Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.04
10,467 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
10,467 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.88
100
S/1.21
500
S/0.926
3,000
S/0.627
6,000
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S/0.833
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S/0.553
24,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ011NE2LS5IATMA1
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S/6.93
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726-BSZ011NE2LS5IATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
7,992 En existencias
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S/6.93
10
S/5.68
100
S/4.94
500
S/4.20
1,000
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5,000
S/3.34
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S/3.34
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ084N08NS5ATMA1
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S/5.72
10,772 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
10,772 En existencias
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S/5.72
10
S/3.97
100
S/3.14
500
S/2.71
1,000
Ver
5,000
S/2.11
1,000
S/2.57
2,500
S/2.55
5,000
S/2.11
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT150N10S5N035ATMA1
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S/14.91
7,008 En existencias
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726-IAUT150N10S5N035
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
7,008 En existencias
1
S/14.91
10
S/9.77
100
S/6.85
500
S/6.11
1,000
S/5.49
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R285P7AUMA1
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726-IPL60R285P7AUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,722 En existencias
1
S/10.08
10
S/5.72
100
S/4.52
500
S/3.62
1,000
S/3.34
3,000
S/2.95
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Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
CYPD3174-24LQXQ
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727-CYPD3174-24LQXQ
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Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
4,255 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.66
10
S/4.94
25
S/4.48
100
S/4.01
250
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S/3.64
500
S/3.60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSC034N06NSATMA1
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726-BSC034N06NSATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
13,563 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.00
10
S/6.46
100
S/4.44
500
S/3.55
1,000
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S/2.89
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S/3.36
2,500
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S/2.89
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
IQE006NE2LM5ATMA1
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726-IQE006NE2LM5ATM1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
14,065 En existencias
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S/10.63
10
S/6.85
100
S/4.71
500
S/3.25
5,000
S/3.25
10,000
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S/3.13
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0502NSIATMA1
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726-BSC0502NSIATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
9,978 En existencias
1
S/6.03
10
S/3.84
100
S/2.56
500
S/2.02
1,000
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S/1.46
1,000
S/1.79
2,500
S/1.69
5,000
S/1.46
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ0503NSIATMA1
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9,366 En existencias
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726-BSZ0503NSIATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
9,366 En existencias
1
S/4.87
10
S/3.07
100
S/2.03
500
S/1.61
5,000
S/1.14
10,000
Ver
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S/1.35
2,500
S/1.32
10,000
S/1.10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT200N08S5N023ATMA1
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6,045 En existencias
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726-IAUT200N08S5N023
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6,045 En existencias
1
S/14.60
10
S/9.73
100
S/7.47
500
S/6.77
1,000
S/6.73
2,000
S/5.49
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R600P7ATMA1
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4,458 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,458 En existencias
1
S/8.14
10
S/5.22
100
S/3.52
500
S/2.80
2,500
S/2.25
5,000
Ver
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S/2.61
5,000
S/2.17
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
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S/18.96
1,146 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,146 En existencias
1
S/18.96
10
S/12.57
100
S/8.95
500
S/8.45
1,000
S/7.63
2,000
S/6.85
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
BSC021N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.52
4,948 En existencias
5,000 Se espera el 7/05/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC021N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
4,948 En existencias
5,000 Se espera el 7/05/2026
1
S/17.52
10
S/11.44
100
S/8.87
500
S/8.45
1,000
Ver
5,000
S/6.85
1,000
S/7.98
2,500
S/7.75
5,000
S/6.85
10,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.98
4,735 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
4,735 En existencias
1
S/7.98
10
S/5.10
100
S/3.45
500
S/2.74
1,000
Ver
5,000
S/2.11
1,000
S/2.54
2,500
S/2.34
5,000
S/2.11
25,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/5.49
4,980 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,980 En existencias
1
S/5.49
10
S/2.44
100
S/1.84
500
S/1.39
1,000
Ver
1,000
S/1.35
5,000
S/1.34
10,000
S/1.30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/2.72
6,275 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R600P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
6,275 En existencias
1
S/2.72
10
S/1.76
100
S/1.34
500
S/1.15
2,500
S/0.938
5,000
Ver
1,000
S/1.09
5,000
S/0.93
10,000
S/0.895
Comprar
Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.19
19,852 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
19,852 En existencias
1
S/3.19
10
S/2.13
100
S/1.50
500
S/1.15
2,500
S/0.806
5,000
Ver
1,000
S/1.04
5,000
S/0.751
25,000
S/0.724
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Min.: 1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.66
5,912 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
5,912 En existencias
1
S/6.66
10
S/4.24
100
S/2.83
500
S/2.23
2,500
S/1.71
10,000
Ver
1,000
S/2.04
10,000
S/1.65
25,000
S/1.61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPI051N15N5AKSA1
Infineon Technologies
1:
S/27.29
454 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPI051N15N5AKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
454 En existencias
1
S/27.29
10
S/19.97
100
S/16.15
500
S/11.09
2,500
Ver
2,500
S/11.05
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.44
917 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
917 En existencias
1
S/20.44
10
S/13.62
100
S/10.08
500
S/9.46
1,000
S/8.41
3,000
S/7.59
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.01
990 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
990 En existencias
1
S/17.01
10
S/11.33
100
S/8.02
500
S/7.47
1,000
S/6.62
1,800
S/5.99
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.09
3,340 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,340 En existencias
1
S/11.09
10
S/7.20
100
S/4.98
500
S/4.09
1,000
S/3.76
2,500
S/3.32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.65
5,032 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
5,032 En existencias
1
S/9.65
10
S/6.23
100
S/4.28
500
S/3.41
3,000
S/2.80
6,000
Ver
1,000
S/3.19
6,000
S/2.75
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.01
6,472 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R750P7ATMA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
6,472 En existencias
1
S/7.01
10
S/4.67
100
S/3.13
500
S/2.57
3,000
S/1.92
6,000
Ver
1,000
S/2.25
6,000
S/1.87
9,000
S/1.78
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles