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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC070N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSC070N10LS5ATMA1

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726-BSC070N10LS5ATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8

BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
14,899En existencias

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BSC070N10NS5ATMA1

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726-BSC070N10NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
15,025En existencias

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BSC117N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC117N08NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

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S/4.36

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ40N10S5N130ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
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IAUZ40N10S5N130ATMA1

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726-IAUZ40N10S5N130A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/6.97

S/4.44

S/2.96

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.18
2,333En existencias

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IPA60R080P7XKSA1

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726-IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/21.18

S/11.13

S/10.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.81
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06NATMA1

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726-IPB010N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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S/16.23

S/13.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.57
1,153En existencias

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IPB014N06NATMA1

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726-IPB014N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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S/18.57

S/12.26

S/8.99

S/8.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
900En existencias

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IPB020N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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S/12.77

S/9.54

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.23
1,565En existencias

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IPB027N10N5ATMA1

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726-IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.01
1,070En existencias

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IPB048N15N5ATMA1

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726-IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/20.01

S/14.05

S/10.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB073N15N5ATMA1
Infineon Technologies
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5,085En existencias

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IPB073N15N5ATMA1

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726-IPB073N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/9.07

S/7.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.00
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

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726-IPB60R060P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/14.56

S/10.47

S/10.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.11
6,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/12.11

S/8.37

S/6.58

S/5.88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
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N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

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726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/9.23

S/5.88

S/4.01

S/3.36

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPD050N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.56
8,428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD050N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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S/11.56

S/7.24

S/5.18

S/4.32

S/4.24

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S/3.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
1,378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/12.73

S/8.17

S/6.03

S/5.22

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S/4.20

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.33
2,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/11.33

S/7.32

S/5.22

S/4.36

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S/3.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
5,394En existencias
9,000Se espera el 30/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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9,000Se espera el 30/04/2026

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S/5.02

S/3.16

S/2.16

S/1.72

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S/1.36

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/1.95
32,259En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R1K4P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/1.95

S/1.31

S/1.17

S/1.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IRL100HS121
Infineon Technologies
1: S/4.16
8,205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRL100HS121

N.º de artículo de Mouser
726-IRL100HS121

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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S/4.16

S/2.72

S/1.79

S/1.38

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S/1.03

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IRL80HS120
Infineon Technologies
1: S/3.46
6,334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRL80HS120

N.º de artículo de Mouser
726-IRL80HS120

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/3.46

S/2.52

S/2.51

S/1.79

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S/1.35

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAW60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
906En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAW60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AW60R180P7SXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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906En existencias

S/8.84

S/4.05

S/3.38

S/2.95

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.60
16,660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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16,660En existencias

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S/8.60

S/5.29

S/3.97

S/3.29

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Envase tipo carrete

S/2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.15
8,748En existencias
4,000Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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8,748En existencias

4,000Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

S/9.15

S/6.03

S/4.59

S/3.76

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Envase tipo carrete

S/3.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
4,868En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSIATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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4,868En existencias

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S/7.01

S/5.49

S/4.67

S/3.78

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S/3.09

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