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IXFX230N20T

Name: IXYS IXFX230N20T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX230N20T
Price: 101.52 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFX230N20T

Fabricante N.º:

IXFX230N20T

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

Hoja de datos:

IXFX230N20T Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/101.52	S/101.52
	S/66.13	S/661.30
	S/62.51	S/7,501.20

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	230 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	358 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1.67 kW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IXFX230N20
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	6 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
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TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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