Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
13,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

13,803En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/9.65

S/8.68

S/7.55

Ver

Envase tipo carrete

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8FL

N-Channel

1 Channel

120 V

163 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.78
4,601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

4,601En existencias

Cinta cortada

S/29.78

S/16.00

S/14.67

S/14.09

S/13.31

Envase tipo carrete

S/13.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.55
6,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

6,575En existencias

Cinta cortada

S/33.55

S/18.26

S/16.78

S/16.50

S/15.61

Envase tipo carrete

S/15.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP022N12NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.32
1,493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP022N12NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP022N12NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1,493En existencias

S/30.32

S/16.31

S/14.99

S/13.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

203 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC032N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.77
3,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC032N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC032N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

3,475En existencias

Cinta cortada

S/19.77

S/13.12

S/9.30

S/8.14

S/7.75

Envase tipo carrete

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.23
10,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC073N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC073N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

10,246En existencias

Cinta cortada

S/13.23

S/8.64

S/5.99

S/4.87

Ver

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

86 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC078N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
6,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC078N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC078N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

6,705En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/8.49

S/5.88

S/4.79

Ver

Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

85 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC104N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
16,696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC104N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC104N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

16,696En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/4.98

S/4.48

S/3.57

Envase tipo carrete

S/2.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

63 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC110N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.61
4,795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC110N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC110N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

4,795En existencias

Cinta cortada

S/9.61

S/6.19

S/4.20

S/3.56

Ver

Envase tipo carrete

S/2.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

15.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB022N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.51
342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB022N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB022N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

342En existencias

Cinta cortada

S/33.51

S/22.81

S/16.74

S/16.58

Envase tipo carrete

S/15.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

120 V

167 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC026N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.77
50En existencias
3,600Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC026N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC026N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

50En existencias

3,600Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/28.77

S/19.42

S/14.13

S/12.92

Envase tipo carrete

S/12.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

222 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.90
52En existencias
3,600Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTG017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

52En existencias

3,600Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/26.90

S/18.10

S/13.12

S/12.30

S/11.52

Envase tipo carrete

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC030N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.27
7En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

7En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/26.27

S/15.80

S/11.64

S/10.35

Ver

Envase tipo carrete

S/9.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

194 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC320N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.47
43En existencias
5,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC320N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC320N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

43En existencias

5,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/7.47

S/3.87

S/2.94

S/2.38

Ver

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ106N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISZ106N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ106N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

25,000En pedido

Cinta cortada

S/8.37

S/5.41

S/3.62

S/2.87

Ver

Envase tipo carrete

S/2.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.70
7,495Se espera el 31/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISZ330N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ330N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,495Se espera el 31/12/2026

Cinta cortada

S/6.70

S/4.13

S/2.71

S/2.13

Ver

Envase tipo carrete

S/1.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1,000: S/4.79
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB133N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB133N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.79

S/4.67

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1,000: S/10.39
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB035N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB035N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.39

S/10.12

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

120 V

138 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

246 W

Enhancement

Reel

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