Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 36

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

STY145N65M5
STMicroelectronics
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STY145N65M5

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511-STY145N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

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650 V

138 A

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+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STP45N65M5
STMicroelectronics
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STP45N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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1 Channel

650 V

35 A

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STW42N65M5
STMicroelectronics
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STW42N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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190 W

Enhancement

MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5

STF20N65M5
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MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STW45N65M5
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STW45N65M5

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511-STW45N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

STP20N65M5
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STP20N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

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36 nC

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+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STW69N65M5
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STW69N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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Tube

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STP30N65M5
STMicroelectronics
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STP30N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

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STF12N65M5
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STF12N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

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S/11.91

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650 V

18.3 A

110 mOhms

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3 V

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190 W

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MDmesh

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STMicroelectronics
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STP18N55M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

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S/6.11

S/5.49

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550 V

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STW57N65M5
STMicroelectronics
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504En existencias

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STW57N65M5

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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S/38.07

S/26.08

S/21.14

S/19.85

S/18.96

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1 Channel

650 V

42 A

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3 V

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+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
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493En existencias

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STP38N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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S/23.24

S/11.60

S/11.02

S/9.38

S/9.03

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650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STF38N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.55
431En existencias

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STF38N65M5

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511-STF38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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431En existencias

S/23.55

S/13.43

S/11.99

S/10.28

S/10.04

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N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

STP31N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.93
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

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739En existencias

S/16.93

S/8.60

S/7.82

S/7.40

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TO-220-3

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1 Channel

650 V

22 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.49
8,345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

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8,345En existencias

S/15.49

S/10.12

S/7.43

S/6.62

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

279 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STF57N65M5
STMicroelectronics
1: S/38.93
1,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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1,996En existencias

S/38.93

S/29.51

S/24.56

S/21.91

S/19.50

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STFW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/54.46
338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW69N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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338En existencias

S/54.46

S/40.64

S/35.15

S/33.28

S/28.26

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TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

45 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

79 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STP42N65M5
STMicroelectronics
1: S/40.44
786En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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786En existencias

S/40.44

S/22.85

S/21.10

S/19.27

S/19.11

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

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+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STP57N65M5
STMicroelectronics
1: S/39.28
1,959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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S/39.28

S/21.84

S/20.16

S/19.77

S/18.10

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

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+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STW38N65M5
STMicroelectronics
1: S/30.44
1,353En existencias
600Se espera el 10/02/2026

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STW38N65M5

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511-STW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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1,353En existencias

600Se espera el 10/02/2026

S/30.44

S/17.71

S/13.00

S/12.96

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

STY139N65M5
STMicroelectronics
1: S/122.26
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY139N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STY139N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

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136En existencias

S/122.26

S/79.95

S/77.89

S/77.85

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Max247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

130 A

17 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

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+ 150 C

625 W

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS

STF11N65M5
STMicroelectronics
1: S/10.12
441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS

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441En existencias

S/10.12

S/6.54

S/4.67

S/3.89

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650 V

9 A

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- 25 V, 25 V

3 V

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+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh

STF31N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.58
229En existencias
1,000Se espera el 14/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh

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S/10.20

S/9.26

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.9 A

148 mOhms

30 W

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STP16N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.91
376En existencias

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STP16N65M5

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511-STP16N65M5

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S/14.91

S/7.59

S/6.85

S/5.61

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

299 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

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9 A
9.4 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
18 A
18.3 A
19 A
22 A
28 A
30 A
33 A
35 A
42 A
58 A
84 A
96 A
130 A

15 mOhms
17 mOhms
19 mOhms
29 mOhms
45 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
95 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
139 mOhms
148 mOhms
190 mOhms
220 mOhms
240 mOhms
279 mOhms
299 mOhms
340 mOhms