Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPT026N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.58
29,546 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT026N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
29,546 En existencias
1
S/16.58
10
S/10.94
100
S/7.75
500
S/7.05
1,000
Ver
2,000
S/5.72
1,000
S/6.38
2,000
S/5.72
10,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 74A TDSON-8
BSC072N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.46
30,665 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC072N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 74A TDSON-8
30,665 En existencias
1
S/9.46
10
S/6.11
100
S/4.16
500
S/3.34
1,000
Ver
5,000
S/2.68
1,000
S/3.11
2,500
S/2.88
5,000
S/2.68
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.43
81,142 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC065N06LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
81,142 En existencias
1
S/7.43
10
S/4.24
100
S/3.15
500
S/2.64
1,000
Ver
5,000
S/2.02
1,000
S/2.42
2,500
S/2.23
5,000
S/2.02
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.15
67,587 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
67,587 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.15
10
S/5.84
100
S/4.09
500
S/3.25
1,000
Ver
5,000
S/2.59
1,000
S/3.01
2,500
S/2.79
5,000
S/2.59
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.46
70,197 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ075N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
70,197 En existencias
1
S/6.46
10
S/4.01
100
S/3.11
500
S/2.74
1,000
Ver
5,000
S/2.23
1,000
S/2.63
2,500
S/2.58
5,000
S/2.23
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.23
39,512 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8
39,512 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.23
10
S/2.69
100
S/2.46
500
S/2.35
1,000
Ver
5,000
S/2.07
1,000
S/2.27
2,500
S/2.18
5,000
S/2.07
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.02
153,547 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R360P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
153,547 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.17
100
S/2.10
500
S/1.65
2,500
S/1.14
5,000
Ver
1,000
S/1.49
5,000
S/1.13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.11
11,215 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC061N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
11,215 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.53
100
S/4.16
500
S/3.49
1,000
Ver
5,000
S/2.83
1,000
S/3.29
2,500
S/3.04
5,000
S/2.83
25,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.71
6,515 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ20N08S5L300A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6,515 En existencias
1
S/4.71
10
S/2.96
100
S/1.95
500
S/1.51
5,000
S/1.09
10,000
Ver
1,000
S/1.26
2,500
S/1.25
10,000
S/1.02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.16
4,661 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,661 En existencias
1
S/7.16
10
S/4.59
100
S/3.06
500
S/2.42
2,500
S/1.93
5,000
Ver
1,000
S/2.23
5,000
S/1.82
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.78
864 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
864 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUZ30N10S5L240ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.14
18,526 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ30N10S5L240A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
18,526 En existencias
1
S/5.14
10
S/3.24
100
S/2.14
500
S/1.70
5,000
S/1.23
10,000
Ver
1,000
S/1.44
2,500
S/1.39
10,000
S/1.21
25,000
S/1.18
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.03
27,823 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
27,823 En existencias
1
S/6.03
10
S/3.80
100
S/2.53
500
S/1.99
2,500
S/1.58
5,000
Ver
1,000
S/1.81
5,000
S/1.43
Comprar
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.55
3,132 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,132 En existencias
1
S/7.55
10
S/4.67
100
S/3.38
500
S/2.69
1,000
S/2.39
2,000
Ver
2,000
S/2.11
5,000
S/2.06
Comprar
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.87
6,488 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC026N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
6,488 En existencias
1
S/14.87
10
S/9.77
100
S/6.93
500
S/6.19
1,000
Ver
5,000
S/5.02
1,000
S/5.61
2,500
S/5.37
5,000
S/5.02
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.83
7,506 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
7,506 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.83
10
S/7.71
100
S/5.33
500
S/4.48
1,000
Ver
2,500
S/3.63
1,000
S/4.09
2,500
S/3.63
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.23
5,847 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
5,847 En existencias
1
S/6.23
10
S/3.45
100
S/3.07
500
S/2.62
1,000
Ver
1,000
S/2.27
2,500
S/2.20
5,000
S/2.16
10,000
S/2.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPT019N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.53
2,665 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT019N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
2,665 En existencias
1
S/18.53
10
S/11.44
100
S/8.72
500
S/8.17
1,000
Ver
2,000
S/6.66
1,000
S/7.59
2,000
S/6.66
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/30.63
382 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
382 En existencias
1
S/30.63
10
S/17.17
100
S/15.03
480
S/13.12
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.22
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1,682 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.22
10
S/7.98
100
S/5.53
500
S/4.67
1,000
S/3.93
2,000
Ver
2,000
S/3.80
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
BSC021N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.52
4,948 En existencias
5,000 Se espera el 7/05/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSC021N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
4,948 En existencias
5,000 Se espera el 7/05/2026
1
S/17.52
10
S/11.44
100
S/8.87
500
S/8.45
1,000
Ver
5,000
S/6.85
1,000
S/7.98
2,500
S/7.75
5,000
S/6.85
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.98
4,735 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
4,735 En existencias
1
S/7.98
10
S/5.10
100
S/3.45
500
S/2.74
1,000
Ver
5,000
S/2.11
1,000
S/2.54
2,500
S/2.34
5,000
S/2.11
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/5.49
4,980 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R600P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,980 En existencias
1
S/5.49
10
S/2.44
100
S/1.84
500
S/1.39
1,000
Ver
1,000
S/1.35
5,000
S/1.34
10,000
S/1.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/2.72
6,275 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R600P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
6,275 En existencias
1
S/2.72
10
S/1.76
100
S/1.34
500
S/1.15
2,500
S/0.938
5,000
Ver
1,000
S/1.09
5,000
S/0.93
10,000
S/0.895
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.19
19,852 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R900P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
19,852 En existencias
1
S/3.19
10
S/2.13
100
S/1.50
500
S/1.15
2,500
S/0.806
5,000
Ver
1,000
S/1.04
5,000
S/0.751
25,000
S/0.724
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Perú
