Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

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Resultados: 34

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

IXTP1R6N100D2
IXYS
1: S/21.41
610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP1R6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP1R6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

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Hoja de datos

610En existencias

S/21.41

S/11.17

S/10.12

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.6 A

10 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

IXTP1R6N50D2
IXYS
1: S/20.71
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP1R6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP1R6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

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Hoja de datos

239En existencias

S/20.71

S/11.17

S/10.04

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

1.6 A

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23.7 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

IXTP6N100D2
IXYS
1: S/46.28
225En existencias
300Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTP6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

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Hoja de datos

225En existencias

300Se espera el 13/08/2026

S/46.28

S/26.86

S/24.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

IXTY1R6N50D2
IXYS
1: S/20.40
375En existencias
350Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTY1R6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY1R6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

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Hoja de datos

375En existencias

350Se espera el 16/11/2026

S/20.40

S/10.67

S/9.58

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

1.6 A

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23.7 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT16N50D2
IXYS
1: S/98.36
810En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTT16N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT16N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

810En pedido

S/98.36

S/73.45

S/68.74

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

199 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A

IXTT2N170D2
IXYS
1: S/142.47
300Se espera el 29/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTT2N170D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT2N170D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A

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Hoja de datos

300Se espera el 29/09/2026

S/142.47

S/100.50

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2 A

6.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

568 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 3A N-CH DEPL

IXTA3N100D2HV
IXYS
1: S/33.67
300Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 3A N-CH DEPL

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Hoja de datos

300Se espera el 26/10/2026

S/33.67

S/21.33

S/17.05

S/15.45

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263HV-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3 A

6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT16N20D2
IXYS
1: S/100.97
78Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTT16N20D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT16N20D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

78Se espera el 13/08/2026

S/100.97

S/80.85

S/69.87

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

16 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

208 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

IXTA1R6N50D2
IXYS
1: S/22.27
Plazo de entrega no en existencias 54 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 54 Semanas

S/22.27

S/11.68

S/10.59

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

1.6 A

2.3 Ohms

Tube

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

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