Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 36

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

STP20N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.47
969En existencias

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STP20N65M5

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511-STP20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

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969En existencias

S/16.47

S/8.49

S/7.67

S/6.31

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N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

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+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/48.58
678En existencias

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STW69N65M5

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511-STW69N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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S/48.58

S/32.31

S/31.22

S/30.75

S/27.75

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1 Channel

650 V

58 A

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- 25 V, 25 V

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STF12N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.58
1,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N65M5

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511-STF12N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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S/13.58

S/7.32

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8.5 A

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4 V

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+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

STW30N65M5
STMicroelectronics
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615En existencias

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STW30N65M5

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511-STW30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

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S/26.35

S/15.03

S/11.17

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22 A

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140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STFW69N65M5
STMicroelectronics
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338En existencias

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STFW69N65M5

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511-STFW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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S/60.06

S/39.00

S/31.92

S/31.10

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1 Channel

650 V

58 A

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143 nC

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79 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

STP18N55M5
STMicroelectronics
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STP18N55M5

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511-STP18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

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S/15.34

S/7.98

S/6.97

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S/5.25

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13 A

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3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STW57N65M5
STMicroelectronics
1: S/40.33
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STW57N65M5

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511-STW57N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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S/40.33

S/26.90

S/22.42

S/19.97

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650 V

42 A

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3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STW42N65M5
STMicroelectronics
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528En existencias

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STW42N65M5

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511-STW42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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S/43.71

S/26.70

S/24.25

S/21.41

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
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STF16N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

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S/8.45

S/7.67

S/6.31

S/5.88

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650 V

12 A

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- 25 V, 25 V

4 V

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25 W

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: S/31.37
658En existencias

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STP30N65M5

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511-STP30N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

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S/31.37

S/16.97

S/15.57

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22 A

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3 V

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140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

STP34N65M5
STMicroelectronics
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STP34N65M5

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511-STP34N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

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S/23.74

S/13.97

S/12.77

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1 Channel

650 V

18.3 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

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+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STP57N65M5
STMicroelectronics
1: S/42.04
1,837En existencias

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STP57N65M5

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511-STP57N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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S/42.04

S/23.36

S/21.56

S/20.75

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1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

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+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/24.83
448En existencias

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STP38N65M5

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511-STP38N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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S/24.83

S/13.12

S/11.99

S/10.32

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1 Channel

650 V

30 A

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- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

STP31N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.72
738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP31N65M5

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511-STP31N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

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S/18.72

S/10.12

S/8.68

S/7.47

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TO-220-3

N-Channel

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650 V

22 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

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+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

STW88N65M5
STMicroelectronics
1: S/67.18
4,278En existencias
600Se espera el 15/06/2026

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STW88N65M5

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511-STW88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

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4,278En existencias

600Se espera el 15/06/2026

S/67.18

S/41.46

S/38.19

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

84 A

29 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5

STF20N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.79
4,738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5

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4,738En existencias

S/14.79

S/7.47

S/6.66

S/5.53

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STF38N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.94
1,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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S/26.94

S/14.36

S/13.12

S/11.02

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STF45N65M5
STMicroelectronics
1: S/33.13
1,536En existencias
1,000Se espera el 10/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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1,000Se espera el 10/07/2026

S/33.13

S/17.98

S/16.54

S/15.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STF57N65M5
STMicroelectronics
1: S/41.65
1,976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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1,976En existencias

S/41.65

S/23.12

S/21.33

S/20.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STP42N65M5
STMicroelectronics
1: S/43.83
436En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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436En existencias

S/43.83

S/24.44

S/21.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STW31N65M5
STMicroelectronics
1: S/22.58
1,200En existencias
600Se espera el 18/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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1,200En existencias

600Se espera el 18/06/2026

S/22.58

S/13.78

S/11.05

S/9.26

S/7.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.9 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STW38N65M5
STMicroelectronics
1: S/29.93
1,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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Hoja de datos

1,718En existencias

S/29.93

S/18.96

S/15.92

S/15.61

Ver

Min.: 1
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1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

STY145N65M5
STMicroelectronics
1: S/133.59
282En existencias
1,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STY145N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STY145N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

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Hoja de datos

282En existencias

1,800En pedido

S/133.59

S/120.59

S/106.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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Max247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

138 A

15 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

414 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS

STF11N65M5
STMicroelectronics
1: S/11.17
982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11N65M5

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511-STF11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9 A

480 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh

STF31N65M5
STMicroelectronics
1: S/20.98
129En existencias
1,000Se espera el 17/07/2026

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STF31N65M5

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511-STF31N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.9 A

148 mOhms

30 W

MDmesh

Tube

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Soporte

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9 A
9.4 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
18 A
18.3 A
19 A
22 A
28 A
30 A
33 A
35 A
42 A
58 A
84 A
96 A
130 A

15 mOhms
17 mOhms
19 mOhms
29 mOhms
45 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
95 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
139 mOhms
148 mOhms
190 mOhms
220 mOhms
240 mOhms
279 mOhms
299 mOhms
340 mOhms