Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V_IN / 1V to 3V_OUT DC-DC synchronous buck converter applications.

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A

IRF7306TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.45
2,473En existencias
4,000Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7306TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7306TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A

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Hoja de datos

2,473En existencias

4,000Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

S/5.45

S/3.43

S/2.27

S/1.77

Ver

Envase tipo carrete

S/1.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.34
4,158En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,158En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/7.98

S/5.49

S/4.59

Ver

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IRF8714TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
191En existencias
32,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRF8714TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF8714TRPBFXTMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

Hoja de datos

191En existencias

32,000En pedido

Cinta cortada

S/6.27

S/3.93

S/2.57

S/2.02

Ver

Envase tipo carrete

S/1.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

8.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

8.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A

IRF9952TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.09
15,987En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF9952TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A

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Hoja de datos

15,987En pedido

Cinta cortada

S/4.09

S/2.54

S/1.66

S/1.28

Ver

Envase tipo carrete

S/0.833

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

3.5 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

14 nC, 12 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

IPD090N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.10
Plazo de entrega 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPD090N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

Hoja de datos

Plazo de entrega 8 Semanas

Cinta cortada

S/5.10

S/3.05

S/2.06

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
5,000: S/2.17
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.17

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

30V HEXFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.2 A
1.5 A
2.7 A
3 A
3.5 A
3.5 A, 4.7 A
3.6 A
4.6 A
4.7 A
4.9 A
5.1 A
5.3 A
5.3 A, 7.3 A
6.5 A
8.1 A, 8.4 A
9.1 A, 11 A
10 A
14 A
18 A
20 A

1.95 mOhms
2.6 mOhms
3.04 mOhms
3.2 mOhms
3.7 mOhms
4.5 mOhms
5.1 mOhms
5.3 mOhms
6.8 mOhms
7.5 mOhms
8.7 mOhms
14 mOhms
17.1 mOhms, 11.5 mOhms
22 mOhms, 28 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
46 mOhms
50 mOhms
65 mOhms, 65 mOhms

1 nC
2.3 nC
2.6 nC
3.3 nC
6.7 nC, 14 nC
8.1 nC
8.9 nC, 7.2 nC
12 nC
14 nC, 12 nC
15 nC
16.7 nC
17 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC
29 nC
30 nC