Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/27.09
1,209 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,209 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/27.09
10
S/18.18
100
S/13.58
500
S/12.11
1,000
S/12.11
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1,000
Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.22
3,159 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
3,159 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.22
10
S/3.80
25
S/3.44
100
S/3.04
2,500
S/2.54
5,000
Ver
250
S/2.85
500
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1,000
S/2.61
5,000
S/2.48
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2,500
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/2.06
9,990 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
9,990 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.06
5
S/1.84
10
S/1.59
50
S/1.54
100
Ver
10,000
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100
S/1.44
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S/1.23
5,000
S/1.10
10,000
S/1.10
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10,000
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4300F100K256AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/82.52
3,151 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-XMC4300F100K256A
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
3,151 En existencias
1
S/82.52
10
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25
S/60.68
100
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250
Ver
1,000
S/48.38
250
S/56.21
500
S/55.31
1,000
S/48.38
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1,000
Detalles
Controladores de puertas 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns
+3 imágenes
IR2136STRPBF
Infineon Technologies
1:
S/14.32
2,049 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IR2136STRPBF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns
2,049 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/14.32
10
S/10.67
25
S/9.73
100
S/8.72
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S/7.67
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Ver
250
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500
S/8.06
2,000
S/7.43
5,000
S/7.28
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1,000
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE493DW2B6A0HTSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.70
2,632 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE493DW2B6A0HTS
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
2,632 En existencias
1
S/6.70
5
S/5.96
10
S/5.29
50
S/5.10
100
Ver
3,000
S/3.89
100
S/4.75
500
S/4.36
1,000
S/4.20
2,000
S/3.97
3,000
S/3.89
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Infineon Technologies IRFB3607PBFXKMA1
IRFB3607PBFXKMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.94
1,535 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IRFB3607PBFXKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
1,535 En existencias
1
S/7.94
10
S/4.98
100
S/3.28
500
S/2.65
1,000
Ver
1,000
S/2.25
2,000
S/1.97
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.45
25,981 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
25,981 En existencias
1
S/28.45
10
S/19.03
100
S/15.30
500
S/13.58
1,000
S/12.07
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Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/27.13
8,619 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
8,619 En existencias
1
S/27.13
10
S/17.79
100
S/13.08
500
S/11.64
1,000
S/10.32
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Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
1:
S/32.66
7,755 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5LF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
7,755 En existencias
1
S/32.66
10
S/21.84
100
S/17.56
500
S/15.61
1,000
S/13.82
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Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.96
36,402 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
36,402 En existencias
1
S/25.96
10
S/16.70
100
S/12.61
500
S/11.76
1,000
S/11.29
2,000
S/11.02
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPP051N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/23.43
1,800 En existencias
2,000 Se espera el 4/02/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPP051N15N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,800 En existencias
2,000 Se espera el 4/02/2027
1
S/23.43
10
S/12.34
100
S/11.25
500
S/9.58
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
1:
S/32.27
12,270 En existencias
7,000 Se espera el 28/01/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5LFATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
12,270 En existencias
7,000 Se espera el 28/01/2027
1
S/32.27
10
S/21.60
100
S/17.36
500
S/15.41
1,000
S/13.66
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/27.33
6,065 En existencias
7,000 Se espera el 6/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
6,065 En existencias
7,000 Se espera el 6/08/2026
Embalaje alternativo
1
S/27.33
10
S/18.29
100
S/14.67
500
S/13.04
1,000
S/11.56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/31.68
20,270 En existencias
20,000 Se espera el 19/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
20,270 En existencias
20,000 Se espera el 19/11/2026
Embalaje alternativo
1
S/31.68
10
S/22.30
100
S/18.06
500
S/16.04
1,000
S/14.21
2,000
S/14.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.06
7,249 En existencias
6,000 Se espera el 14/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
7,249 En existencias
6,000 Se espera el 14/09/2026
1
S/28.06
10
S/18.76
100
S/13.74
500
S/13.00
1,000
S/12.57
2,000
S/12.14
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/78.12
215 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
215 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.06
3,871 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
3,871 En existencias
1
S/21.06
10
S/13.94
25
S/12.69
100
S/10.78
1,900
S/7.71
3,800
Ver
250
S/10.24
500
S/9.19
1,000
S/7.94
3,800
S/7.55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,900
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.41
968 En existencias
7,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
968 En existencias
7,500 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
968 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,500 Se espera el 9/07/2026
5,000 Se espera el 23/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/8.41
10
S/6.19
25
S/5.64
100
S/5.02
250
Ver
2,500
S/4.32
250
S/4.75
500
S/4.55
1,000
S/4.40
2,500
S/4.32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.30
4,678 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
4,678 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.30
10
S/6.85
25
S/6.27
100
S/5.61
2,500
S/4.79
5,000
Ver
250
S/5.29
500
S/5.10
1,000
S/4.94
5,000
S/4.67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.37
1,571 En existencias
3,000 Se espera el 20/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
1,571 En existencias
3,000 Se espera el 20/08/2026
Embalaje alternativo
1
S/11.37
10
S/8.49
25
S/7.75
100
S/6.93
3,000
S/5.92
6,000
Ver
250
S/6.58
500
S/6.42
1,000
S/6.11
6,000
S/5.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.15
9,172 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
9,172 En existencias
10,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/9.15
10
S/5.57
100
S/3.93
500
S/3.36
1,000
Ver
5,000
S/2.88
1,000
S/3.04
2,500
S/3.00
5,000
S/2.88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.38
1,330 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
1,330 En existencias
1
S/25.38
10
S/16.62
100
S/12.22
500
S/10.86
1,000
S/9.65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.42
2,281 En existencias
2,000 Se espera el 23/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,281 En existencias
2,000 Se espera el 23/07/2026
Embalaje alternativo
1
S/12.42
10
S/8.02
100
S/5.49
500
S/4.48
1,000
S/4.13
2,000
Ver
2,000
S/4.01
5,000
S/3.88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/26.24
1,202 En existencias
1,000 Se espera el 22/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,202 En existencias
1,000 Se espera el 22/10/2026
1
S/26.24
10
S/17.17
100
S/12.65
500
S/11.25
1,000
S/9.96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles