Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
1: S/12.96
1,452En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPB21N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB21N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

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1,452En existencias

Cinta cortada

S/12.96

S/9.50

S/7.67

S/7.32

Envase tipo carrete

S/5.99

S/5.92

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
1,900En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

1,900En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.62

S/4.71

S/3.97

Ver

Envase tipo carrete

S/3.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

680 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.19
2,956En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD04N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

2,956En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.05

S/3.22

Envase tipo carrete

S/2.67

Ver

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
3,804En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD07N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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3,804En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.40

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.68

S/3.55

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.65
2,125En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD03N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

2,125En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/2.64

S/2.27

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.2 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

3.9 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.57
435En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N65C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N65C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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Hoja de datos

435En existencias

S/18.57

S/9.65

S/8.80

S/7.24

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20.7 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

SPW16N50C3
Infineon Technologies
1: S/16.78
397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW16N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW16N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

397En existencias

S/16.78

S/15.57

S/9.50

S/7.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA15N60C3
Infineon Technologies
1: S/16.19
583En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA15N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA15N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

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583En existencias

S/16.19

S/8.33

S/6.42

S/5.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.20
3,468En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD08N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD08N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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3,468En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/4.01

S/3.37

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.77

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N65C3
Infineon Technologies
1: S/61.31
274En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

274En existencias

S/61.31

S/58.39

S/53.17

S/49.36

S/26.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

255 nC

- 55 C

+ 150 C

415 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB20N60C3
Infineon Technologies
1: S/16.39
2,540En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Hoja de datos

2,540En existencias

Cinta cortada

S/16.39

S/10.78

S/7.63

S/6.93

Envase tipo carrete

S/6.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.92
261En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD04N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

261En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/4.05

S/3.30

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

4.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.88
868En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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Hoja de datos

868En existencias

S/12.88

S/7.16

S/6.54

S/5.64

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.55
34En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW35N60C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

34En existencias

S/36.55

S/19.93

S/18.53

S/18.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34.6 A

81 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N60C3
Infineon Technologies
1: S/46.75
1,321En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

1,321En existencias

S/46.75

S/28.18

S/24.09

S/23.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

252 nC

- 55 C

+ 150 C

415 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

SPW32N50C3
Infineon Technologies
1: S/33.63
1,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW32N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

1,432En existencias

S/33.63

S/19.73

S/16.66

S/15.38

S/15.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

32 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

284 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: S/16.11
531En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Comentarios de Producto

531En existencias

Cinta cortada

S/16.11

S/9.38

S/8.84

S/7.01

Ver

Envase tipo carrete

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A TO220-3

SPP15N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.32
306En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPP15N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP15N60C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A TO220-3

Hoja de datos

306En existencias

S/17.32

S/8.99

S/8.41

S/8.37

S/7.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N60C3
Infineon Technologies
1: S/13.86
489En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

489En existencias

S/13.86

S/13.47

S/7.05

S/6.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA20N60C3
Infineon Technologies
1: S/14.83
226En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

226En existencias

S/14.83

S/10.86

S/7.67

S/6.31

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

34.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.72
6En existencias
2,500Se espera el 11/06/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD03N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

6En existencias

2,500Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/2.72

S/2.71

S/2.53

S/2.34

Envase tipo carrete

S/2.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.2 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

3.9 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
249En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP07N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP07N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

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S/10.35

S/5.72

S/5.33

S/4.20

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.85
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

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S/12.85

S/5.45

S/5.29

S/4.71

S/4.20

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.98
240En existencias
NRND

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SPP24N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP24N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

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S/17.98

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24.3 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

104.9 nC

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+ 150 C

240 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3
Infineon Technologies
1: S/37.91
188En existencias
NRND

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SPW35N60C3

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726-SPW35N60C3

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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S/37.91

S/28.77

S/23.98

S/21.33

S/19.00

Min.: 1
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TO-247-3

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1 Channel

600 V

34.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

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