Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 720

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

IXFK250N10P
IXYS
1: S/95.99
88En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK250N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK250N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

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Hoja de datos

88En existencias

S/95.99

S/63.68

S/58.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

250 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

205 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A

IXFK32N100Q3
IXYS
1: S/170.26
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A

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Hoja de datos

186En existencias

S/170.26

S/120.86

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

320 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

195 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

IXFK360N10T
IXYS
1: S/59.87
169En existencias
125Se espera el 10/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFK360N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK360N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

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Hoja de datos

169En existencias

125Se espera el 10/06/2026

S/59.87

S/46.32

S/40.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

360 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

525 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

IXFK420N10T
IXYS
1: S/80.93
394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK420N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK420N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

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394En existencias

S/80.93

S/52.08

S/49.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

420 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

670 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

IXFK44N50P
IXYS
1: S/54.30
483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK44N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK44N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A

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483En existencias

S/54.30

S/34.29

S/29.39

S/28.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

44 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

650 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V

IXFK44N80P
IXYS
1: S/87.00
113En existencias
200Se espera el 16/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFK44N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK44N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V

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Hoja de datos

113En existencias

200Se espera el 16/06/2026

S/87.00

S/56.29

S/52.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

800 V

44 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

198 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFK50N85X
IXYS
1: S/76.29
371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK50N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK50N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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Hoja de datos

371En existencias

S/76.29

S/62.79

S/54.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

850 V

50 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A

IXFK64N50P
IXYS
1: S/64.62
393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK64N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK64N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A

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Hoja de datos

393En existencias

S/64.62

S/46.20

S/45.35

S/39.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

64 A

85 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFK64N60P3
IXYS
1: S/72.01
127En existencias
475Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFK64N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK64N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

127En existencias

475Se espera el 16/03/2026

S/72.01

S/47.10

S/39.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

IXFK88N30P
IXYS
1: S/66.13
185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK88N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK88N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

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Hoja de datos

185En existencias

S/66.13

S/49.16

S/42.27

S/34.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

88 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds

IXFP3N120
IXYS
1: S/37.21
479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

479En existencias

S/37.21

S/20.12

S/18.80

S/16.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N30X3
IXYS
1: S/41.53
419En existencias
1,450Se espera el 1/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFP72N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP72N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

419En existencias

1,450Se espera el 1/05/2026

S/41.53

S/23.28

S/21.49

S/19.58

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

72 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

IXFQ20N50P3
IXYS
1: S/25.92
1,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ20N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ20N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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Hoja de datos

1,133En existencias

S/25.92

S/13.55

S/12.46

S/10.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

380 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A

IXFR80N50Q3
IXYS
1: S/135.85
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR80N50Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR80N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A

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Hoja de datos

169En existencias

S/135.85

S/89.64

S/88.87

S/88.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

50 A

72 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

570 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 300V 100A N-CH X3CLASS

IXFT100N30X3HV
IXYS
1: S/61.66
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT100N30X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT100N30X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 300V 100A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

151En existencias

S/61.66

S/40.29

S/38.46

S/32.58

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

100 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 120A N-CH X3CLASS

IXFT120N25X3HV
IXYS
1: S/60.76
932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT120N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT120N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 120A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

932En existencias

S/60.76

S/37.60

S/32.77

S/32.62

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

120 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 300V 150A N-CH X3CLASS

IXFT150N30X3HV
IXYS
1: S/87.74
183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT150N30X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT150N30X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 300V 150A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

183En existencias

S/87.74

S/55.55

S/51.42

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

177 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

IXFT340N075T2
IXYS
1: S/54.46
528En existencias
510Se espera el 22/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT340N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT340N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

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Hoja de datos

528En existencias

510Se espera el 22/07/2026

S/54.46

S/33.16

S/28.49

S/27.71

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

340 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-268HV

IXFT80N65X2HV
IXYS
1: S/65.36
331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT80N65X2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT80N65X2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-268HV

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Hoja de datos

331En existencias

S/65.36

S/40.68

S/35.50

S/35.46

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

IXFX100N65X2
IXYS
1: S/73.49
120En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX100N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX100N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

Obtenga más información

Hoja de datos

120En existencias

S/73.49

S/47.22

S/44.37

S/42.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

IXFX120N65X2
IXYS
1: S/95.17
154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

154En existencias

S/95.17

S/62.94

S/59.71

S/59.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

24 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160A 300V

IXFX160N30T
IXYS
1: S/77.54
128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX160N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX160N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160A 300V

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Hoja de datos

128En existencias

S/77.54

S/49.01

S/44.06

S/44.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

160 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

335 nC

- 55 C

+ 150 C

1.39 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

IXFX230N20T
IXYS
1: S/99.76
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX230N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

Obtenga más información

Hoja de datos

370En existencias

S/99.76

S/66.13

S/62.55

S/62.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

230 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

358 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

IXFX24N100Q3
IXYS
1: S/110.98
180En existencias
120Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFX24N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX24N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

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S/110.98

S/71.97

S/68.98

S/68.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

24 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXFX360N15T2
IXYS
1: S/120.55
409En existencias

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IXFX360N15T2

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747-IXFX360N15T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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S/120.55

S/78.78

S/76.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

360 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

715 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W