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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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ESD134B1W0201E6327XTSA1
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ESD134B1W0201E6327XTSA1

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.65
298En existencias

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IPZA60R099P7XKSA1

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726-IPZA60R099P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.11
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IPA95R450P7XKSA1

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726-IPA95R450P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.28
2,110En existencias

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IPD95R1K2P7ATMA1

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726-IPD95R1K2P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
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IPD60R600P7ATMA1

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726-IPD60R600P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
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IPD80R3K3P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.27
3,900En existencias

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IAUS240N08S5N019ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
3,071En existencias

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IPD80R1K4P7ATMA1

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726-IPD80R1K4P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
1: S/14.56
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IAUT165N08S5N029ATMA2

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BSC011N03LSTATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.76
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.89
5,072En existencias
NRND

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IPN80R3K3P7ATMA1

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726-IPN80R3K3P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPT029N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.53
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IPT029N08N5ATMA1

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726-IPT029N08N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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17,132En existencias

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BSC052N08NS5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
12,831En existencias

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BSC093N15NS5ATMA1

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726-BSC093N15NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
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IPB017N10N5ATMA1

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726-IPB017N10N5ATMA1

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S/12.34

S/11.91

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S/10.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.00
6,598En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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S/14.83

S/11.13

S/10.98

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S/8.91

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
48,321En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N04LSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N04LSIATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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S/10.12

S/6.62

S/4.63

S/3.73

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S/3.05

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

BSC110N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.04
10,601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC110N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N15NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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S/10.04

S/7.82

S/6.15

S/5.72

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S/4.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.65
14,124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT007N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/25.65

S/17.91

S/13.74

S/13.58

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S/11.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.57
12,622En existencias
12,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10N5ATMA1

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726-IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

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12,000Se espera el 2/03/2026

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S/18.57

S/13.55

S/10.04

S/9.38

Envase tipo carrete

S/7.90

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.83
12,435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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12,435En existencias

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S/17.83

S/11.79

S/8.37

S/7.75

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.31

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.18
4,188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/34.18

S/20.09

S/16.97

S/15.69

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC016N06NSTATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
17,546En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC016N06NSTATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC016N06NSTATM1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/14.95

S/9.89

S/6.93

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC027N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.27
8,544En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC027N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC027N10NS5ATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/19.27

S/13.78

S/9.85

S/9.50

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S/8.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TDSON-8

BSC040N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
11,226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC040N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N10NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TDSON-8

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S/10.12

S/6.50

S/4.59

S/3.76

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.11

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