Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

DMN53D0LQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.63
43,895En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

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Hoja de datos

43,895En pedido

Cinta cortada

S/1.63

S/1.13

S/0.712

S/0.452

S/0.393

Envase tipo carrete

S/0.393

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,570

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW

DMN61D8LQ-7
Diodes Incorporated
1: S/3.62
38,974En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN61D8LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW

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Hoja de datos

38,974En pedido

Cinta cortada

S/3.62

S/2.29

S/1.51

S/1.17

S/1.04

Envase tipo carrete

S/1.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,230

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

470 mA

1.8 Ohms

- 5 V, 5 V

1.3 V

740 pC

- 55 C

+ 150 C

610 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode

DMP4025SFGQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.83
5,975Se espera el 19/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMP4025SFGQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4025SFGQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode

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Hoja de datos

5,975Se espera el 19/02/2027

Cinta cortada

S/4.83

S/3.02

S/2.00

S/1.61

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

P-Channel

1 Channel

40 V

7.2 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

33.7 nC

- 55 C

+ 150 C

810 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode

DMP4025SFGQ-7
Diodes Incorporated
1: S/5.10
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMP4025SFGQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4025SFGQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode

Hoja de datos

12,000En pedido

Cinta cortada

S/5.10

S/3.17

S/2.08

S/1.63

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

P-Channel

1 Channel

40 V

7.2 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

33.7 nC

- 55 C

+ 150 C

810 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

DMPH6050SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/5.57
4,868Se espera el 21/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMPH6050SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMPH6050SK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

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Hoja de datos

4,868Se espera el 21/07/2026

Cinta cortada

S/5.57

S/3.51

S/2.48

S/2.02

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

23.6 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A

DMN6040SSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
4,926En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN6040SSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6040SSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A

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Hoja de datos

4,926En pedido

Cinta cortada

S/4.01

S/2.49

S/1.62

S/1.25

S/1.13

Envase tipo carrete

S/0.872

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

5 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

115 mA
130 mA
170 mA
200 mA
220 mA
230 mA
310 mA
470 mA
500 mA
630 mA
640 mA, 870 mA
820 mA
1.5 A
2.3 A
2.8 A, 3.4 A
3.8 A
3.9 A, 5.1 A
4.2 A
5 A
5.8 A

12 mOhms
14 mOhms
15 mOhms
17 mOhms, 37 mOhms
21 mOhms
25 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
52 mOhms
56 mOhms
60 mOhms
70 mOhms
90 mOhms
100 mOhms, 140 mOhms
134 mOhms
300 mOhms
400 mOhms
400 mOhms, 700 mOhms
1.1 Ohms
1.5 Ohms

280 pC
600 pC
622.4 pC
736.6 pC
736.6 pC, 622.4 pC
740 pC
870 pC
8 nC
8.2 nC
8.5 nC
9 nC, 7 nC
10.2 nC
17 nC
17.1 nC
17.5 nC
22.4 nC
23.1 nC, 20.8 nC
25 nC
33.7 nC
37.56 nC, 33.66 nC

150 mW
200 mW
250 mW
280 mW
300 mW
310 mW
400 mW
530 mW
540 mW
610 mW
810 mW
1.08 W
1.09 W
1.27 W
1.3 W
1.36 W
1.4 W
1.7 W
1.82 W
1.9 W