Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.

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Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IRF100P219AKMA1
Infineon Technologies
1: S/24.17
5,132En existencias
400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF100P219AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF100P219AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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5,132En existencias

400En pedido

S/24.17

S/15.03

S/12.34

S/10.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

203 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.71
782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF012N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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782En existencias

Cinta cortada

S/27.71

S/18.14

S/13.35

S/11.87

Envase tipo carrete

S/10.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

282 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: S/6.23
56,743En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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56,743En existencias

S/6.23

S/3.64

S/2.66

S/2.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

95 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8

BSC0925ND
Infineon Technologies
1: S/7.98
6,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0925ND

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0925ND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8

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6,835En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/4.98

S/3.30

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

4.2 mOhms, 4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.67
17,401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD122N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD122N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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17,401En existencias

Cinta cortada

S/7.67

S/4.63

S/3.55

S/2.93

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

59 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
1: S/6.03
4,185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8318TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

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Hoja de datos

4,185En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/2.88

S/2.05

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFI4212H-117PXKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
1,188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFI4212H-117PXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFI4212H117PXKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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S/7.98

S/6.03

S/4.79

S/3.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

2 Channel

100 V

11 A

72.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4368PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/35.38
1,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4368PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4368PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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S/35.38

S/22.54

S/17.91

S/15.76

S/14.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

75 V

195 A

1.85 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

380 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4110PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/20.05
1,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4110PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4110PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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1,753En existencias

S/20.05

S/11.87

S/8.72

S/7.36

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

370 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IRF150P220AKMA1
Infineon Technologies
1: S/42.35
2,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF150P220AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF150P220AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

2,440En existencias

S/42.35

S/26.74

S/23.32

S/22.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

150 V

203 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4568PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/31.61
789En existencias
1,850Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4568PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4568PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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789En existencias

1,850Se espera el 17/07/2026

S/31.61

S/21.18

S/17.01

S/15.10

S/13.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

150 V

171 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

151 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)

AUIRFP4568
Infineon Technologies
1: S/75.98
1,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AUIRFP4568

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRFP4568

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)

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1,098En existencias

S/75.98

S/57.88

S/48.23

S/42.97

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

171 A

4.8 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC

IRFP3710PBF
Infineon Technologies
1: S/17.32
1,892En existencias
11,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFP3710PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP3710PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC

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Hoja de datos

1,892En existencias

11,600En pedido

S/17.32

S/11.37

S/8.49

S/7.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

51 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

66.7 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg

IRFR1018ETRPBF
Infineon Technologies
1: S/7.98
10,189En existencias
6,000Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFR1018ETRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFR1018ETRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg

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Hoja de datos

10,189En existencias

6,000Se espera el 17/07/2026

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/3.60

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

79 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC

IRFS7430TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/23.20
5,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7430TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7430TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC

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Hoja de datos

5,402En existencias

Cinta cortada

S/23.20

S/15.22

S/11.21

S/9.96

Envase tipo carrete

S/8.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

522 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

305 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262

IRFSL7437PBF
Infineon Technologies
1: S/15.84
1,348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFSL7437PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFSL7437PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262

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Hoja de datos

1,348En existencias

S/15.84

S/10.39

S/7.75

S/6.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

40 V

250 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

225 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/16.74
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

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Hoja de datos

860En existencias

Cinta cortada

S/16.74

S/12.18

S/8.56

S/6.85

Envase tipo carrete

S/6.34

S/5.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/19.19
4,542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

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Hoja de datos

4,542En existencias

Cinta cortada

S/19.19

S/12.57

S/9.38

S/7.86

Envase tipo carrete

S/7.28

S/6.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2.4 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/12.42
401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4310ZPBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4310ZPBFXKMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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Hoja de datos

401En existencias

S/12.42

S/8.99

S/6.34

S/5.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/31.61
3,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4468PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4468PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,916En existencias

S/31.61

S/21.18

S/17.01

S/15.10

S/13.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

290 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

360 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC028N04NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.63
451En existencias
5,000Se espera el 24/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC028N04NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC028N04NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

451En existencias

5,000Se espera el 24/07/2026

Cinta cortada

S/7.63

S/4.75

S/3.16

S/2.48

Ver

Envase tipo carrete

S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W

IRFB7440PBF
Infineon Technologies
1: S/9.50
606En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7440PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7440PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W

Obtenga más información

Hoja de datos

606En existencias

1,000En pedido

S/9.50

S/6.11

S/4.16

S/3.52

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.77
55,900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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55,900En pedido

Cinta cortada

S/9.77

S/6.19

S/4.16

S/3.39

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Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IRF150P221AKMA1
Infineon Technologies
1: S/34.37
1,963En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF150P221AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF150P221AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1,963En pedido

S/34.37

S/24.21

S/19.58

S/17.36

S/15.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

186 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IRF100P218AKMA1
Infineon Technologies
1: S/41.42
Plazo de entrega 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IRF100P218AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF100P218AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Plazo de entrega 18 Semanas

S/41.42

S/28.30

S/23.36

S/20.79

S/19.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

209 A

1.28 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

Tube

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
40 A
51 A
59 A
79 A
95 A
120 A
121 A
171 A
180 A
186 A
195 A
203 A
209 A
230 A
250 A
270 A
282 A
290 A
300 A

1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.28 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.85 mOhms
1.9 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
4.2 mOhms, 4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
7.1 mOhms

12 nC
17 nC
26 nC
29 nC
41 nC
66.7 nC
69 nC
72 nC
75 nC
80 nC
120 nC
135 nC
140 nC
150 nC
151 nC
155 nC
160 nC
168 nC
200 nC
225 nC

3.6 W
18 W
30 W
75 W
94 W
96 W
110 W
125 W
143 W
180 W
230 W
250 W
280 W
341 W
370 W
375 W
380 W
517 W
520 W
556 W