Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 36

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP029N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

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Hoja de datos

826En existencias

S/8.84

S/4.28

S/4.05

S/2.58

S/2.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.75
2,041En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N06S5L050ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N06S5L050A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

2,041En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/7.75

S/4.90

S/3.24

S/2.56

Ver

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.82
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH68N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH68N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

S/20.82

S/13.82

S/9.85

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

460 A

1.12 Ohms

- 20 V, 20 V

2.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

273 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.29
Plazo de entrega 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega 52 Semanas

Cinta cortada

S/14.29

S/9.30

S/6.50

S/5.37

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.09
4,540Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQDH88N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH88N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

4,540Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/17.09

S/11.29

S/9.26

S/8.52

S/7.90

Envase tipo carrete

S/7.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

447 A

860 uOhms

- 10 V, 10 V

1.1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.66
2,270Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,270Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/13.66

S/8.80

S/6.11

S/5.18

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC007N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.00
3,450Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC007N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3,450Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/23.00

S/15.38

S/11.02

S/10.00

S/9.34

Envase tipo carrete

S/9.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

750 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

209 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
5,000Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC097N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC097N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

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Hoja de datos

5,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/4.13

S/2.58

S/1.75

S/1.39

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.958

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQD009N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.17
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IQD009N06NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD009N06NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/14.17

S/9.81

S/8.41

Envase tipo carrete

S/7.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

445 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP020N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/10.28

S/5.06

S/4.55

S/3.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

S/7.12

S/3.40

S/3.04

S/2.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

69 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
40 A
41 A
46 A
69 A
84 A
95 A
100 A
120 A
137 A
151 A
170 A
233 A
259 A
275 A
276 A
311 A
330 A
339 A
394 A

750 uOhms
800 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.23 mOhms
4 mOhms
4.9 mOhms

12.5 nC
15 nC
28 nC
38 nC
39 nC
47 nC
49 nC
53 nC
56 nC
68 nC
70 nC
75 nC
76 nC
77 nC
90 nC
106 nC
110 nC
115 nC
120 nC
133 nC

2.5 W
36 W
38 W
42 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
125 W
136 W
139 W
167 W
188 W
214 W
217 W
250 W
273 W
278 W
300 W