Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Infineon Technologies
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IPW60R160P6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
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822En existencias

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CoolMOS

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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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Infineon Technologies
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IPW60R190P6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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IPD60R600P6ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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S/4.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

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Infineon Technologies
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242En existencias
3,000Se espera el 27/07/2026

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IPL60R210P6

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726-IPL60R210P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

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242En existencias

3,000Se espera el 27/07/2026

Cinta cortada

S/14.95

S/9.73

S/6.81

S/5.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6
Infineon Technologies
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450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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450En existencias

S/20.94

S/13.74

S/10.24

S/8.56

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
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3,027En existencias
2,000Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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S/16.74

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SMD/SMT

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- 20 V, 20 V

4 V

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176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.55
854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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854En existencias

S/23.55

S/13.78

S/11.37

S/10.67

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600 V

37.9 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.92
460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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460En existencias

S/28.92

S/17.59

S/14.05

S/13.08

S/11.13

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.06
1,197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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1,197En existencias

S/28.06

S/15.88

S/13.16

S/11.17

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1 Channel

600 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6
Infineon Technologies
1: S/10.90
39En existencias
500Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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39En existencias

500Se espera el 15/07/2026

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.89

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600 V

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+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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S/11.79

S/6.31

S/5.22

S/4.24

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

13.8 A

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25.5 nC

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32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.06
113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/24.06

S/14.29

S/11.60

S/9.03

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1 Channel

600 V

30 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.71
343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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343En existencias

S/20.71

S/12.38

S/10.39

S/7.75

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1 Channel

600 V

23.8 A

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3.5 V

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6
Infineon Technologies
1: S/22.85
383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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383En existencias

S/22.85

S/14.99

S/11.25

S/9.54

S/8.68

Min.: 1
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1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6
Infineon Technologies
1: S/15.10
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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30En existencias

S/15.10

S/9.85

S/7.16

S/5.99

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23.8 A

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.14
8En existencias
1,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6XKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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Hoja de datos

8En existencias

1,000Se espera el 1/10/2026

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S/7.20

S/5.99

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Min.: 1
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600 V

23.8 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R230P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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S/12.77

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TO-220-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6
Infineon Technologies
1: S/25.96
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6

Infineon Technologies

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S/25.96

S/17.01

S/12.77

S/10.82

S/9.89

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

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3.5 V

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278 W

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