Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
DMP2240UWQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/3.04
18,862 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP2240UWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
18,862 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.69
100
S/1.15
500
S/0.903
1,000
S/0.786
3,000
S/0.615
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
P-Channel
1 Channel
20 V
1.5 A
134 mOhms
- 12 V, 12 V
1 V
- 55 C
+ 150 C
250 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A
+2 imágenes
DMP4015SSSQ-13
Diodes Incorporated
1:
S/7.59
3,998 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP4015SSSQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A
3,998 En existencias
1
S/7.59
10
S/4.87
100
S/3.27
2,500
S/3.27
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Min.: 1
Mult.: 1
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Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
40 V
10.1 A
15 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V
47.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.82 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
DMP6180SK3Q-13
Diodes Incorporated
1:
S/4.71
92,344 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP6180SK3Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
92,344 En existencias
1
S/4.71
10
S/2.94
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S/1.36
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S/1.36
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Min.: 1
Mult.: 1
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Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
14 A
60 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
17.1 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
+2 imágenes
BSS138DWQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.80
17,869 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-BSS138DWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
17,869 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.80
10
S/1.74
100
S/1.11
500
S/0.79
3,000
S/0.79
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Min.: 1
Mult.: 1
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Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
200 mA
3.5 Ohms
- 20 V, 20 V
500 mV
- 50 C
+ 150 C
200 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
+2 imágenes
DMC4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
1:
S/5.76
4,165 En existencias
5,000 Se espera el 12/02/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMC4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
4,165 En existencias
5,000 Se espera el 12/02/2027
1
S/5.76
10
S/3.63
100
S/2.41
500
S/2.18
2,500
S/1.69
5,000
Ver
1,000
S/1.86
5,000
S/1.49
10,000
S/1.40
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
40 V
5.8 A
45 mOhms
- 20 V, 20 V
800 mV, 1.8 V
37.56 nC, 33.66 nC
- 55 C
+ 150 C
2.14 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMG1012TQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/1.13
149,888 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1012TQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
149,888 En existencias
1
S/1.13
10
S/0.701
100
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500
S/0.323
3,000
S/0.234
6,000
Ver
1,000
S/0.288
6,000
S/0.21
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
N-Channel
1 Channel
20 V
630 mA
400 mOhms
- 6 V, 6 V
500 mV
736.6 pC
- 55 C
+ 150 C
280 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
+2 imágenes
DMP10H400SEQ-13
Diodes Incorporated
1:
S/4.59
10,271 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP10H400SEQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
10,271 En existencias
1
S/4.59
10
S/2.87
100
S/1.88
2,500
S/1.88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
P-Channel
1 Channel
100 V
2.3 A
300 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
17.5 nC
- 55 C
+ 150 C
13.7 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
+2 imágenes
DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.14
72,256 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
72,256 En existencias
1
S/2.14
10
S/1.32
100
S/0.837
500
S/0.631
1,000
S/0.561
3,000
S/0.561
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,840
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
30 V
3.8 A
56 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.08 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMP4010SK3Q-13
Diodes Incorporated
1:
S/6.27
4,113 En existencias
2,500 Se espera el 21/04/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMP4010SK3Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
4,113 En existencias
2,500 Se espera el 21/04/2027
1
S/6.27
10
S/3.97
100
S/2.63
2,500
S/2.63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
50 A
14 mOhms
- 25 V, 25 V
2.5 V
91 nC
- 55 C
+ 150 C
3.3 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
2N7002DWQ-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/2.34
2,218 En existencias
192,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-2N7002DWQ-7-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
2,218 En existencias
192,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
2,218 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
57,000 Se espera el 19/03/2027
135,000 Se espera el 21/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
S/2.34
10
S/1.60
100
S/1.01
500
S/0.638
1,000
S/0.557
3,000
S/0.49
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
230 mA
7.5 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
- 55 C
+ 150 C
400 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
2N7002TQ-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.63
5,352 En existencias
6,000 Se espera el 19/10/2026
N.º de artículo de Mouser
621-2N7002TQ-7-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
5,352 En existencias
6,000 Se espera el 19/10/2026
1
S/1.63
10
S/1.00
100
S/0.634
500
S/0.471
1,000
S/0.42
3,000
S/0.42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,150
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
N-Channel
1 Channel
60 V
115 mA
13.5 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
- 55 C
+ 150 C
150 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
BSS123WQ-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.60
3,165 En existencias
264,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-BSS123WQ-7-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
3,165 En existencias
264,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
3,165 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
54,000 Se espera el 14/08/2026
69,000 Se espera el 17/02/2027
141,000 Se espera el 19/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
S/1.60
10
S/0.965
100
S/0.603
500
S/0.448
1,000
S/0.389
3,000
S/0.288
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
100 V
170 mA
6 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
- 55 C
+ 150 C
200 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
BSS84Q-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.32
40 En existencias
18,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-BSS84Q-7-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
40 En existencias
18,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
40 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
9,000 Se espera el 15/01/2027
9,000 Se espera el 5/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
S/1.32
10
S/0.86
100
S/0.541
500
S/0.385
1,000
S/0.339
3,000
S/0.339
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,830
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
50 V
130 mA
10 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
280 pC
- 55 C
+ 150 C
300 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMC1030UFDBQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/4.32
1,818 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMC1030UFDBQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
1,818 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.32
10
S/2.69
100
S/1.76
500
S/1.36
3,000
S/1.06
6,000
Ver
1,000
S/1.23
6,000
S/0.981
9,000
S/0.938
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
12 V
3.9 A, 5.1 A
17 mOhms, 37 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV, 1 V
23.1 nC, 20.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.36 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
DMG1013UWQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/1.36
888 En existencias
87,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1013UWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
888 En existencias
87,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
888 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
21,000 Se espera el 25/12/2026
21,000 Se espera el 18/08/2027
45,000 Se espera el 24/11/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
S/1.36
10
S/0.837
100
S/0.615
500
S/0.455
1,000
S/0.405
3,000
S/0.296
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
P-Channel
1 Channel
20 V
820 mA
1.5 Ohms
- 6 V, 6 V
1 V
622.4 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
+2 imágenes
DMG2305UXQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/1.99
289 En existencias
108,000 Se espera el 21/12/2026
N.º de artículo de Mouser
621-DMG2305UXQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
289 En existencias
108,000 Se espera el 21/12/2026
Embalaje alternativo
1
S/1.99
10
S/1.20
100
S/0.755
500
S/0.564
1,000
S/0.475
3,000
S/0.475
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,630
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
4.2 A
52 mOhms
- 8 V, 8 V
500 mV
10.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode
+2 imágenes
DMG2307LQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.14
3,809 En existencias
9,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMG2307LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode
3,809 En existencias
9,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
3,809 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 21/08/2026
6,000 Se espera el 23/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
S/2.14
10
S/1.32
100
S/0.837
500
S/0.631
3,000
S/0.471
6,000
Ver
1,000
S/0.561
6,000
S/0.428
9,000
S/0.37
24,000
S/0.35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
30 V
3.8 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
8.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.36 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
+1 imagen
DMG6602SVTQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.76
1,588 En existencias
54,000 Se espera el 26/03/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMG6602SVTQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
1,588 En existencias
54,000 Se espera el 26/03/2027
1
S/2.76
10
S/1.83
100
S/1.16
500
S/0.767
3,000
S/0.767
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 790
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
2.8 A, 3.4 A
100 mOhms, 140 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V, 2.3 V
9 nC, 7 nC
- 55 C
+ 150 C
1.27 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
+2 imágenes
DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.41
9,607 En existencias
24,000 Se espera el 21/01/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
9,607 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
20 V
6.5 A
21 mOhms
- 12 V, 12 V
900 mV
8.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.3 W
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
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DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
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621-DMN61D8LVTQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
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S/2.92
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S/2.11
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S/0.864
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Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
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60 V
630 mA
1.1 Ohms
- 12 V, 12 V
1.3 V
740 pC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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DMN65D8LQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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S/0.973
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
310 mA
3 Ohms
- 20 V, 20 V
1.2 V
870 pC
- 55 C
+ 150 C
540 mW
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMTH6016LPSQ-13
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621-DMTH6016LPSQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
492 En existencias
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S/4.28
10
S/2.65
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S/1.74
2,500
S/1.74
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Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
60 V
37 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
17 nC
- 55 C
+ 175 C
37.5 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
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MMBF170Q-7-F
Diodes Incorporated
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621-MMBF170Q-7-F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
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S/1.71
10
S/1.13
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S/0.712
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S/0.475
1,000
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S/0.276
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
500 mA
5 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
- 55 C
+ 150 C
300 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
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2N7002AQ-7
Diodes Incorporated
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S/1.36
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N.º de artículo de Mouser
621-2N7002AQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
72,000 En pedido
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S/1.36
10
S/0.763
100
S/0.49
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S/0.374
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S/0.346
3,000
S/0.346
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
220 mA
6 Ohms
- 20 V, 20 V
1.2 V
- 55 C
+ 150 C
540 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
DMG1016VQ-7
Diodes Incorporated
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S/3.66
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N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016VQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 20Vdss 6Vgss
18,000 Se espera el 19/02/2027
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S/3.66
10
S/2.45
100
S/1.55
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S/0.961
3,000
S/0.779
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Si
SMD/SMT
SOT-563-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
640 mA, 870 mA
400 mOhms, 700 mOhms
- 6 V, 6 V
500 mV, 1 V
736.6 pC, 622.4 pC
- 55 C
+ 150 C
530 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel