Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 38

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.58
836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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836En existencias

S/9.58

S/4.71

S/4.24

S/3.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.02
276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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276En existencias

S/18.02

S/9.30

S/8.45

S/6.73

S/6.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6
Infineon Technologies
1: S/24.02
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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207En existencias

S/24.02

S/18.37

S/14.87

S/13.20

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

53.5 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.98
283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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283En existencias

S/23.98

S/18.33

S/14.83

S/13.20

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

53.5 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6
Infineon Technologies
1: S/19.73
242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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242En existencias

S/19.73

S/14.44

S/11.72

S/10.35

S/8.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6
Infineon Technologies
1: S/15.10
499Se espera el 6/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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499Se espera el 6/05/2026

S/15.10

S/11.64

S/9.42

S/8.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

IPA60R380P6
Infineon Technologies
1: S/8.45
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R380P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/8.45

S/5.41

S/3.75

S/3.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.6 A

342 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/13.12

S/6.54

S/5.96

S/4.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6
Infineon Technologies
1: S/16.62
Plazo de entrega 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega 8 Semanas

S/16.62

S/12.96

S/10.51

S/9.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.26
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R099P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/25.26

S/14.48

S/12.11

S/10.51

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6
Infineon Technologies
1: S/16.89
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/16.89

S/11.09

S/8.49

S/7.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPL60R180P6
Infineon Technologies
3,000: S/5.14
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R180P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.14

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

600 V

22.4 A

162 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 40 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies
3,000: S/4.40
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R210P6AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R210P6AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19.2 A

189 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

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