Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 35

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6
Infineon Technologies
1: S/24.21
154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

154En existencias

S/24.21

S/15.88

S/11.72

S/10.35

S/9.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.76
99En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

99En existencias

S/21.76

S/12.22

S/10.12

S/8.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R160P6
Infineon Technologies
1: S/15.14
500Se espera el 11/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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500Se espera el 11/03/2027

S/15.14

S/9.89

S/7.20

S/5.99

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6
Infineon Technologies
1: S/19.27
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

S/19.27

S/12.65

S/9.42

S/7.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.90
2En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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2En existencias

S/10.90

S/5.37

S/4.83

S/3.88

S/3.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

IPA60R380P6
Infineon Technologies
1: S/9.58
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R380P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

S/9.58

S/6.07

S/4.09

S/3.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.6 A

342 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPL60R180P6
Infineon Technologies
1: S/16.70
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R180P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Cinta cortada

S/16.70

S/10.94

S/8.14

S/6.81

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

600 V

22.4 A

162 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 40 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6
Infineon Technologies
1: S/21.91
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

S/21.91

S/14.36

S/10.70

S/8.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.03
Plazo de entrega no en existencias 51 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 51 Semanas

S/15.03

S/9.38

S/6.97

S/5.61

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6
Infineon Technologies
1: S/22.77
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega 16 Semanas

S/22.77

S/14.91

S/10.98

S/9.77

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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