Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 720

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS

IXFX240N25X3
IXYS
1: S/127.91
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

239En existencias

S/127.91

S/84.00

S/82.40

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

IXFX300N20X3
IXYS
1: S/127.83
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX300N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX300N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

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Hoja de datos

272En existencias

S/127.83

S/84.00

S/82.40

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

200 V

300 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX64N60P3
IXYS
1: S/50.33
267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

267En existencias

S/50.33

S/34.10

S/31.84

S/31.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX78N50P3
IXYS
1: S/54.53
172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX78N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX78N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET

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172En existencias

S/54.53

S/37.02

S/32.81

S/31.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

78 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

147 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

IXTP60N20X4
IXYS
1: S/42.86
273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP60N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP60N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

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273En existencias

S/42.86

S/24.56

S/22.69

S/20.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

X4-Class

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V

IXFA4N100P
IXYS
1: S/20.09
798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA4N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA4N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V

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Hoja de datos

798En existencias

S/20.09

S/10.28

S/9.42

S/7.86

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

4 A

3.3 Ohms

- 20 V, 20 V

6 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

IXFH34N65X2
IXYS
1: S/33.20
705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

705En existencias

S/33.20

S/20.05

S/18.22

S/16.50

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

IXFH52N50P2
IXYS
1: S/48.34
1,182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH52N50P2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH52N50P2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,182En existencias

S/48.34

S/29.19

S/24.95

S/24.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

52 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS

IXFP56N30X3
IXYS
1: S/34.10
519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP56N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP56N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

519En existencias

S/34.10

S/19.85

S/18.45

S/17.56

S/16.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

56 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFT36N50P
IXYS
1: S/43.83
1,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

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1,650En existencias

S/43.83

S/26.04

S/25.57

S/24.83

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

36 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFT50N85XHV
IXYS
1: S/58.08
278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT50N85XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT50N85XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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Hoja de datos

278En existencias

S/58.08

S/45.43

S/42.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

850 V

50 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFX150N30P3
IXYS
1: S/87.74
646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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Hoja de datos

646En existencias

S/87.74

S/56.25

S/51.77

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

IXFX80N50Q3
IXYS
1: S/126.04
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX80N50Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N50Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

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Hoja de datos

710En existencias

S/126.04

S/84.08

S/84.04

S/80.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

80 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFX80N60P3
IXYS
1: S/74.15
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX80N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX80N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

251En existencias

S/74.15

S/46.63

S/44.76

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

IXTP86N20T
IXYS
1: S/24.68
753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP86N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP86N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds

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Hoja de datos

753En existencias

S/24.68

S/13.16

S/12.53

S/11.29

S/10.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

86 A

29 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

IXFP14N60P
IXYS
1: S/22.77
262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP14N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP14N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

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Hoja de datos

262En existencias

S/22.77

S/17.79

S/10.74

S/8.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 120V 140A N-CH TRENCH

IXTP140N12T2
IXYS
1: S/27.64
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP140N12T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP140N12T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 120V 140A N-CH TRENCH

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Hoja de datos

415En existencias

S/27.64

S/20.44

S/16.50

S/14.67

S/12.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

140 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

577 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFK98N50P3
IXYS
1: S/81.00
22En existencias
300Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFK98N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK98N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

22En existencias

300Se espera el 2/07/2026

S/81.00

S/59.52

S/50.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

98 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

IXTA180N10T7
IXYS
1: S/26.70
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA180N10T7

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA180N10T7

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

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Hoja de datos

228En existencias

S/26.70

S/19.54

S/13.04

S/11.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

6.4 mOhms

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 55V 0.0042 Rds

IXTP200N055T2
IXYS
1: S/19.81
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP200N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP200N055T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 55V 0.0042 Rds

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Hoja de datos

22En existencias

S/19.81

S/11.37

S/8.84

S/7.59

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

55 V

200 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

360 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 38A N-CH X3CLASS

IXFA38N30X3
IXYS
1: S/27.91
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA38N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA38N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 38A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

40En existencias

S/27.91

S/17.59

S/14.01

S/11.83

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

300 V

38 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 42A N-CH TRENCH

IXTA42N15T
IXYS
1: S/17.17
124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA42N15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA42N15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 42A N-CH TRENCH

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Hoja de datos

124En existencias

S/17.17

S/11.25

S/7.47

S/6.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

42 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

IXFA5N100P
IXYS
1: S/22.81
231En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA5N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA5N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

Obtenga más información

Hoja de datos

231En existencias

S/22.81

S/18.26

S/12.14

S/10.12

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 kV

5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

6 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 75V 0.0120 Rds

IXTP70N075T2
IXYS
1: S/13.78
49En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP70N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP70N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 75V 0.0120 Rds

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S/13.78

S/8.17

S/5.68

S/4.90

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

75 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170A 200V

IXFK170N20T
IXYS
1: S/64.93
1En existencias

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IXFK170N20T

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747-IXFK170N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170A 200V

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S/64.93

S/50.21

S/43.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

170 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

265 nC

- 55 C

+ 175 C

1.15 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W