.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSC026NE2LS5ATMA1

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726-BSC026NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC027N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
22,064En existencias
20,000Se espera el 10/09/2026

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BSC027N06LS5ATMA1

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S/3.39

S/3.02

S/2.38

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S/1.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.03
10,208En existencias
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BSC028N06NSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/3.93

S/3.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC032N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
42,305En existencias
25,000Se espera el 3/06/2027

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BSC032N04LSATMA1

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S/1.96

S/1.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
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BSC040N08NS5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TDSON-8

BSC040N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0504NSIATMA1
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S/2.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC066N06NSATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC070N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSC070N10LS5ATMA1

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S/4.67

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S/4.01

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8

BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
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15,152En existencias
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BSC070N10NS5ATMA1

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S/8.49

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S/3.67

S/2.92

S/2.57

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S/2.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 74A TDSON-8

BSC072N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSC072N08NS5ATMA1

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S/8.37

S/5.37

S/3.61

S/2.87

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S/2.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC074N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
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3,880En existencias

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BSC074N15NS5ATMA1

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S/24.37

S/16.31

S/11.76

S/10.82

S/10.20

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S/10.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

BSC110N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.39
7,268En existencias

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BSC110N15NS5ATMA1

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726-BSC110N15NS5ATMA

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S/16.39

S/10.90

S/8.02

S/6.77

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S/6.34

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
22,187En existencias

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BSC117N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC117N08NS5ATMA

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S/7.24

S/3.46

S/3.09

S/2.44

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S/1.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.61
12,847En existencias
15,000Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC160N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC160N15NS5ATMA

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S/12.61

S/8.25

S/5.76

S/4.67

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S/4.20

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Min.: 1
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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSG0811NDATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.66
7,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSG0811NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSG0811NDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/13.66

S/8.99

S/6.46

S/5.25

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S/4.87

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.88
4,312En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0503NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

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S/5.88

S/3.69

S/2.45

S/1.92

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
15,528En existencias
35,000Se espera el 27/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ068N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ068N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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15,528En existencias

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S/7.51

S/4.71

S/3.09

S/2.45

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S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ100N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
1,564En existencias
100,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/7.20

S/4.87

S/3.19

S/2.51

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S/1.61

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Mult.: 1

: 5,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD131B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.09
50,328En existencias
795,000Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
ESD131B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD131B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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50,328En existencias

795,000Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/1.09

S/0.662

S/0.413

S/0.304

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S/0.152

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 15,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD239B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.934
290,872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ESD239B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD239B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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Cinta cortada

S/0.934

S/0.58

S/0.343

S/0.265

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S/0.128

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 15,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD245B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.662
110,065En existencias
90,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
ESD245B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD245B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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90,000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/0.662

S/0.42

S/0.218

S/0.183

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Envase tipo carrete

S/0.082

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 15,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD246B1W01005E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.584
128,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ESD246B1W01005E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD246B1W01005E6

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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128,495En existencias

Cinta cortada

S/0.584

S/0.381

S/0.218

S/0.179

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Envase tipo carrete

S/0.078

Min.: 1
Mult.: 1

: 15,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.23
2,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT240N08S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT240N08S5N019

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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S/19.23

S/12.73

S/9.03

S/8.49

S/8.02

Envase tipo carrete

S/7.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

USB-C Chargers & Adapters

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