Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD150B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/0.467
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N.º de artículo de Mouser
726-D150B1W0201E6327
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
134,990 En pedido
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59,990 Se espera el 21/05/2026
75,000 Se espera el 18/06/2026
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26 Semanas
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S/0.467
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S/0.331
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S/0.144
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S/0.136
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S/0.082
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD131B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-ESD131B1W0201E63
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
114,990 En pedido
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24,990 Se espera el 23/04/2026
90,000 Se espera el 7/05/2026
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26 Semanas
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S/1.01
10
S/0.611
100
S/0.381
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S/0.28
1,000
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S/0.163
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S/0.222
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S/0.191
15,000
S/0.163
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC28N08S5L230ATMA1
Infineon Technologies
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10,000 Se espera el 16/02/2026
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726-IAUC28N08S5L230A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
10,000 Se espera el 16/02/2026
1
S/4.90
10
S/3.09
100
S/2.03
500
S/1.61
1,000
Ver
5,000
S/1.18
1,000
S/1.43
2,500
S/1.31
5,000
S/1.18
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.54
5,504 Se espera el 16/04/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
5,504 Se espera el 16/04/2026
1
S/22.54
10
S/15.76
100
S/12.73
500
S/11.33
1,000
S/9.69
2,000
S/9.69
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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IPD046N08N5ATMA1
Infineon Technologies
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S/12.73
4,996 Se espera el 2/04/2026
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726-IPD046N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
4,996 Se espera el 2/04/2026
1
S/12.73
10
S/8.29
100
S/5.76
500
S/4.94
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S/4.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
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S/18.22
2,947 En pedido
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726-IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,947 En pedido
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S/18.22
10
S/10.67
100
S/10.16
500
S/8.41
2,500
S/8.29
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
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S/18.45
5,500 En pedido
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726-IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
5,500 En pedido
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1,000 Se espera el 25/03/2026
4,500 Se espera el 9/04/2026
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S/18.45
25
S/9.30
100
S/8.68
500
S/7.16
1,000
S/6.89
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/27.01
906 Se espera el 23/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
906 Se espera el 23/07/2026
1
S/27.01
10
S/15.57
100
S/13.04
480
S/11.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/23.08
1,601 Se espera el 14/05/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,601 Se espera el 14/05/2026
1
S/23.08
10
S/16.11
100
S/13.04
480
S/11.56
1,200
S/9.93
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IRL60HS118
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1:
S/4.40
7,657 Se espera el 7/05/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IRL60HS118
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
7,657 Se espera el 7/05/2026
1
S/4.40
10
S/2.25
25
S/2.23
100
S/1.98
250
Ver
4,000
S/1.23
250
S/1.97
500
S/1.69
1,000
S/1.52
2,000
S/1.40
4,000
S/1.23
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSC028N06NSTATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.64
9,985 Se espera el 9/04/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSTATM1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
9,985 Se espera el 9/04/2026
1
S/11.64
10
S/7.51
100
S/5.49
500
S/4.71
1,000
Ver
5,000
S/3.63
1,000
S/4.40
2,500
S/4.32
5,000
S/3.63
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/8.84
1,000 Se espera el 2/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,000 Se espera el 2/03/2026
1
S/8.84
10
S/4.79
100
S/3.93
500
S/3.16
1,000
Ver
1,000
S/2.79
2,500
S/2.68
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/9.11
915 Se espera el 5/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
915 Se espera el 5/03/2026
1
S/9.11
10
S/4.94
100
S/4.01
500
S/3.42
1,000
Ver
1,000
S/2.49
5,000
S/2.38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.42
350 Se espera el 11/06/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
350 Se espera el 11/06/2026
1
S/6.42
10
S/3.05
100
S/2.72
500
S/2.14
1,000
Ver
1,000
S/1.80
5,000
S/1.63
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/27.48
227 Se espera el 3/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
227 Se espera el 3/07/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.79
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
1
S/4.79
10
S/2.09
100
S/1.86
500
S/1.54
1,000
Ver
1,000
S/1.40
1,500
S/1.28
4,500
S/1.09
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/31.68
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
1
S/31.68
10
S/18.68
100
S/15.73
480
S/13.86
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ013NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.56
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ013NE2LS5IATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
1
S/8.56
10
S/5.49
100
S/3.73
500
S/2.97
1,000
Ver
5,000
S/2.33
1,000
S/2.80
2,500
S/2.77
5,000
S/2.33
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.49
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
1
S/5.49
10
S/3.44
100
S/2.28
500
S/1.80
1,000
Ver
5,000
S/1.31
1,000
S/1.63
2,500
S/1.49
5,000
S/1.31
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
BSZ300N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.86
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ300N15NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
1
S/10.86
10
S/7.05
100
S/4.87
500
S/3.97
1,000
Ver
5,000
S/3.23
1,000
S/3.79
2,500
S/3.69
5,000
S/3.23
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/11.09
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN80R360P7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
1
S/11.09
10
S/5.53
100
S/4.98
500
S/4.01
1,000
S/3.47
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) IFX FET 60V
IPD033N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.76
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPD033N06NATMA1
Infineon Technologies
Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) IFX FET 60V
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
1
S/11.76
10
S/7.63
25
S/6.93
100
S/5.84
2,500
S/3.78
5,000
Ver
250
S/5.45
500
S/4.79
1,000
S/4.09
5,000
S/3.70
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.90
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
1
S/7.90
10
S/3.57
100
S/3.22
500
S/2.70
1,000
Ver
1,000
S/2.48
1,500
S/2.30
4,500
S/2.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Infineon Technologies IPP039N10N5XKSA1
IPP039N10N5XKSA1
Infineon Technologies
500:
S/6.03
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPP039N10N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
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Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES
DEMOXDPS220165W1TOBO1
Infineon Technologies
1:
S/449.19
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-DEMOXDPS220165W1
Infineon Technologies
Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
No