Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
PSMNR67-30YLEX
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N.º de artículo de Mouser 771-PSMNR67-30YLEX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
SIHB080N60E-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SIHB080N60E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
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SQSA84CENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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N.º de artículo de Mouser 78-SQSA84CENW-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
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S/4.16
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S/0.903
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13
NCD57530DWKR2G
onsemi
1:
S/18.53
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N.º de artículo de Mouser 863-NCD57530DWKR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13
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S/18.53
10
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Presupuesto
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Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser 511-STGIK10M120T
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
XP4NAR95CMT-A
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP4NAR95CMT-A
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
XP65SL380DH
YAGEO XSemi
1:
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N.º de artículo de Mouser 603-XP65SL380DH
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
3,000 En existencias
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S/8.68
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S/3.79
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S/3.02
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S/2.68
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S/2.97
6,000
S/2.47
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S/2.38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/29.74
748 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-DQ60R075CFD7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
748 En existencias
1
S/29.74
10
S/19.89
100
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S/13.39
750
S/12.73
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPD038N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
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3,420 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD038N06NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,420 En existencias
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S/11.33
10
S/7.28
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S/3.71
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S/3.37
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.82
4,772 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,772 En existencias
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S/13.82
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S/8.99
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S/6.31
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S/5.53
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S/4.63
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
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S/14.44
2,848 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,848 En existencias
1
S/14.44
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S/7.24
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S/5.25
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S/4.71
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S/4.48
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S/4.32
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Módulos de semiconductores discretos THYR / DIODE MODULE DK
TD590N18KOFXPSA1
Infineon Technologies
1:
S/1,024.35
7 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TD590N18KOFXPSA1
Infineon Technologies
Módulos de semiconductores discretos THYR / DIODE MODULE DK
7 En existencias
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Conversores CA/DC Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC
BM2P10B1J-Z
ROHM Semiconductor
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S/9.54
3,995 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-BM2P10B1J-Z
ROHM Semiconductor
Conversores CA/DC Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC
3,995 En existencias
1
S/9.54
10
S/7.05
25
S/6.42
100
S/5.76
250
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250
S/5.41
500
S/5.25
1,000
S/5.06
2,000
S/4.90
4,000
S/4.75
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 65V 3A SBD
RBQ3RSM65BTL1
ROHM Semiconductor
1:
S/5.88
6,117 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RBQ3RSM65BTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 65V 3A SBD
6,117 En existencias
1
S/5.88
10
S/3.35
100
S/2.41
500
S/1.98
4,000
S/1.49
8,000
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1,000
S/1.80
2,000
S/1.68
8,000
S/1.30
24,000
S/1.29
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Detalles
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SBD
RBQ5RSM10BTL1
ROHM Semiconductor
1:
S/6.85
5,672 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RBQ5RSM10BTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SBD
5,672 En existencias
1
S/6.85
10
S/3.86
100
S/2.78
500
S/2.30
1,000
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4,000
S/1.86
1,000
S/2.10
2,000
S/1.92
4,000
S/1.86
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Detalles
Rectificadores y diodos Schottky RECT 40V 10A SBD
RBR10RSM40BTFTL1
ROHM Semiconductor
1:
S/6.42
7,379 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RBR10RSM40BTFTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 40V 10A SBD
7,379 En existencias
1
S/6.42
10
S/4.24
100
S/3.27
500
S/2.81
4,000
S/2.26
8,000
Ver
1,000
S/2.57
2,000
S/2.40
8,000
S/2.00
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Carrete :4,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
+1 imagen
SQSA82CENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.89
23,356 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQSA82CENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
23,356 En existencias
1
S/3.89
10
S/2.41
100
S/1.57
500
S/1.21
3,000
S/0.938
6,000
Ver
1,000
S/1.09
6,000
S/0.864
9,000
S/0.821
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF Switch,SP4T,DC-57 GHz,3mm,Reflective,T&R
+1 imagen
MASW-011153-TR0500
MACOM
1:
S/550.48
313 En existencias
N.º de artículo de Mouser 937-MASW011153TR0500
MACOM
Circuitos integrados de interruptores de RF Switch,SP4T,DC-57 GHz,3mm,Reflective,T&R
313 En existencias
1
S/550.48
10
S/465.08
25
S/453.36
500
S/453.36
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Carrete :500
Detalles
Mezclador de RF DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
SYM-12+
Mini-Circuits
1:
S/60.57
100 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
SYM-12+
N.º de artículo de Mouser 139-SYM-12
Mini-Circuits
Mezclador de RF DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
100 En existencias
1
S/60.57
10
S/56.91
50
S/56.64
100
S/56.64
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Carrete :100
Detalles
Amplificador de RF Low-power 50 ohm MMIC gain block 6-18 GHz Positive Gain-Slope Amplifier +1dB
CMX90G701QF-R705
CML Micro
1:
S/43.56
323 En existencias
N.º de artículo de Mouser 226-CMX90G701QF-R705
CML Micro
Amplificador de RF Low-power 50 ohm MMIC gain block 6-18 GHz Positive Gain-Slope Amplifier +1dB
323 En existencias
1
S/43.56
25
S/41.61
100
S/37.21
250
S/35.93
500
S/34.88
1,000
Ver
1,000
S/32.42
10,000
Presupuesto
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Carrete :500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/79.41
175 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
175 En existencias
1
S/79.41
10
S/56.71
100
S/47.29
200
S/47.29
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Carrete :200
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
1:
S/4.16
9,515 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
9,515 En existencias
1
S/4.16
10
S/2.75
100
S/2.09
500
S/1.72
1,000
S/1.57
2,500
S/1.30
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Carrete :2,500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST8H100SFY
STMicroelectronics
1:
S/4.01
5,567 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPST8H100SFY
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
5,567 En existencias
1
S/4.01
10
S/2.60
100
S/1.93
500
S/1.60
6,000
S/1.23
12,000
Ver
1,000
S/1.39
12,000
S/1.11
24,000
S/1.06
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1:
S/72.48
500 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
500 En existencias
1
S/72.48
10
S/45.19
120
S/40.87
510
S/37.56
1,020
S/36.98
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
1:
S/20.82
1,984 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
1,984 En existencias
1
S/20.82
10
S/13.86
100
S/9.89
500
S/8.80
1,000
S/8.76
2,000
S/7.94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
