Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

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Resultados: 77

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

SIR826DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.10
12,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR826DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR826DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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12,045En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/7.67

S/6.93

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR470DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.71
26,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR470DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR470DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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26,699En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.61

S/7.01

S/5.88

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

155 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7322ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.36
138,576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7322ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7322ADN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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138,576En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.02

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

15.1 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR622DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.29
109,819En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR622DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR622DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

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109,819En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/4.24

S/3.73

S/2.95

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

51.6 A

17.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.70
35,110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS892ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS892ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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35,110En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/3.17

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

28 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA416DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.90
36,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA416DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA416DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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36,970En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/2.09

S/1.85

S/1.44

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

100 V

11.3 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ

SIJ494DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.63
11,713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ494DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ494DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ

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11,713En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.59

S/3.71

S/3.17

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

150 V

36.8 A

19.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

SUD70090E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.43
17,115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD70090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD70090E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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17,115En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.63

S/3.71

S/3.22

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

ThunderFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR876ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.00
3,336En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR876ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR876ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/10.00

S/4.90

S/4.40

S/3.51

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220

SUP10250E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.15
2,797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP10250E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP10250E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220

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2,797En existencias

S/16.15

S/8.21

S/7.43

S/6.07

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

63 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

SUP90140E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.98
1,216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90140E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90140E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

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1,216En existencias

S/17.98

S/9.23

S/8.37

S/6.85

S/6.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR696DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.90
20,277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR696DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR696DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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20,277En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/3.80

S/3.40

S/2.69

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

125 V

60 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR616DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.66
9,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR616DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR616DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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9,494En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.09

S/3.25

S/2.76

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

20.2 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SC70-6

SI1480DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.53
4,537En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1480DH-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1480DH-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SC70-6

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4,537En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.46

S/1.19

S/0.884

Envase tipo carrete

S/0.677

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

100 V

2.6 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7252DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.07
21,366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7252DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7252DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

21,366En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/5.99

S/5.41

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

36.7 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

SUM90142E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.67
12,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90142E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90142E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

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Hoja de datos

12,637En existencias

S/17.67

S/9.07

S/8.25

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

SUP90142E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.74
33,052En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90142E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90142E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

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Hoja de datos

33,052En existencias

S/16.74

S/9.07

S/8.25

S/6.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR632DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.06
5,925En existencias
3,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIR632DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR632DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

5,925En existencias

3,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/8.06

S/3.87

S/3.27

S/2.69

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.27

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

29 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

69.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR826ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.58
2,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR826ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR826ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

2,518En existencias

Cinta cortada

S/13.58

S/6.81

S/6.15

S/4.98

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR870ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.76
3,056En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR870ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR870ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

3,056En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/5.84

S/5.25

S/4.24

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Volts 60 Amps 83 Watts

SIR882DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.43
4,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR882DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR882DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Volts 60 Amps 83 Watts

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Hoja de datos

4,382En existencias

Cinta cortada

S/13.43

S/6.73

S/6.07

S/4.94

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS468DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.75
7,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS468DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS468DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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7,256En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/3.71

S/3.32

S/2.63

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

SIS892DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.87
9,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS892DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS892DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

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Hoja de datos

9,753En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/4.32

S/3.77

S/3.08

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

14.2 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs

SUG90090E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/23.28
6,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUG90090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUG90090E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs

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6,214En existencias

S/23.28

S/12.22

S/11.13

S/9.19

S/8.95

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

100 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

129 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM10250E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.15
1,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM10250E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM10250E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

1,073En existencias

S/16.15

S/8.21

S/7.43

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

63.5 A

24.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

ThunderFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.6 A
3.1 A
4.1 A
4.5 A
5.5 A
6.3 A
7.7 A
10.3 A
11.1 A
11.3 A
14.1 A
14.2 A
15.1 A
18.4 A
18.6 A
19.5 A
19.7 A
20.2 A
23 A
24.2 A

1.65 mOhms
1.9 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
3.2 mOhms
3.8 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
6.5 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
7.2 mOhms

2.9 nC
4.4 nC
5 nC
8 nC
8.4 nC
10 nC
10.9 nC
11 nC
12 nC
14.2 nC
16 nC, 25 nC
18.2 nC
19.5 nC
21 nC
21.5 nC
24.8 nC
25 nC
27 nC
28 nC
29 nC

5 mW
2.5 W
2.8 W
5.6 W
5.7 W
6 W
7.8 W
13 W
19 W
26 W
35.7 W
46 W
48 W
52 W
56.8 W
57 W
62.5 W
65.2 W
65.8 W
69.4 W