Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V_IN / 1V to 3V_OUT DC-DC synchronous buck converter applications.

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7341GTRPBF
Infineon Technologies
1: S/10.59
23,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7341GTRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7341GTRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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23,947En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.11

S/4.44

S/3.74

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Envase tipo carrete

S/3.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

55 V

5.1 A

65 mOhms, 65 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

2.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/10.59
15,982En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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15,982En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.77

S/4.63

S/3.84

S/3.56

Envase tipo carrete

S/3.33

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7303TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/5.76
13,954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7303TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7303TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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13,954En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.63

S/2.41

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.35

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

5.3 A

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25 nC

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2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IRF8714TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/3.62
8,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF8714TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF8714TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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8,375En existencias

Cinta cortada

S/3.62

S/2.24

S/1.46

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.786

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

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- 20 V, 20 V

2.35 V

8.1 nC

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+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7313TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
8,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7313TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7313TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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8,539En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.09

S/2.03

S/1.58

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Envase tipo carrete

S/1.13

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.5 A

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- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7341TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
3,747En existencias
12,000Se espera el 19/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7341TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7341TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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3,747En existencias

12,000Se espera el 19/11/2026

Cinta cortada

S/5.33

S/3.19

S/2.21

S/1.72

Ver

Envase tipo carrete

S/1.26

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

55 V

4.7 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

IPD090N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
6,106En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD090N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

Hoja de datos

6,106En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.52

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A

IRF7316TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.46
12,654En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7316TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7316TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A

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12,654En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.72

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.66

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

4.9 A

76 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg

IRF8788TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.96
12,906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF8788TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF8788TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg

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Hoja de datos

12,906En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.73

S/2.64

S/2.15

Ver

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

3.04 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

IRLB3813PBF
Infineon Technologies
1: S/9.65
2,413En existencias
4,000Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLB3813PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3813PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

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Hoja de datos

2,413En existencias

4,000Se espera el 23/07/2026

S/9.65

S/4.87

S/4.36

S/3.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

260 A

1.95 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7103TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/4.67
4,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7103TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7103TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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4,623En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.92

S/1.92

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

50 V

3 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC

IRF7205TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.90
20,028En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7205TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7205TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC

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20,028En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.07

S/2.02

S/1.57

Ver

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

4.6 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A

IRF7306TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.96
4,063En existencias
4,000Se espera el 6/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRF7306TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7306TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A

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Hoja de datos

4,063En existencias

4,000Se espera el 6/05/2027

Cinta cortada

S/5.96

S/3.71

S/2.49

S/1.95

Ver

Envase tipo carrete

S/1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A

IRF7309TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.33
6,768En existencias
16,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF7309TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7309TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A

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6,768En existencias

16,000En pedido

Cinta cortada

S/5.33

S/3.33

S/2.21

S/1.72

Ver

Envase tipo carrete

S/1.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

3.5 A, 4.7 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A

IRF7319TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.97
10,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7319TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7319TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A

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Hoja de datos

10,855En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.48

S/3.10

S/2.46

Ver

Envase tipo carrete

S/1.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

6.5 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A

IRF7389TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.96
5,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7389TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7389TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A

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Hoja de datos

5,648En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.77

S/2.50

S/1.96

Ver

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

5.3 A, 7.3 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC

IRF7416TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.27
7,556En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF7416TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7416TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC

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Hoja de datos

7,556En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/6.27

S/3.86

S/2.65

S/2.07

Ver

Envase tipo carrete

S/1.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC

IRF7832TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.58
17,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7832TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7832TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC

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Hoja de datos

17,482En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.24

S/2.85

S/2.24

Ver

Envase tipo carrete

S/1.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.32 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A

IRF7907TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.07
11,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7907TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A

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Hoja de datos

11,181En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/3.83

S/2.55

S/2.00

Ver

Envase tipo carrete

S/1.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

9.1 A, 11 A

17.1 mOhms, 11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

6.7 nC, 14 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg

IRF8734TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.72
4,146En existencias
4,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF8734TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF8734TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

4,146En existencias

4,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/5.72

S/3.53

S/2.38

S/1.87

Ver

Envase tipo carrete

S/1.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg

IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.32
38,741En existencias
52,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF8736TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF8736TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

38,741En existencias

52,000En pedido

Cinta cortada

S/4.32

S/2.50

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/0.942

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A

IRF9952TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.94
14,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF9952TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A

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14,798En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.09

S/2.04

S/1.58

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Envase tipo carrete

S/1.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

3.5 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

14 nC, 12 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.10
133,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

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133,886En existencias

Cinta cortada

S/2.10

S/1.29

S/0.821

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.463

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.3 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.71
900En existencias
27,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS315PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS315PH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

Hoja de datos

900En existencias

27,000En pedido

Cinta cortada

S/1.71

S/1.05

S/0.67

S/0.498

Envase tipo carrete

S/0.37

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V

ISA220280C03LMDSXTMA1
Infineon Technologies
1: S/3.78
418En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISA220280C03LMDSXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISA220280C03LMDS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V

Hoja de datos

418En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/2.34

S/1.52

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.806

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

DSO-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

8.1 A, 8.4 A

22 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

8.9 nC, 7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

30V HEXFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.2 A
1.5 A
2.7 A
3 A
3.5 A
3.5 A, 4.7 A
3.6 A
4.6 A
4.7 A
4.9 A
5.1 A
5.3 A
5.3 A, 7.3 A
6.5 A
8.1 A, 8.4 A
9.1 A, 11 A
10 A
14 A
18 A
20 A

1.95 mOhms
2.6 mOhms
3.04 mOhms
3.2 mOhms
3.7 mOhms
4.5 mOhms
5.1 mOhms
5.3 mOhms
6.8 mOhms
7.5 mOhms
8.7 mOhms
14 mOhms
17.1 mOhms, 11.5 mOhms
22 mOhms, 28 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
46 mOhms
50 mOhms
65 mOhms, 65 mOhms

1 nC
2.3 nC
2.6 nC
3.3 nC
6.7 nC, 14 nC
8.1 nC
8.9 nC, 7.2 nC
12 nC
14 nC, 12 nC
15 nC
16.7 nC
17 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC
29 nC
30 nC