Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet
IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/7.28
3,402 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet
3,402 En existencias
1
S/7.28
10
S/4.20
100
S/3.12
500
S/2.47
4,000
S/1.88
8,000
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S/2.28
2,000
S/2.15
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S/1.86
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.63
3,295 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
3,295 En existencias
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1
S/4.63
10
S/3.35
25
S/3.03
100
S/2.68
2,500
S/1.97
7,500
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S/2.51
500
S/2.41
1,000
S/2.24
7,500
S/1.95
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Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
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S/2.10
10,089 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
10,089 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.10
5
S/1.84
10
S/1.62
50
S/1.54
100
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S/1.09
100
S/1.47
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S/1.32
1,000
S/1.27
2,000
S/1.18
5,000
S/1.09
10,000
S/1.09
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Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4300F100K256AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/79.72
3,151 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-XMC4300F100K256A
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
3,151 En existencias
1
S/79.72
10
S/63.64
25
S/59.63
100
S/55.23
250
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1,000
S/46.40
250
S/53.13
500
S/51.89
1,000
S/46.40
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Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE493DW2B6A0HTSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.38
3,011 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE493DW2B6A0HTS
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
3,011 En existencias
1
S/6.38
5
S/5.68
10
S/5.10
50
S/4.87
100
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S/3.65
100
S/4.67
500
S/4.24
1,000
S/4.05
2,000
S/3.87
3,000
S/3.65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Infineon Technologies IRFB3607PBFXKMA1
IRFB3607PBFXKMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.29
2,365 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IRFB3607PBFXKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
2,365 En existencias
1
S/5.29
10
S/3.60
100
S/2.53
500
S/2.33
1,000
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1,000
S/1.98
5,000
S/1.84
10,000
S/1.83
25,000
S/1.82
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPT029N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.53
2,157 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPT029N08N5ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
2,157 En existencias
1
S/18.53
10
S/12.34
25
S/12.30
100
S/8.80
2,000
S/7.20
4,000
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S/8.76
500
S/7.28
1,000
S/7.24
4,000
S/6.93
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/23.90
11,864 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
11,864 En existencias
1
S/23.90
10
S/15.26
100
S/12.34
500
S/11.91
1,000
S/10.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPP051N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/20.98
847 En existencias
1,000 Se espera el 2/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP051N15N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
847 En existencias
1,000 Se espera el 2/07/2026
1
S/20.98
10
S/11.17
100
S/10.20
500
S/8.45
1,000
S/8.33
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
TLE9877QXW40XUMA1
Infineon Technologies
1:
S/23.39
2,491 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE9877QXW40XUMA
Infineon Technologies
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
2,491 En existencias
1
S/23.39
10
S/17.98
25
S/16.62
100
S/15.10
250
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2,500
S/13.20
250
S/14.40
500
S/13.97
1,000
S/13.58
2,500
S/13.20
5,000
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.65
18,578 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
18,578 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/25.65
10
S/17.91
100
S/13.74
1,000
S/13.58
2,000
S/11.29
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.57
12,589 En existencias
12,000 Se espera el 26/02/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
12,589 En existencias
12,000 Se espera el 26/02/2026
1
S/18.57
10
S/13.55
100
S/10.04
500
S/9.38
2,000
S/7.90
4,000
Ver
1,000
S/8.91
4,000
S/7.86
10,000
Presupuesto
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Detalles
Controladores de puertas 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS
+3 imágenes
IR2136SPBF
Infineon Technologies
1:
S/23.04
1,126 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IR2136SPBF
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS
1,126 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/23.04
10
S/18.65
25
S/17.71
100
S/17.63
250
Ver
250
S/17.05
2,000
S/17.01
4,000
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1:
S/19.85
1,243 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
1,243 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.23
1,335 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,335 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/19.23
10
S/14.99
100
S/12.14
500
S/12.11
1,000
S/10.47
5,000
Ver
5,000
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.23
1,565 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
1,565 En existencias
1
S/16.23
10
S/11.44
100
S/9.26
1,000
S/7.63
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.01
1,070 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
1,070 En existencias
1
S/20.01
10
S/14.05
100
S/10.04
500
S/9.69
1,000
S/7.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
1:
S/26.90
2,941 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5LF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,941 En existencias
1
S/26.90
10
S/18.18
100
S/13.47
1,000
S/10.98
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.41
5,821 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000
5,821 En existencias
1
S/18.41
10
S/12.26
25
S/11.33
100
S/9.85
250
Ver
1,900
S/7.08
250
S/9.34
500
S/8.37
1,000
S/7.08
1,900
S/7.08
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.11
7,163 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
7,163 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.11
10
S/4.48
25
S/4.05
100
S/3.60
2,500
S/2.96
7,500
Ver
250
S/3.38
500
S/3.25
1,000
S/3.08
7,500
S/2.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.86
5,292 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
5,292 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.86
10
S/5.96
25
S/5.33
100
S/4.94
2,500
S/3.93
5,000
Ver
250
S/4.71
500
S/4.52
1,000
S/4.40
5,000
S/3.82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.99
8,420 En existencias
5,000 Se espera el 26/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
8,420 En existencias
5,000 Se espera el 26/11/2026
Embalaje alternativo
1
S/8.99
10
S/5.76
100
S/3.93
500
S/3.14
1,000
Ver
5,000
S/2.48
1,000
S/2.96
2,500
S/2.76
5,000
S/2.48
25,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.51
2,110 En existencias
2,000 Se espera el 5/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,110 En existencias
2,000 Se espera el 5/03/2026
Embalaje alternativo
1
S/10.51
10
S/6.81
100
S/4.67
500
S/3.78
1,000
S/3.31
2,000
S/3.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.86
2,839 En existencias
7,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,839 En existencias
7,000 En pedido
Ver fechas
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Existencias:
2,839 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 26/02/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.19
3,353 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
3,353 En existencias
1
S/22.19
10
S/14.83
100
S/10.67
500
S/10.43
2,000
S/8.49
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles