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ISC032N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC032N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC032N12LM6ATMA
Price: 18.57 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-ISC032N12LM6ATMA

Fabricante N.º:

ISC032N12LM6ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/18.57	S/18.57
	S/12.30	S/123.00
	S/8.76	S/876.00
	S/8.21	S/4,105.00
	S/7.79	S/7,790.00
	S/7.67	S/19,175.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/7.67	S/38,350.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	120 V
Id - Corriente de drenaje continua:	170 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.7 V
Qg - Carga de puerta:	33 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	211 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	67
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	29.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.3 ns
Alias de las piezas n.º:	ISC032N12LM6 -