Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A TO220-3
SPP21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/16.54
399 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-SPP21N50C3XKSA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A TO220-3
399 En existencias
1
S/16.54
25
S/8.49
100
S/7.71
500
S/6.11
1,000
S/5.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
21 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3
+1 imagen
SPW24N60C3
Infineon Technologies
1:
S/23.67
111 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-SPW24N60C3
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3
111 En existencias
1
S/23.67
25
S/13.51
100
S/11.25
240
S/10.35
2,640
S/10.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
24.3 A
160 mOhms
- 20 V, 20 V
3.9 V
104.9 nC
- 55 C
+ 150 C
240 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
SPA07N60C3
Infineon Technologies
1:
S/10.98
135 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-SPA07N60C3
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
135 En existencias
1
S/10.98
25
S/5.45
100
S/4.90
250
S/4.52
500
Ver
500
S/3.57
1,000
S/3.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
7.3 A
600 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
+1 imagen
SPW20N60C3
Infineon Technologies
1:
S/19.19
27 En existencias
1,200 Se espera el 5/03/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-SPW20N60C3
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
27 En existencias
1,200 Se espera el 5/03/2026
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20.7 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
87 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3
SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/16.19
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
N.º de artículo de Mouser 726-SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
1
S/16.19
25
S/7.86
100
S/7.20
500
S/6.07
1,000
S/5.76
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
500 V
21 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
SPA11N65C3
Infineon Technologies
1:
S/11.68
Plazo de entrega 11 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-SPA11N65C3
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Plazo de entrega 11 Semanas
1
S/11.68
25
S/5.84
100
S/5.25
500
S/4.20
1,000
S/3.72
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
380 mOhms
- 20 V, 20 V
3.9 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Perú