Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 719

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

IXFH14N60P
IXYS
1: S/31.88
130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH14N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

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Hoja de datos

130En existencias

S/31.88

S/19.77

S/17.79

S/14.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

IXTA180N10T7
IXYS
1: S/31.92
116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA180N10T7

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA180N10T7

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

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116En existencias

S/31.92

S/22.50

S/18.14

S/15.22

S/14.52

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

6.4 mOhms

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTY8N70X2
IXYS
1: S/21.53
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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50En existencias

S/21.53

S/11.76

S/8.91

S/7.63

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 42A N-CH TRENCH

IXTA42N15T
IXYS
1: S/21.53
124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA42N15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA42N15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 42A N-CH TRENCH

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124En existencias

S/21.53

S/14.09

S/9.85

S/8.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

42 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

IXFP14N60P
IXYS
1: S/27.48
172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP14N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP14N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

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172En existencias

S/27.48

S/18.41

S/14.75

S/12.34

S/11.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V

IXTH360N055T2
IXYS
1: S/59.13
165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH360N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH360N055T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V

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165En existencias

S/59.13

S/45.04

S/37.52

S/31.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

55 V

360 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTP8N65X2
IXYS
1: S/14.99
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

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25En existencias

S/14.99

S/9.73

S/5.33

S/5.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

IXFA5N100P
IXYS
1: S/31.57
201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA5N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA5N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

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201En existencias

S/31.57

S/21.14

S/16.93

S/14.36

S/13.55

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 kV

5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

6 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 75V 0.0120 Rds

IXTP70N075T2
IXYS
1: S/16.35
49En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP70N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP70N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 75V 0.0120 Rds

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49En existencias

S/16.35

S/9.77

S/7.08

S/5.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

75 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET

IXTH64N65X
IXYS
1: S/71.51
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH64N65X

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH64N65X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET

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3En existencias

S/71.51

S/54.46

S/45.35

S/40.40

S/37.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 40V

IXTA100N04T2
IXYS
1: S/17.75
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA100N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA100N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 40V

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280En existencias

S/17.75

S/11.64

S/7.32

S/6.81

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25.5 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds

IXFH170N10P
IXYS
1: S/64.89
95En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds

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Hoja de datos

95En existencias

S/64.89

S/37.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

198 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFP20N85X
IXYS
1: S/43.95
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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238En existencias

S/43.95

S/27.79

S/23.74

S/22.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 850V 8A N-CH XCLASS

IXFQ8N85X
IXYS
1: S/33.51
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ8N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ8N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 850V 8A N-CH XCLASS

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Hoja de datos

251En existencias

S/33.51

S/23.63

S/17.01

S/16.15

S/15.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

850 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

IXTH76N25T
IXYS
1: S/35.62
191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH76N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH76N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

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191En existencias

S/35.62

S/20.82

S/17.52

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

76 A

39 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V

IXTP300N04T2
IXYS
1: S/34.84
286En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP300N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP300N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V

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Hoja de datos

286En existencias

S/34.84

S/19.03

S/17.40

S/16.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

IXFP110N15T2
IXYS
1: S/28.14
273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP110N15T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP110N15T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

273En existencias

S/28.14

S/15.06

S/13.74

S/12.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

110 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V/90A X3-Class HiPerFET

IXFP90N20X3
IXYS
1: S/38.73
269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP90N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP90N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V/90A X3-Class HiPerFET

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Hoja de datos

269En existencias

S/38.73

S/25.96

S/19.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130Amps 200V

IXTH130N20T
IXYS
1: S/47.45
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH130N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH130N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130Amps 200V

Obtenga más información

Hoja de datos

213En existencias

S/47.45

S/31.37

S/24.91

S/24.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

130 A

16 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXTK600N04T2
IXYS
1: S/124.44
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK600N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK600N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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Hoja de datos

186En existencias

S/124.44

S/99.65

S/78.12

S/77.89

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

40 V

600 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

590 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

IXTP44N10T
IXYS
1: S/12.53
817En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP44N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP44N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

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Hoja de datos

817En existencias

S/12.53

S/6.27

S/4.48

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27.4 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 4A N-CH POLAR

IXFP4N100PM
IXYS
1: S/36.20
407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP4N100PM

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP4N100PM

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 4A N-CH POLAR

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Hoja de datos

407En existencias

S/36.20

S/25.50

S/18.37

S/17.44

S/16.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.1 A

3.3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A

IXFP76N15T2
IXYS
1: S/27.33
278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP76N15T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP76N15T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A

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Hoja de datos

278En existencias

S/27.33

S/14.56

S/13.27

S/11.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

76 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

97 nC

- 55 C

+ 175 C

350 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds

IXFT16N120P
IXYS
1: S/112.03
324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT16N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

324En existencias

S/112.03

S/89.68

S/72.60

S/70.61

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET

IXFT32N100XHV
IXYS
1: S/107.24
256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT32N100XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT32N100XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET

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Hoja de datos

256En existencias

S/107.24

S/82.52

S/76.64

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W