Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6
Infineon Technologies
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844En existencias

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IPW60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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S/17.13

S/11.44

S/8.80

S/7.79

S/6.93

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.47
7,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R380P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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Cinta cortada

S/7.47

S/4.79

S/3.23

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

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SMD/SMT

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N-Channel

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

IPL60R210P6
Infineon Technologies
1: S/13.08
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N.º de artículo del Fabricante
IPL60R210P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R210P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

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Cinta cortada

S/13.08

S/8.52

S/6.54

S/5.49

S/5.06

Envase tipo carrete

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
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3,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R180P6AUMA1

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726-IPL60R180P6AUMA1

Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
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IPW60R099P6XKSA1

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726-IPW60R099P6XKSA1

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S/22.77

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S/9.89

S/9.19

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM

IPA60R600P6
Infineon Technologies
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430En existencias

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IPA60R600P6

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726-IPA60R600P6

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S/8.10

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S/3.58

S/3.03

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CoolMOS

Tube

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IPW60R190P6
Infineon Technologies
1: S/15.34
595En existencias

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IPW60R190P6

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726-IPW60R190P6

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S/15.34

S/10.04

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S/6.54

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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Infineon Technologies
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IPA60R190P6

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726-IPA60R190P6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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S/11.48

S/7.43

S/5.49

S/4.55

S/3.97

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CoolMOS

Tube

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IPP60R190P6
Infineon Technologies
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770En existencias

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IPP60R190P6

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S/12.46

S/8.14

S/6.23

S/5.18

S/4.52

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1 Channel

600 V

20.2 A

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CoolMOS

Tube

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IPP60R160P6
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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S/13.82

S/8.99

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176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.70
1,986En existencias

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IPD60R600P6ATMA1

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S/6.70

S/4.24

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.82

Ver

MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12 nC

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+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6
Infineon Technologies
1: S/18.26
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6

Infineon Technologies

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500En existencias

S/18.26

S/12.07

S/9.46

S/8.02

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N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

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+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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852En existencias

S/16.11

S/8.33

S/7.55

S/7.05

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.92
4,037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/15.92

S/10.47

S/7.32

S/6.58

Envase tipo carrete

S/6.07

S/5.68

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.80
881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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881En existencias

S/21.80

S/11.37

S/10.39

S/9.77

S/8.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6
Infineon Technologies
1: S/13.82
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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30En existencias

S/13.82

S/8.99

S/6.89

S/5.72

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.48
8En existencias
1,000Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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8En existencias

1,000Se espera el 10/09/2026

S/14.48

S/7.32

S/6.62

S/5.33

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.96
214En existencias
500Se espera el 28/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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214En existencias

500Se espera el 28/05/2026

S/25.96

S/15.14

S/12.53

S/9.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6
Infineon Technologies
1: S/38.46
31En existencias
480Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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31En existencias

480Se espera el 2/07/2026

S/38.46

S/30.09

S/25.07

S/22.30

S/20.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

77.5 A

37 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.09
90En existencias
480Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

90En existencias

480Se espera el 2/07/2026

S/43.09

S/26.90

S/22.69

S/20.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

77.5 A

37 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

115En existencias

S/19.07

S/10.70

S/8.84

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.70
343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

343En existencias

S/16.70

S/9.26

S/8.80

S/6.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6
Infineon Technologies
1: S/22.85
383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

383En existencias

S/22.85

S/14.99

S/11.25

S/9.54

S/8.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
534En existencias

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IPA60R230P6XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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IPA60R280P6
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