Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 36

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

STP18N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.75
757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M5

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511-STP18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

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757En existencias

S/14.75

S/7.75

S/7.01

S/5.76

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9.4 A

220 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

STW18N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.50
703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18N65M5

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511-STW18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

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S/16.50

S/11.02

S/8.49

S/7.51

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9.4 A

220 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

STW30N65M5
STMicroelectronics
1: S/22.58
15En existencias
600Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW30N65M5

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511-STW30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

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600Se espera el 5/03/2026

S/22.58

S/14.05

S/10.00

S/9.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

139 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STW31N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.27
600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW31N65M5

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511-STW31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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600En existencias

S/19.27

S/12.81

S/10.16

S/9.03

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.9 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STF45N65M5
STMicroelectronics
1: S/30.91
3,951Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF45N65M5

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511-STF45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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3,951Se espera el 16/03/2026

S/30.91

S/21.80

S/18.18

S/16.19

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

STW88N65M5
STMicroelectronics
1: S/64.46
2,979En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5

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511-STW88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

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2,979En pedido

S/64.46

S/49.86

S/43.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

84 A

29 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 33A MDMESH

STF42N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.94
44En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 33A MDMESH

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S/23.94

S/21.72

S/20.82

S/20.32

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

79 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS

STF34N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.63
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF34N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/23.63

S/16.50

S/13.35

S/12.03

S/9.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V

STP11N65M5
STMicroelectronics
1,000: S/3.16
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP11N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V

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S/3.16

S/2.93

S/2.78

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9 A

480 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS

STP15N65M5
STMicroelectronics
1: S/11.99
Plazo de entrega 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP15N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS

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Plazo de entrega 14 Semanas

S/11.99

S/6.11

S/5.53

S/4.48

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

340 mOhms

85 W

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5

STY112N65M5
STMicroelectronics
600: S/112.42
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STY112N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STY112N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/112.42

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

96 A

19 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

350 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.5 A
9 A
9.4 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
18 A
18.3 A
19 A
22 A
28 A
30 A
33 A
35 A
42 A
58 A
84 A
96 A
130 A

15 mOhms
17 mOhms
19 mOhms
29 mOhms
45 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
95 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
139 mOhms
148 mOhms
190 mOhms
220 mOhms
240 mOhms
279 mOhms
299 mOhms
340 mOhms