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Solutions for Light Electric Vehicles (LEV)

Infineon Technologies Solutions for Light Electric Vehicles (LEV) have world-changing potential utilizing the emission-free solution for rising megacities. LEVs apply new technology enabling greater power efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost solutions. LEVs cost less when compared to gasoline or battery powered EVs, making them affordable and hence attractive to emerging markets, where a transition to electrified mobility is in progress.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.01
1,309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB019N08N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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S/27.01

S/18.18

S/13.97

S/10.90

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S/10.47

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Mult.: 1

: 1,000

Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV

TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
1: S/2.10
10,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TLE49641MXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TLE49641MXTMA1

Infineon Technologies

Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV

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S/2.10

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S/1.62

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S/1.16

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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000

XMC4300F100K256AAXUMA1
Infineon Technologies
1: S/82.64
3,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XMC4300F100K256AAXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-XMC4300F100K256A

Infineon Technologies

Microcontroladores ARM - MCU XMC4000

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S/82.64

S/66.02

S/61.03

S/57.45

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S/49.94

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Mult.: 1

: 1,000

Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER

TLE9877QXW40XUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.23
2,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TLE9877QXW40XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TLE9877QXW40XUMA

Infineon Technologies

Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER

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S/13.23

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S/13.23

Min.: 1
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: 2,500

Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV

TLE493DW2B6A0HTSA1
Infineon Technologies
1: S/6.70
2,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TLE493DW2B6A0HTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-TLE493DW2B6A0HTS

Infineon Technologies

Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV

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S/6.70

S/5.96

S/5.29

S/5.10

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S/3.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
3,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL05N06PFXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PFXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD

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S/4.75

S/3.45

S/3.11

S/2.76

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S/2.22

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB3607PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
1,669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB3607PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB3607PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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S/7.12

S/4.52

S/3.01

S/2.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.96
13,274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

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S/25.96

S/17.44

S/12.61

S/11.76

Envase tipo carrete

S/10.98

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Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.12
9,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB044N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB044N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/23.12

S/15.41

S/11.05

S/10.04

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S/9.38

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.77
8,693En existencias

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IPB048N15N5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5LF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/28.77

S/19.42

S/14.13

S/13.47

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S/12.57

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: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB107N20N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.75
6,321En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/27.75

S/18.18

S/13.39

S/12.26

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S/10.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP051N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.43
1,800En existencias
2,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP051N15N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP051N15N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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2,000Se espera el 3/09/2026

S/23.43

S/12.34

S/11.25

S/9.58

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
20,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC039N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

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S/8.95

S/5.57

S/3.87

S/3.36

S/3.04

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S/2.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.53
12,841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N10N5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5LFATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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S/28.53

S/19.27

S/14.01

S/13.31

Envase tipo carrete

S/12.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.69
21,915En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT007N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/28.69

S/18.49

S/14.48

S/13.86

S/12.92

Envase tipo carrete

S/12.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.96
36,823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

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36,823En existencias

Cinta cortada

S/25.96

S/16.70

S/12.61

S/11.76

S/11.29

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.99
1,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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1,410En existencias

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S/21.99

S/14.21

S/10.47

S/9.38

Envase tipo carrete

S/8.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.50
1,334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB048N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1,334En existencias

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S/22.50

S/14.79

S/10.74

S/9.69

Envase tipo carrete

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR

TLS115D0EJXUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.19
2,607En existencias
5,000Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
TLS115D0EJXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TLS115D0EJXUMA1

Infineon Technologies

Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR

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2,607En existencias

5,000Se espera el 16/07/2026

Cinta cortada

S/6.19

S/4.55

S/4.13

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Microcontroladores ARM - MCU XMC1000

XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.27
4,103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XMC1404F064X0200AAXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX

Infineon Technologies

Microcontroladores ARM - MCU XMC1000

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4,103En existencias

Cinta cortada

S/13.27

S/10.00

S/9.19

S/8.25

Envase tipo carrete

S/7.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,900

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output

1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.67
2,271En existencias
2,500Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
1EDI20N12AFXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI20N12AFXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output

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Hoja de datos

2,271En existencias

2,500Se espera el 9/07/2026

Cinta cortada

S/7.67

S/5.68

S/5.18

S/4.63

Envase tipo carrete

S/3.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.07
4,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL23N06PJXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23N06PJXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

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4,705En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/6.73

S/6.11

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.39
2,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
6EDL04N02PRXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04N02PRXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

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Hoja de datos

2,481En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/7.75

S/7.08

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.25
2,691En existencias
2,000Se espera el 18/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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2,691En existencias

2,000Se espera el 18/03/2027

Cinta cortada

S/11.25

S/6.93

S/5.02

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.68

S/3.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.05
1,402En existencias
7,800Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

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Hoja de datos

1,402En existencias

7,800Se espera el 1/06/2026

Cinta cortada

S/27.05

S/17.75

S/13.74

S/13.00

S/12.88

Envase tipo carrete

S/12.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

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