Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/9.46
249 En existencias
500 Se espera el 23/04/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
249 En existencias
500 Se espera el 23/04/2026
1
S/9.46
10
S/4.71
100
S/4.24
500
S/3.44
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S/2.88
5,000
S/2.72
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 44A TO220FP-3
IPA083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/9.96
257 En existencias
500 Se espera el 31/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 44A TO220FP-3
257 En existencias
500 Se espera el 31/03/2026
1
S/9.96
10
S/4.98
100
S/4.48
500
S/3.37
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S/3.08
5,000
S/3.04
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/11.29
370 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
370 En existencias
1
S/11.29
10
S/5.61
100
S/5.06
500
S/4.05
1,000
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S/3.50
5,000
S/3.40
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/7.24
741 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
741 En existencias
1
S/7.24
10
S/3.88
100
S/3.08
500
S/2.52
1,000
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S/1.92
5,000
S/1.76
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/7.67
500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
500 En existencias
1
S/7.67
10
S/3.70
100
S/3.31
500
S/2.63
1,000
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S/2.51
2,500
S/2.23
5,000
S/2.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/8.80
783 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
783 En existencias
1
S/8.80
10
S/4.28
100
S/3.84
500
S/3.44
1,000
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S/2.61
5,000
S/2.51
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.23
430 En existencias
1,000 Se espera el 2/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
430 En existencias
1,000 Se espera el 2/03/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.75
56 En existencias
5,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
56 En existencias
5,000 En pedido
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56 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 16/02/2026
3,000 Se espera el 2/03/2026
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas
1
S/20.75
10
S/13.66
100
S/10.90
500
S/10.70
1,000
S/8.72
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.03
611 En existencias
1,000 Se espera el 10/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
611 En existencias
1,000 Se espera el 10/03/2026
1
S/19.03
10
S/12.65
100
S/8.99
500
S/8.49
1,000
S/6.89
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.78
980 En existencias
2,000 Se espera el 16/02/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
980 En existencias
2,000 Se espera el 16/02/2026
1
S/10.78
10
S/7.05
100
S/4.87
500
S/4.01
1,000
S/3.53
2,000
S/3.26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.02
3,217 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,217 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.16
100
S/2.08
500
S/1.65
2,500
S/1.34
5,000
Ver
1,000
S/1.47
5,000
S/1.20
10,000
S/1.13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.20
924 En existencias
2,500 Se espera el 16/04/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
924 En existencias
2,500 Se espera el 16/04/2026
1
S/4.20
10
S/2.57
100
S/1.67
500
S/1.29
2,500
S/0.958
5,000
Ver
1,000
S/1.10
5,000
S/0.864
10,000
S/0.814
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPI076N15N5AKSA1
Infineon Technologies
1:
S/20.44
439 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPI076N15N5AKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
439 En existencias
1
S/20.44
10
S/10.98
100
S/10.00
500
S/8.29
1,000
Ver
1,000
S/8.17
5,000
S/7.98
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.19
7,759 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
7,759 En existencias
1
S/3.19
10
S/2.00
100
S/1.30
500
S/1.00
3,000
S/0.747
6,000
Ver
1,000
S/0.899
6,000
S/0.685
9,000
S/0.603
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.66
4,410 En existencias
6,000 Se espera el 2/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,410 En existencias
6,000 Se espera el 2/03/2026
1
S/3.66
10
S/2.28
100
S/1.49
500
S/1.14
3,000
S/0.864
6,000
Ver
1,000
S/1.04
6,000
S/0.794
9,000
S/0.716
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/11.29
263 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
263 En existencias
1
S/11.29
10
S/5.61
100
S/5.06
500
S/4.05
1,000
Ver
1,000
S/3.50
5,000
S/3.40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.46
1,451 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,451 En existencias
1
S/6.46
10
S/2.88
100
S/2.58
500
S/2.15
1,000
Ver
1,000
S/1.97
1,500
S/1.82
4,500
S/1.65
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.38
730 En existencias
9,278 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC037N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
730 En existencias
9,278 En pedido
Ver fechas
Existencias:
730 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,500 Se espera el 16/02/2026
4,778 Se espera el 16/04/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas
1
S/12.38
10
S/8.06
100
S/5.61
500
S/4.75
1,000
Ver
5,000
S/3.86
1,000
S/4.55
2,500
S/4.44
5,000
S/3.86
Comprar
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.03
446 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ014NE2LS5IFAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
446 En existencias
1
S/6.03
10
S/4.55
100
S/3.93
500
S/3.22
1,000
S/3.12
5,000
S/2.60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ034N04LSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.88
362 En existencias
30,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ034N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
362 En existencias
30,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
362 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 9/04/2026
10,000 Se espera el 16/04/2026
15,000 Se espera el 15/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/5.88
10
S/3.71
100
S/2.46
500
S/1.90
1,000
S/1.65
5,000
S/1.39
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.89
1,104 En existencias
5,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,104 En existencias
5,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/6.89
10
S/4.40
100
S/2.94
500
S/2.32
1,000
S/2.11
5,000
S/1.79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
BSZ096N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.87
207 En existencias
25,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ096N10LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
207 En existencias
25,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
207 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 25/03/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/8.87
10
S/5.68
100
S/3.89
500
S/3.22
1,000
Ver
5,000
S/2.51
1,000
S/2.83
2,500
S/2.62
5,000
S/2.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.15
250 En existencias
9,800 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
250 En existencias
9,800 En pedido
Ver fechas
Existencias:
250 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,800 Se espera el 2/07/2026
5,000 Se espera el 13/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/6.15
10
S/3.71
100
S/2.67
500
S/2.16
1,000
Ver
5,000
S/1.59
1,000
S/1.93
2,500
S/1.90
5,000
S/1.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
BSZ146N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.63
252 En existencias
29,400 Se espera el 3/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ146N10LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
252 En existencias
29,400 Se espera el 3/12/2026
1
S/7.63
10
S/4.87
100
S/3.27
500
S/2.55
1,000
S/2.37
5,000
S/2.00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD133B1W01005E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/0.779
14,980 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-ESD133B1W01005E6
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
14,980 En existencias
1
S/0.779
10
S/0.483
100
S/0.30
500
S/0.222
1,000
Ver
15,000
S/0.109
1,000
S/0.163
2,500
S/0.152
5,000
S/0.14
10,000
S/0.121
15,000
S/0.109
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles