Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

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Resultados: 77

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM70090E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.93
1,336En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70090E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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1,336En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/4.87

S/4.36

S/3.30

Envase tipo carrete

S/2.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

ThunderFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

SUP90220E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.40
378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90220E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90220E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

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378En existencias

S/14.40

S/8.49

S/6.54

S/5.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

64 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

SUP90330E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.19
887En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90330E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90330E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

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887En existencias

S/9.19

S/4.48

S/4.01

S/3.19

S/2.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

35.8 A

31.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

ThunderFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7454DDP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.37
223En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI7454DDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7454DDP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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223En existencias

60,000En pedido

Cinta cortada

S/8.37

S/5.61

S/3.80

S/3.02

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

27.8 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75

SIB456DK-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.19
5,056En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIB456DK-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIB456DK-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75

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5,056En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.44

S/1.27

S/0.969

S/0.954

Envase tipo carrete

S/0.747

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-75-6

N-Channel

1 Channel

100 V

6.3 A

153 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH

SIJ470DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.03
1,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ470DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ470DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH

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1,618En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.80

S/3.93

S/3.29

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

58.8 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR610DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.13
18En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIR610DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR610DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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18En existencias

12,000En pedido

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/4.83

S/3.93

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

35.4 A

23.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR618DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.32
300En existencias
21,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIR618DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR618DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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300En existencias

21,000En pedido

Cinta cortada

S/7.32

S/4.63

S/3.06

S/2.42

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

14.2 A

76 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR880ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.02
157En existencias
30,084En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIR880ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR880ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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157En existencias

30,084En pedido

Cinta cortada

S/11.02

S/7.12

S/4.87

S/3.85

S/3.58

Envase tipo carrete

S/3.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS862DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
2,344En existencias
27,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIS862DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS862DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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2,344En existencias

27,000En pedido

Cinta cortada

S/7.12

S/4.52

S/3.02

S/2.39

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-247

SUG80050E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/27.13
5En existencias
1,000Se espera el 3/01/2028

N.º de artículo del Fabricante
SUG80050E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUG80050E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-247

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5En existencias

1,000Se espera el 3/01/2028

S/27.13

S/17.79

S/13.12

S/11.64

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

SUM90330E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.38
583En existencias
2,400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM90330E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90330E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

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583En existencias

2,400En pedido

Cinta cortada

S/9.38

S/6.03

S/4.13

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

35.1 A

31.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70040E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.85
519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70040E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70040E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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519En existencias

S/16.85

S/11.09

S/7.82

S/7.08

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

SIR662DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.41
155En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIR662DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR662DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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155En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/11.41

S/7.40

S/5.10

S/4.16

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V(D-S)

SIR870DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.55
124En existencias
36,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIR870DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR870DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V(D-S)

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Hoja de datos

124En existencias

36,000En pedido

Cinta cortada

S/13.55

S/8.84

S/6.15

S/5.10

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA446DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.44
80,543En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIA446DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA446DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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Hoja de datos

80,543En pedido

Cinta cortada

S/4.44

S/2.64

S/1.79

S/1.45

S/1.30

Envase tipo carrete

S/1.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

150 V

7.7 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR692DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.47
35,990En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIR692DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR692DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

35,990En pedido

Cinta cortada

S/10.47

S/6.77

S/4.63

S/4.05

S/3.57

Envase tipo carrete

S/3.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

250 V

24.2 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS71DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.24
110,470En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SISS71DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS71DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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Hoja de datos

110,470En pedido

Cinta cortada

S/7.24

S/4.55

S/2.98

S/2.37

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

100 V

23 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 50 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2392ADS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.97
63,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI2392ADS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392ADS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

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Comentarios de Producto

63,000En pedido

Cinta cortada

S/3.97

S/2.82

S/1.76

S/1.21

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.1 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI40

SI4056DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.41
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4056DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4056DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI40

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S/5.41

S/2.52

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S/1.75

S/1.65

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S/1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11.1 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

29.5 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4190ADY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.32
13,715En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4190ADY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

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S/10.32

S/6.77

S/4.71

S/3.97

S/3.72

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S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18.4 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR690DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.34
5,495Se espera el 14/01/2028

N.º de artículo del Fabricante
SIR690DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR690DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/9.34

S/6.15

S/4.36

S/3.75

S/3.36

Envase tipo carrete

S/3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

34.4 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

31.9 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR846ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.47
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIR846ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR846ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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9,000En pedido

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S/13.47

S/8.14

S/6.11

S/5.22

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR414DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.81
11,750Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIR414DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR414DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/9.81

S/4.79

S/4.32

S/3.43

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S/2.93

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS434DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.59
33,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIS434DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS434DN-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.08

S/2.43

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S/1.88

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

ThunderFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.6 A
3.1 A
4.1 A
4.5 A
5.5 A
6.3 A
7.7 A
10.3 A
11.1 A
11.3 A
14.1 A
14.2 A
15.1 A
18.4 A
18.6 A
19.5 A
19.7 A
20.2 A
23 A
24.2 A

1.65 mOhms
1.9 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
3.2 mOhms
3.8 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
6.5 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
7.2 mOhms

2.9 nC
4.4 nC
5 nC
8 nC
8.4 nC
10 nC
10.9 nC
11 nC
12 nC
14.2 nC
16 nC, 25 nC
18.2 nC
19.5 nC
21 nC
21.5 nC
24.8 nC
25 nC
27 nC
28 nC
29 nC

5 mW
2.5 W
2.8 W
5.6 W
5.7 W
6 W
7.8 W
13 W
19 W
26 W
35.7 W
46 W
48 W
52 W
56.8 W
57 W
62.5 W
65.2 W
65.8 W
69.4 W