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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
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IPP60R360P7XKSA1

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726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT019N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.90
2,624En existencias

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IPT019N08N5ATMA1

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726-IPT019N08N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/8.60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.42
9,928En existencias
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S/4.09

S/2.71

S/2.12

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.70
4,532En existencias
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IPL60R365P7AUMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/6.93

S/4.75

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.51
3,879En existencias

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IAUS240N08S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS240N08S5N019

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S/13.12

S/9.69

S/8.56

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S/8.02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
1: S/15.73
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT165N08S5N029ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT165N08S5N029

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
1,669En existencias

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IPAN70R360P7SXKSA1

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726-IPAN70R360P7SXKS

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S/7.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.86
220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R045P7XKSA1

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726-IPZA60R045P7XKSA

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S/36.86

S/22.30

S/18.84

S/18.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.31
2,042En existencias
NRND

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IPN95R2K0P7ATMA1

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726-IPN95R2K0P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
1,266En existencias

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IPA80R900P7XKSA1

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726-IPA80R900P7XKSA1

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S/3.88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.58
2,485En existencias

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IPD60R600P7ATMA1

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726-IPD60R600P7ATMA1

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S/3.85

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S/1.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.88
2,153En existencias
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IPU95R3K7P7AKMA1

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726-IPU95R3K7P7AKMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/5.88

S/2.60

S/2.33

S/1.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.28
5,050En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R3K3P7ATMA1

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726-IPN80R3K3P7ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

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S/2.57

S/1.76

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S/1.10

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD134B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.09
41,469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ESD134B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD134B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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S/0.627

S/0.378

S/0.304

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S/0.136

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/7.90

S/3.54

S/3.18

S/2.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC027N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.60
20,476En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC027N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC027N10NS5ATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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20,476En existencias

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S/21.60

S/14.40

S/10.28

S/9.19

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S/8.56

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.33
8,442En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB044N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB044N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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8,442En existencias

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S/31.33

S/21.25

S/15.53

S/15.06

Envase tipo carrete

S/14.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.96
27,002En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

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27,002En existencias

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S/25.96

S/17.44

S/12.61

S/11.76

S/11.29

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.19
18,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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18,520En existencias

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S/9.19

S/5.92

S/4.01

S/3.48

Envase tipo carrete

S/3.48

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC012N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.94
5,002En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC012N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC012N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/20.94

S/13.94

S/9.93

S/8.80

S/8.21

Envase tipo carrete

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
38,175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N04LSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N04LSIATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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S/7.12

S/4.52

S/3.02

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.03
10,378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC028N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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10,378En existencias

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S/9.03

S/5.80

S/3.93

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.65

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5

BSC035N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.47
12,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC035N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC035N10NS5ATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5

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12,065En existencias

Cinta cortada

S/16.47

S/10.78

S/8.06

S/6.77

S/6.38

Envase tipo carrete

S/5.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
19,768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC037N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC037N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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19,768En existencias

Cinta cortada

S/11.29

S/7.28

S/4.94

S/4.13

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Envase tipo carrete

S/3.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
60,317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC065N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC065N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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60,317En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.99

S/1.96

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.93

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

USB-C Chargers & Adapters

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