Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 34

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT10N100D2
IXYS
1: S/92.21
893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT10N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT10N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

893En existencias

S/92.21

S/72.87

S/53.37

S/53.21

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTY08N50D2
IXYS
1: S/11.48
21,815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

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21,815En existencias

S/11.48

S/7.36

S/6.27

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

IXTA6N100D2
IXYS
1: S/37.99
3,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

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Hoja de datos

3,726En existencias

S/37.99

S/24.25

S/22.34

S/21.99

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

IXTA3N50D2
IXYS
1: S/24.87
3,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

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3,674En existencias

S/24.87

S/13.16

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

IXTA6N100D2HV
IXYS
1: S/69.71
691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

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691En existencias

S/69.71

S/54.14

S/45.93

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET

IXTH16N50D2
IXYS
1: S/61.89
1,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH16N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH16N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET

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1,116En existencias

S/61.89

S/48.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

199 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A

IXTT2N170D2
IXYS
1: S/119.23
115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT2N170D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT2N170D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A

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Hoja de datos

115En existencias

S/119.23

S/100.50

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2 A

6.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

568 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

IXTA1R6N100D2
IXYS
1: S/20.09
1,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

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1,771En existencias

S/20.09

S/9.50

S/8.64

S/7.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.6 A

10 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V

IXTH6N100D2
IXYS
1: S/45.74
358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V

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358En existencias

S/45.74

S/27.40

S/25.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

IXTA3N100D2
IXYS
1: S/27.95
809En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

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809En existencias

S/27.95

S/17.05

S/16.58

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

3 A

6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

IXTA6N50D2
IXYS
1: S/40.60
837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

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837En existencias

S/40.60

S/24.25

S/22.34

S/21.99

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL

IXTH10N100D2
IXYS
1: S/85.67
309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH10N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH10N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL

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Hoja de datos

309En existencias

S/85.67

S/54.92

S/53.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET

IXTH16N20D2
IXYS
1: S/99.88
545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH16N20D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH16N20D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET

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Hoja de datos

545En existencias

S/99.88

S/65.63

S/62.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

16 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

208 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA

IXTP08N100D2
IXYS
1: S/14.87
1,319En existencias
750Se espera el 2/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTP08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA

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1,319En existencias

750Se espera el 2/02/2027

S/14.87

S/7.75

S/6.97

S/6.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

IXTP6N100D2
IXYS
1: S/41.92
438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

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438En existencias

S/41.92

S/24.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

IXTP6N50D2
IXYS
1: S/48.77
427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

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427En existencias

S/48.77

S/35.27

S/29.35

S/26.16

S/24.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT16N50D2
IXYS
1: S/91.40
116En existencias
450Se espera el 11/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTT16N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT16N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

116En existencias

450Se espera el 11/05/2027

S/91.40

S/77.07

S/61.58

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

199 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8mAmps 1000V

IXTY08N100D2
IXYS
1: S/19.31
5,519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8mAmps 1000V

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Hoja de datos

5,519En existencias

S/19.31

S/10.16

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

IXTA08N100D2
IXYS
1: S/19.35
26En existencias
1,200Se espera el 7/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

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Hoja de datos

26En existencias

1,200Se espera el 7/12/2026

S/19.35

S/12.69

S/9.42

S/7.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT

IXTA08N100D2HV
IXYS
1: S/27.13
31En existencias
400Se espera el 2/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT

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Hoja de datos

31En existencias

400Se espera el 2/02/2027

S/27.13

S/17.79

S/13.08

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263HV-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

800 mA

21 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

IXTA08N50D2
IXYS
1: S/16.35
576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

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Hoja de datos

576En existencias

S/16.35

S/8.41

S/7.59

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL

IXTA1R6N100D2HV
IXYS
1: S/26.82
259En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA1R6N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1R6N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL

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Hoja de datos

259En existencias

S/26.82

S/14.29

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263HV-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.6 A

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET

IXTH2N170D2
IXYS
1: S/116.81
11En existencias
300Se espera el 6/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTH2N170D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH2N170D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET

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Hoja de datos

11En existencias

300Se espera el 6/07/2026

S/116.81

S/93.54

S/80.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2 A

6.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

568 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

IXTH6N50D2
IXYS
1: S/47.14
175En existencias
300Se espera el 1/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

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Hoja de datos

175En existencias

300Se espera el 1/02/2027

S/47.14

S/29.15

S/25.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTP08N50D2
IXYS
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IXTP08N50D2

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747-IXTP08N50D2

IXYS

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520En existencias

S/14.48

S/6.62

S/6.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

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