Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 719

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds

IXFX140N30P
IXYS
1: S/108.64
507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX140N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX140N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds

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507En existencias

S/108.64

S/71.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

140 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 120V 140A N-CH TRENCH

IXTP140N12T2
IXYS
1: S/32.81
365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP140N12T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP140N12T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 120V 140A N-CH TRENCH

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365En existencias

S/32.81

S/17.83

S/16.31

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

140 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

577 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

IXFA14N60P
IXYS
1: S/27.83
291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA14N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA14N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

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291En existencias

S/27.83

S/14.87

S/13.58

S/12.03

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-263D2

IXFA36N30P3
IXYS
1: S/30.60
361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA36N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA36N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-263D2

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361En existencias

S/30.60

S/16.50

S/15.10

S/13.82

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

36 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

347 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFP10N80P
IXYS
1: S/32.35
292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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292En existencias

S/32.35

S/17.52

S/16.08

S/14.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

5.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 38A N-CH X3CLASS

IXFP38N30X3
IXYS
1: S/31.37
208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP38N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP38N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 38A N-CH X3CLASS

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208En existencias

S/31.37

S/16.97

S/15.22

S/14.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

38 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

IXTQ76N25T
IXYS
1: S/34.68
248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ76N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ76N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

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248En existencias

S/34.68

S/20.24

S/17.01

S/16.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

300 V

76 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A

IXFR32N80Q3
IXYS
1: S/160.60
299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR32N80Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR32N80Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A

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299En existencias

S/160.60

S/116.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

24 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1200V 0.46 Rds

IXFX26N120P
IXYS
1: S/168.35
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX26N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX26N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1200V 0.46 Rds

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213En existencias

S/168.35

S/141.61

S/120.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

255 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds

IXTA102N15T
IXYS
1: S/26.47
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA102N15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA102N15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds

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261En existencias

S/26.47

S/14.09

S/12.38

S/11.41

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

102 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

455 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET

IXTH20N65X
IXYS
1: S/46.55
263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH20N65X

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH20N65X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET

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263En existencias

S/46.55

S/33.67

S/28.03

S/24.99

S/23.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS

IXTK120N65X2
IXYS
1: S/109.42
407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS

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407En existencias

S/109.42

S/78.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

IXTP160N10T
IXYS
1: S/26.59
295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP160N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP160N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

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295En existencias

S/26.59

S/14.48

S/13.20

S/11.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

7 mOhms

- 55 C

+ 175 C

430 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 34A N-CH X2CLASS

IXTP34N65X2
IXYS
1: S/36.20
190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 34A N-CH X2CLASS

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190En existencias

S/36.20

S/20.32

S/18.29

S/17.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50Amps 250V

IXTQ50N25T
IXYS
1: S/35.62
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ50N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ50N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50Amps 250V

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257En existencias

S/35.62

S/20.82

S/17.52

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

250 V

50 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V

IXFP5N100P
IXYS
1: S/29.31
319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP5N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP5N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V

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319En existencias

S/29.31

S/18.06

S/14.60

S/13.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

IXTQ130N10T
IXYS
1: S/29.31
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ130N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ130N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

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Hoja de datos

224En existencias

S/29.31

S/16.85

S/13.86

S/13.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

8.5 mOhms

- 55 C

+ 175 C

360 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFH10N80P
IXYS
1: S/30.91
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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Hoja de datos

280En existencias

S/30.91

S/16.31

S/14.44

S/13.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

5.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

IXFH22N65X2
IXYS
1: S/35.77
170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH22N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH22N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

170En existencias

S/35.77

S/20.90

S/17.59

S/17.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A

IXFP180N10T2
IXYS
1: S/34.53
237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP180N10T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP180N10T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A

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237En existencias

S/34.53

S/18.84

S/17.20

S/16.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 26A N-CH X3CLASS

IXFP26N30X3
IXYS
1: S/25.65
315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP26N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP26N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 26A N-CH X3CLASS

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315En existencias

S/25.65

S/13.58

S/11.79

S/10.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

26 A

66 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFQ94N30P3
IXYS
1: S/61.19
162En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ94N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ94N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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162En existencias

S/61.19

S/37.45

S/35.07

S/34.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 12A N-CH X2CLASS

IXTH12N65X2
IXYS
1: S/26.94
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH12N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH12N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 12A N-CH X2CLASS

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280En existencias

S/26.94

S/15.45

S/13.55

S/13.51

S/12.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 75V

IXTP170N075T2
IXYS
1: S/23.04
322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP170N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP170N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 75V

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Hoja de datos

322En existencias

S/23.04

S/12.11

S/10.32

S/9.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

75 V

170 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

360 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 52A

IXFH52N30Q
IXYS
1: S/73.26
106En existencias
210Se espera el 22/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXFH52N30Q

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747-IXFH52N30Q

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 52A

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S/73.26

S/46.09

S/39.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

52 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W