9,000
S/1.12
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Perú
