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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.60
56,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ075N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSZ096N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.30
100,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ096N10LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ096N10LS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/5.96

S/4.05

S/3.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
1: S/25.07
7,163En existencias
58,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N012ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N012

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S/16.62

S/12.30

S/10.98

S/10.94

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S/10.12

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: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.34
27,864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1

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S/16.70

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S/11.09

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S/11.09

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB024N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.71
43,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB024N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB024N10N5ATMA1

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S/8.25

S/7.32

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S/7.32

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
12,358En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

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S/11.83

S/10.78

S/9.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.43
29,490En existencias
7,500Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT007N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1

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S/17.44

S/13.20

S/12.42

S/11.56

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S/11.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.06
19,084En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1

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S/18.92

S/13.74

S/13.00

S/12.14

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S/12.14

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: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.77
6,658En existencias
6,240Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/41.77

S/24.72

S/20.98

S/20.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.50
23,007En existencias
23,760Se espera el 8/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

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726-IPW60R180P7XKSA1

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S/16.50

S/10.63

S/7.98

S/6.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.93
6,053En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA029N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA029N06NXKSA1

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S/9.93

S/4.87

S/4.36

S/2.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-2

IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.69
960En existencias
1,000Se espera el 7/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB015N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB015N08N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-2

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S/20.28

S/15.45

S/14.99

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S/14.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.86
1,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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S/23.86

S/15.96

S/12.30

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S/12.30

S/9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.00
7,585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/8.45

S/5.88

S/4.75

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S/4.36

S/4.32

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.78
5,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/10.78

S/6.97

S/4.79

S/3.85

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S/3.54

S/3.36

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
4,902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/13.12

S/8.52

S/5.92

S/4.79

S/4.67

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S/4.36

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
7,716En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.10

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S/2.58

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.19
18,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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S/9.19

S/5.92

S/4.01

S/3.19

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.67

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC012N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.94
5,002En existencias
5,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC012N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC012N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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5,002En existencias

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S/20.94

S/13.94

S/9.93

S/8.80

S/8.21

Envase tipo carrete

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
6,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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6,718En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.59

S/3.08

S/2.43

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
5,187En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

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5,187En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/12.77

S/8.29

S/5.72

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.67

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.72
33,546En existencias
65,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC016N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC016N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

33,546En existencias

65,000En pedido

Cinta cortada

S/11.72

S/7.59

S/5.22

S/4.36

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Envase tipo carrete

S/3.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC019N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
2,925En existencias
10,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC019N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2,925En existencias

10,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/7.40

S/4.75

S/3.44

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

BSC021N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.64
4,096En existencias
10,000Se espera el 19/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC021N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC021N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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4,096En existencias

10,000Se espera el 19/08/2026

Cinta cortada

S/24.64

S/12.92

S/11.79

S/10.12

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Envase tipo carrete

S/9.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.90
3,607En existencias
5,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC026N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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3,607En existencias

5,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/13.90

S/9.07

S/6.31

S/5.14

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S/4.71

MouseReel Disponible

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: 5,000

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