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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC012N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.93
3,585En existencias
10,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC012N06NSATMA1

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726-BSC012N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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3,585En existencias

10,000Se espera el 3/09/2026

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S/16.93

S/11.13

S/8.33

S/7.43

S/7.16

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S/5.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.28
11,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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S/7.28

S/4.90

S/3.30

S/2.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.48
5,582En existencias
9,700Se espera el 9/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

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S/14.48

S/9.50

S/6.66

S/5.88

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S/4.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.19
12,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC015NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC015NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/6.19

S/4.01

S/2.79

S/2.28

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S/1.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.81
11,966En existencias
9,000Se espera el 26/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC016N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC016N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

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S/9.81

S/7.05

S/5.22

S/4.36

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S/3.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC019N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
9,764En existencias

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BSC019N04LSATMA1

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726-BSC019N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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S/4.90

S/3.49

S/2.68

S/2.25

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S/1.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC019N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.47
4,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC019N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/7.47

S/5.02

S/4.24

S/4.09

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S/3.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC026N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.80
16,016En existencias

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BSC026N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026N04LSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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S/3.63

S/2.41

S/1.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
6,548En existencias

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BSC026NE2LS5ATMA1

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726-BSC026NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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S/5.61

S/3.59

S/2.46

S/2.01

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S/1.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC027N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.74
11,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC027N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC027N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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S/10.74

S/7.08

S/4.90

S/4.01

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S/3.27

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.05
7,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC028N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1

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S/11.05

S/7.16

S/4.98

S/4.13

S/4.09

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S/3.35

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
4,758En existencias
20,000En pedido

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BSC030N08NS5ATMA1

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726-BSC030N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

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S/11.37

S/7.40

S/5.10

S/4.24

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S/3.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC032N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.45
26,655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032N04LSATMA1

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726-BSC032N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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S/5.45

S/3.44

S/2.28

S/1.79

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S/1.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5

BSC035N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
7,613En existencias

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BSC035N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC035N10NS5ATM1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5

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S/7.51

S/5.92

S/5.37

S/5.22

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S/4.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
8,420En existencias
5,000Se espera el 1/10/2026

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BSC039N06NSATMA1

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726-BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

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S/8.99

S/5.76

S/3.93

S/3.14

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S/2.48

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.59
3,606En existencias
5,000Se espera el 2/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC040N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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S/10.59

S/6.85

S/4.75

S/3.85

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S/3.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
20,601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0501NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0501NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/6.15

S/4.05

S/2.88

S/2.28

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S/1.69

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/1.87
14,297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0504NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0504NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/1.87

S/1.76

S/1.39

S/1.38

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S/1.23

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Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC066N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.70
15,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC066N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC066N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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15,017En existencias

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S/6.70

S/4.36

S/2.86

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.73

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC074N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.71
6,793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC074N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC074N15NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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6,793En existencias

Cinta cortada

S/17.71

S/12.07

S/9.26

S/8.64

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S/7.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC094N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.68
6,962En existencias
9,953Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC094N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC094N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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Hoja de datos

6,962En existencias

9,953Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/5.68

S/3.33

S/2.38

S/1.87

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Envase tipo carrete

S/1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.49
4,631En existencias
5,000Se espera el 9/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC097N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC097N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

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Hoja de datos

4,631En existencias

5,000Se espera el 9/04/2026

Cinta cortada

S/5.49

S/3.48

S/2.32

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
20,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC098N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC098N10NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

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20,347En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.09

S/2.98

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.93

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
9,082En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC160N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC160N15NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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9,082En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/8.10

S/5.64

S/4.79

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Envase tipo carrete

S/3.89

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSG0810NDIATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.14
3,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSG0810NDIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSG0810NDIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/12.14

S/7.86

S/5.76

S/4.87

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S/3.93

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