Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

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Resultados: 34

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

IXTA08N50D2
IXYS
1: S/9.73
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

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Hoja de datos

274En existencias

S/9.73

S/6.38

S/6.03

S/5.53

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL

IXTA1R6N100D2HV
IXYS
1: S/23.63
267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL

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Hoja de datos

267En existencias

S/23.63

S/13.35

S/12.18

S/10.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263HV-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.6 A

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTP08N50D2
IXYS
1: S/13.62
574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

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Hoja de datos

574En existencias

S/13.62

S/6.46

S/5.76

S/5.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

IXTP1R6N50D2
IXYS
1: S/18.02
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP1R6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP1R6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

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Hoja de datos

261En existencias

S/18.02

S/9.34

S/8.45

S/6.97

S/6.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

1.6 A

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23.7 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

IXTP3N50D2
IXYS
1: S/20.67
347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP3N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

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347En existencias

S/20.67

S/11.33

S/10.28

S/8.56

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

3 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

IXTY1R6N50D2
IXYS
1: S/18.02
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY1R6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY1R6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

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503En existencias

S/18.02

S/8.14

S/6.89

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

1.6 A

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23.7 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT16N20D2
IXYS
1: S/82.01
300Se espera el 11/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTT16N20D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT16N20D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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300Se espera el 11/08/2026

S/82.01

S/52.16

S/48.73

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

16 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

208 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT16N50D2
IXYS
1: S/86.53
425Se espera el 15/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTT16N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT16N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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425Se espera el 15/04/2026

S/86.53

S/64.27

S/57.84

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

199 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

IXTA1R6N50D2
IXYS
1: S/18.76
Plazo de entrega no en existencias 76 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

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Plazo de entrega no en existencias 76 Semanas

S/18.76

S/9.73

S/9.42

S/8.06

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

1.6 A

2.3 Ohms

Tube

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