Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
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726-IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
1,865 En existencias
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1
S/8.33
10
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1,000
S/2.66
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S/2.34
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IPB060N15N5ATMA1
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150 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB060N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
150 En existencias
1
S/20.63
10
S/13.74
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R180P7SAUMA1
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726-IPD60R180P7SAUMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
263 En existencias
12,500 Se espera el 28/01/2027
1
S/7.40
10
S/4.71
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R360P7SAUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3,012 En existencias
1
S/4.87
10
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IPD60R600P7SAUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
95 En existencias
7,500 Se espera el 2/03/2026
1
S/4.09
10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06NAKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
526 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.29
10
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100
S/5.10
500
S/3.97
1,000
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S/3.58
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R065P7AUMA1
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3,000 Se espera el 3/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
307 En existencias
3,000 Se espera el 3/09/2026
1
S/22.58
10
S/17.05
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S/13.82
500
S/12.26
1,000
S/10.51
3,000
S/10.51
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R600P7SATMA1
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N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,741 En existencias
1
S/4.09
10
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S/1.66
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S/1.05
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Ver
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S/1.16
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S/0.841
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN70R600P7SATMA1
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3,298 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3,298 En existencias
1
S/4.28
10
S/2.69
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S/1.76
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S/1.36
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6,000
Ver
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S/1.23
6,000
S/1.00
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S/0.934
24,000
S/0.923
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R1K4P7ATMA1
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3,000 Se espera el 25/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,077 En existencias
3,000 Se espera el 25/03/2026
1
S/5.02
10
S/3.13
100
S/2.07
500
S/1.63
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S/1.25
6,000
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1,000
S/1.47
6,000
S/1.16
9,000
S/1.12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R2K4P7ATMA1
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3,958 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,958 En existencias
1
S/4.24
10
S/2.67
100
S/1.74
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S/1.35
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S/1.11
6,000
Ver
1,000
S/1.22
6,000
S/0.996
9,000
S/0.926
24,000
S/0.915
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R120P7XKSA1
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648 En existencias
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726-IPP60R120P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
648 En existencias
1
S/11.56
10
S/7.16
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S/6.50
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S/5.25
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S/4.79
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP60R280P7XKSA1
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598 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
598 En existencias
1
S/9.23
10
S/5.88
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S/4.01
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S/3.36
1,000
Ver
1,000
S/2.95
2,500
S/2.73
5,000
S/2.64
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU80R4K5P7AKMA1
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3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,000 En existencias
1
S/4.09
10
S/2.56
100
S/1.67
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1,000
Ver
1,000
S/1.16
1,500
S/1.05
4,500
S/0.942
10,500
S/0.872
24,000
S/0.845
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU95R750P7AKMA1
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1:
S/9.23
516 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R750P7AKMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
516 En existencias
1
S/9.23
10
S/5.88
100
S/4.09
500
S/3.46
1,000
Ver
1,000
S/2.89
1,500
S/2.67
4,500
S/2.53
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/10.86
217 En existencias
240 Se espera el 16/02/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
217 En existencias
240 Se espera el 16/02/2026
1
S/10.86
10
S/10.63
25
S/9.11
100
S/7.86
480
S/6.11
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/39.16
130 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
130 En existencias
1
S/39.16
10
S/38.26
25
S/22.27
100
S/19.77
240
Ver
240
S/19.73
480
S/18.76
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/23.59
174 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
174 En existencias
1
S/23.59
10
S/14.13
100
S/11.79
480
S/10.20
Comprar
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.63
1,494 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R600P7ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,494 En existencias
1
S/7.63
10
S/4.87
100
S/3.38
500
S/2.86
3,000
S/2.21
6,000
Ver
1,000
S/2.39
6,000
S/2.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/12.73
328 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
328 En existencias
1
S/12.73
10
S/6.85
500
S/5.02
1,000
S/4.52
Comprar
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/4.24
538 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R900P7XKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
538 En existencias
1
S/4.24
10
S/3.89
100
S/3.56
500
S/2.90
1,000
Ver
1,000
S/2.62
2,500
S/2.46
5,000
S/2.28
Comprar
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.59
196 En existencias
4,500 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R600P7AKMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
196 En existencias
4,500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
196 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,500 Se espera el 9/07/2026
3,000 Se espera el 23/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
S/4.59
10
S/2.88
100
S/1.90
500
S/1.46
1,000
Ver
1,000
S/1.31
1,500
S/1.13
4,500
S/1.05
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
+1 imagen
IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/14.79
231 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
231 En existencias
1
S/14.79
10
S/8.14
100
S/6.66
480
S/5.14
1,200
S/5.10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSZ039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.94
1,711 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ039N06NSATMA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,711 En existencias
1
S/4.94
10
S/4.05
100
S/3.49
500
S/3.41
5,000
S/2.59
10,000
Ver
1,000
S/3.28
10,000
S/2.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/13.27
42,720 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
42,720 En pedido
Ver fechas
En pedido:
24,960 Se espera el 16/04/2026
17,760 Se espera el 28/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas
1
S/13.27
10
S/7.24
100
S/5.92
480
S/4.55
1,200
S/4.40
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Mult.: 1
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