Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
1: S/13.04
1,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPB21N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB21N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Hoja de datos

1,432En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/9.77

S/7.98

S/7.32

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1 Channel

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21 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.39
2,538En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPD08N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD08N50C3ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

2,538En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/6.70

S/4.59

S/3.67

S/3.41

Envase tipo carrete

S/3.17

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

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- 20 V, 20 V

3.9 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N65C3
Infineon Technologies
1: S/57.06
274En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

274En existencias

S/57.06

S/44.06

S/30.56

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

415 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.19
2,836En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPD04N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N60C3ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

2,836En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.05

S/3.22

S/3.17

Envase tipo carrete

S/2.94

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1 Channel

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50 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
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420En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N65C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N65C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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Hoja de datos

420En existencias

S/20.51

S/10.67

S/9.69

S/7.98

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20.7 A

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- 20 V, 20 V

3.9 V

87 nC

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208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.43
240En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW35N60C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

240En existencias

S/39.43

S/22.73

S/21.49

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34.6 A

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2.1 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3
Infineon Technologies
1: S/37.91
188En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW35N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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188En existencias

S/37.91

S/28.77

S/23.98

S/21.33

Ver

Min.: 1
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34.6 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

150 nC

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+ 150 C

313 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
2,025En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPD03N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N60C3ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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2,025En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.55

S/2.71

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

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1 Channel

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3.2 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

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13 nC

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+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA15N60C3
Infineon Technologies
1: S/16.70
569En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA15N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA15N60C3

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

569En existencias

S/16.70

S/8.56

S/7.63

S/6.89

S/6.81

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N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA20N60C3
Infineon Technologies
1: S/17.91
616En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

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616En existencias

S/17.91

S/11.21

S/8.49

S/7.79

S/6.77

Min.: 1
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TO-220FP-3

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1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

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+ 150 C

34.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB20N60C3
Infineon Technologies
1: S/17.52
1,596En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

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1,596En existencias

Cinta cortada

S/17.52

S/11.56

S/8.14

S/6.93

Envase tipo carrete

S/6.19

S/5.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

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+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

SPW20N60C3
Infineon Technologies
1: S/19.46
1,557En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

1,557En existencias

S/19.46

S/10.94

S/8.60

S/8.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N60C3
Infineon Technologies
1: S/46.75
1,660En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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1,660En existencias

S/46.75

S/28.18

S/27.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

252 nC

- 55 C

+ 150 C

415 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

SPW32N50C3
Infineon Technologies
1: S/36.47
1,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW32N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

1,175En existencias

S/36.47

S/21.76

S/18.37

S/18.33

S/17.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

32 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

284 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
225En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPP07N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP07N60C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

Hoja de datos

225En existencias

S/12.77

S/6.42

S/5.80

S/4.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.17
555En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N60C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

Hoja de datos

555En existencias

S/14.17

S/7.12

S/6.46

S/5.22

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: S/17.13
395En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Comentarios de Producto

395En existencias

Cinta cortada

S/17.13

S/10.16

S/7.90

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.17
597En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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Hoja de datos

597En existencias

S/17.17

S/8.99

S/8.14

S/6.66

S/6.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

SPW16N50C3
Infineon Technologies
1: S/17.09
372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW16N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW16N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

372En existencias

S/17.09

S/9.50

S/9.38

S/7.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N60C3
Infineon Technologies
1: S/14.05
436En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N60C3

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

436En existencias

S/14.05

S/7.12

S/6.42

S/5.64

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.79
211En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPP24N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP24N60C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

Hoja de datos

211En existencias

S/20.79

S/13.47

S/12.26

S/12.22

S/12.11

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24.3 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

104.9 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA07N60C3
Infineon Technologies
1: S/11.33
92En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA07N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA07N60C3

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

92En existencias

S/11.33

S/5.64

S/5.06

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.64
917En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPD07N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

917En existencias

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.22

S/4.40

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N65C3
Infineon Technologies
1: S/12.88
Plazo de entrega 11 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 11 Semanas

S/12.88

S/6.42

S/5.80

S/4.55

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.19
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPI21N50C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPI21N50C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/16.19

S/8.33

S/7.55

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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