Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STF12N65M5
STMicroelectronics
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STF12N65M5

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511-STF12N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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1 Channel

650 V

8.5 A

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- 25 V, 25 V

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25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

STW30N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.35
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STW30N65M5

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511-STW30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

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S/26.35

S/15.03

S/12.53

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22 A

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STP57N65M5
STMicroelectronics
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STP57N65M5

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511-STP57N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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Enhancement

MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STW38N65M5
STMicroelectronics
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STW38N65M5

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STW42N65M5
STMicroelectronics
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STW42N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

STP18N55M5
STMicroelectronics
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STP18N55M5

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511-STP18N55M5

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MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

STP20N65M5
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

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S/8.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STW69N65M5
STMicroelectronics
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STW69N65M5

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511-STW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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S/31.22

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MDmesh

Tube

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STP31N65M5
STMicroelectronics
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728En existencias

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STP31N65M5

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511-STP31N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

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S/9.42

S/8.49

S/7.28

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650 V

22 A

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

STW88N65M5
STMicroelectronics
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4,339En existencias

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STW88N65M5

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511-STW88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

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S/67.18

S/41.46

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+ 150 C

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
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5,782En existencias

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STF16N65M5

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511-STF16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

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S/8.45

S/7.67

S/6.31

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1 Channel

650 V

12 A

279 mOhms

- 25 V, 25 V

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31 nC

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+ 150 C

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh

STF31N65M5
STMicroelectronics
1: S/20.98
63En existencias
1,000Se espera el 30/07/2026

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STF31N65M5

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511-STF31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh

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63En existencias

1,000Se espera el 30/07/2026

S/20.98

S/10.90

S/9.93

S/8.33

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1 Channel

650 V

13.9 A

148 mOhms

30 W

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STF38N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.94
1,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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S/26.94

S/14.36

S/13.12

S/11.02

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N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

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+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STF45N65M5
STMicroelectronics
1: S/33.13
1,500En existencias
2,550En pedido

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STF45N65M5

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511-STF45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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1,500En existencias

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S/33.13

S/17.98

S/16.54

S/15.34

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1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STF57N65M5
STMicroelectronics
1: S/41.65
1,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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S/41.65

S/23.12

S/21.33

S/19.35

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N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STFW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/60.96
253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW69N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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253En existencias

S/60.96

S/39.00

S/35.30

S/31.10

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N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

45 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

79 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: S/30.83
558En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

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558En existencias

S/30.83

S/16.97

S/15.57

S/14.09

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

STP34N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.27
1,205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP34N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

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1,205En existencias

S/26.27

S/13.97

S/12.77

S/11.87

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18.3 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STP42N65M5
STMicroelectronics
1: S/44.49
281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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281En existencias

S/44.49

S/29.19

S/26.12

S/22.03

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STW31N65M5
STMicroelectronics
1: S/22.58
1,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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S/22.58

S/13.78

S/11.05

S/9.26

S/7.98

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.9 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STW45N65M5
STMicroelectronics
1: S/36.43
658En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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658En existencias

S/36.43

S/21.72

S/18.37

S/15.88

S/15.34

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STW57N65M5
STMicroelectronics
1: S/40.33
446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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446En existencias

S/40.33

S/26.39

S/22.42

S/19.97

S/18.68

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TO-247-3

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1 Channel

650 V

42 A

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- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS

STF11N65M5
STMicroelectronics
1: S/11.17
881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS

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881En existencias

S/11.17

S/6.46

S/4.94

S/3.97

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9 A

480 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STP16N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.96
372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M5

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511-STP16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

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S/15.96

S/8.10

S/7.36

S/5.99

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

299 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/24.83
400En existencias

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STP38N65M5

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511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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S/24.83

S/13.12

S/11.99

S/10.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.5 A
9 A
9.4 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
18 A
18.3 A
19 A
22 A
28 A
30 A
33 A
35 A
42 A
58 A
84 A
96 A
130 A

15 mOhms
17 mOhms
19 mOhms
29 mOhms
45 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
95 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
139 mOhms
148 mOhms
190 mOhms
220 mOhms
240 mOhms
279 mOhms
299 mOhms
340 mOhms