Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V_IN / 1V to 3V_OUT DC-DC synchronous buck converter applications.

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Resultados: 34

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg

IRLB8743PBF
Infineon Technologies
1: S/2.92
7,769En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRLB8743PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB8743PBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg

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Hoja de datos

7,769En existencias

S/2.92

S/2.88

S/2.44

S/2.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

78 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7303TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
7,071En existencias
8,000Se espera el 19/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7303TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7303TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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Hoja de datos

7,071En existencias

8,000Se espera el 19/03/2026

Cinta cortada

S/5.37

S/3.34

S/2.22

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

5.3 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7313TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
9,763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7313TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7313TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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9,763En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.85

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.5 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7341GTRPBF
Infineon Technologies
1: S/10.00
21,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7341GTRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7341GTRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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21,597En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.31

S/4.44

S/3.55

Ver

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

55 V

5.1 A

65 mOhms, 65 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

2.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1: S/1.87
163,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

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163,992En existencias

Cinta cortada

S/1.87

S/1.09

S/0.724

S/0.576

Envase tipo carrete

S/0.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.3 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7341TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/4.98
1,859En existencias
8,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7341TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7341TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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Hoja de datos

1,859En existencias

8,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/4.98

S/3.13

S/2.07

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

55 V

4.7 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IRF8714TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/3.46
4,241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF8714TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF8714TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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Hoja de datos

4,241En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.15

S/1.40

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

8.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

8.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

IPD090N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.18
7,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD090N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

Hoja de datos

7,652En existencias

Cinta cortada

S/2.18

S/2.17

S/1.62

S/1.29

Envase tipo carrete

S/0.958

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A

IRF7316TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.76
6,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7316TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7316TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A

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Hoja de datos

6,920En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.63

S/2.48

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

4.9 A

76 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg

IRF8788TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.72
13,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF8788TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF8788TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg

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Hoja de datos

13,412En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/2.23

S/1.90

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

3.04 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

IRLB3813PBF
Infineon Technologies
1: S/7.08
3,209En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLB3813PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3813PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

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Hoja de datos

3,209En existencias

S/7.08

S/4.20

S/3.89

S/3.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

260 A

1.95 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7103TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
1: S/4.32
3,760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7103TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF7103TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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Hoja de datos

3,760En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/2.70

S/1.76

S/1.37

Envase tipo carrete

S/0.969

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

50 V

3 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg

IRLB8748PBF
Infineon Technologies
1: S/5.45
3,778En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRLB8748PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB8748PBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg

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Hoja de datos

3,778En existencias

S/5.45

S/2.57

S/2.29

S/1.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

92 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD031N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.43
Plazo de entrega 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPD031N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega 15 Semanas

Cinta cortada

S/3.43

S/2.67

S/2.27

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.75

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC

IRF7205TRPBF
Infineon Technologies
1: S/2.45
6,777En existencias
8,000Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7205TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7205TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC

Obtenga más información

Hoja de datos

6,777En existencias

8,000Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/2.45

S/2.39

S/1.88

S/1.47

Envase tipo carrete

S/1.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

4.6 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A

IRF7306TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.57
6,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7306TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7306TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A

Obtenga más información

Hoja de datos

6,821En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.23

S/2.33

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A

IRF7309TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.71
9,593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7309TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7309TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A

Obtenga más información

Hoja de datos

9,593En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.98

S/2.07

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.7 A, 3.5 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A

IRF7319TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.62
15,153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7319TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7319TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

15,153En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.13

S/2.81

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

6.5 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A

IRF7389TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.57
9,208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7389TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7389TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A

Obtenga más información

Hoja de datos

9,208En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.52

S/2.34

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7.3 A, 5.3 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC

IRF7416TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.29
16,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7416TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7416TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC

Obtenga más información

Hoja de datos

16,134En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/3.23

S/2.31

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC

IRF7832TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.62
19,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7832TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7832TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC

Obtenga más información

Hoja de datos

19,426En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.13

S/2.75

S/2.17

Ver

Envase tipo carrete

S/1.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.32 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A

IRF7907TRPBF
Infineon Technologies
1: S/5.68
14,933En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7907TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A

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14,933En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/3.53

S/2.38

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.41

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

9.1 A, 11 A

17.1 mOhms, 11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

6.7 nC, 14 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg

IRF8734TRPBF
Infineon Technologies
1: S/3.93
6,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF8734TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF8734TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg

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6,548En existencias

Cinta cortada

S/3.93

S/2.74

S/1.73

S/1.72

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Envase tipo carrete

S/1.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg

IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.13
31,650En existencias
500Se espera el 26/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF8736TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF8736TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg

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31,650En existencias

500Se espera el 26/03/2026

Cinta cortada

S/4.13

S/2.57

S/1.68

S/1.30

Envase tipo carrete

S/0.95

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A

IRF9952TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.59
8,166En existencias
8,000Se espera el 9/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF9952TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A

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8,166En existencias

8,000Se espera el 9/04/2026

Cinta cortada

S/4.59

S/2.82

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.12

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

3.5 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

14 nC, 12 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

30V HEXFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.2 A
1.5 A
2.7 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.6 A
4.6 A
4.7 A
4.7 A, 3.5 A
4.9 A
5.1 A
5.3 A
6.5 A
7.3 A, 5.3 A
8.1 A, 8.4 A
9.1 A, 11 A
10 A
14 A
18 A

1.95 mOhms
2.6 mOhms
3.04 mOhms
3.2 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5.1 mOhms
5.3 mOhms
6.8 mOhms
7.5 mOhms
8.7 mOhms
14 mOhms
17.1 mOhms, 11.5 mOhms
22 mOhms, 28 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
46 mOhms
50 mOhms

1 nC
2.3 nC
2.6 nC
3.3 nC
6.4 nC
6.7 nC, 14 nC
8.1 nC
8.9 nC, 7.2 nC
12 nC
14 nC, 12 nC
15 nC
16.7 nC
17 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC
29 nC