Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

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Resultados: 80

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

SUP90140E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.54
1,290En existencias

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SUP90140E-GE3

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78-SUP90140E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

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S/16.54

S/8.60

S/7.82

S/6.27

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR616DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.61
11,734En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR616DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR616DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/5.61

S/3.75

S/2.82

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.20

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

20.2 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR618DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.58
18,640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR618DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR618DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/1.90

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.69

S/1.62

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

14.2 A

76 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

SISS94DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.57
26,727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS94DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS94DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

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S/5.57

S/3.51

S/2.33

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.47

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH-8

N-Channel

1 Channel

200 V

19.5 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V

SIR846DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.49
5,067En existencias

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SIR846DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR846DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V

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S/12.49

S/8.14

S/5.68

S/4.83

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S/4.09

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 100V 2.6A N-CH MOSFET

SI1480DH-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.32
79,938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1480DH-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1480DH-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 100V 2.6A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/1.32

S/1.07

S/0.958

S/0.907

S/0.814

Envase tipo carrete

S/0.553

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

100 V

2.6 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

SUM90220E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.31
3,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90220E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90220E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

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S/13.31

S/5.64

S/4.44

S/4.40

S/4.24

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Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

64 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR624DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.77
18,287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR624DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR624DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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S/6.77

S/4.32

S/2.88

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.86

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

18.6 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

SUM90330E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.76
1,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90330E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90330E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

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Cinta cortada

S/8.76

S/5.64

S/3.83

S/2.88

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S/2.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

35.1 A

31.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4090DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
25,981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4090DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4090DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

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S/7.12

S/4.94

S/3.35

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.29

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19.7 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7454DDP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.17
33,820En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7454DDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7454DDP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/8.17

S/5.25

S/3.55

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.29

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

27.8 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
37,521En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS892ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS892ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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37,521En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.66

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

28 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR804DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.52
11,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR804DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR804DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/11.52

S/7.90

S/5.92

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.48

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50.8 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS434DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.80
41,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS434DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS434DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/5.80

S/3.67

S/2.44

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.53

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2392ADS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.08
30,189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2392ADS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392ADS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

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30,189En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.90

S/1.25

S/0.958

Envase tipo carrete

S/0.755

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.1 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4190ADY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.72
5,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4190ADY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/8.72

S/5.88

S/4.24

S/3.50

Envase tipo carrete

S/2.99

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18.4 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8

SI4848ADY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.09
9,815En existencias
5,000Se espera el 9/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI4848ADY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4848ADY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8

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9,815En existencias

5,000Se espera el 9/04/2026

Cinta cortada

S/4.09

S/2.55

S/1.67

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

5.5 A

133 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

5 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR632DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.51
6,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR632DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR632DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/7.51

S/4.55

S/3.15

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

29 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

69.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR870ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.77
6,188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR870ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR870ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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6,188En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/6.85

S/4.90

S/4.05

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS468DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
3,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS468DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS468DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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3,005En existencias

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S/7.12

S/4.36

S/3.10

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.93

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

SIS892DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
8,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS892DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS892DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

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Hoja de datos

8,292En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.10

S/3.57

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

14.2 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS71DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
13,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS71DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS71DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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Hoja de datos

13,697En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.09

S/2.71

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

100 V

23 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 50 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-247

SUG80050E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/23.16
1,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUG80050E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUG80050E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-247

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1,912En existencias

S/23.16

S/15.53

S/11.17

S/9.30

S/8.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs

SUG90090E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.59
754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUG90090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUG90090E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs

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754En existencias

S/20.59

S/11.91

S/9.81

S/8.10

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

100 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

129 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM10250E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.10
1,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM10250E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM10250E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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1,752En existencias

S/15.10

S/9.89

S/6.97

S/5.57

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

63.5 A

24.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

ThunderFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.6 A
3.1 A
4.1 A
4.5 A
5.5 A
6.3 A
7.7 A
10.3 A
11.1 A
11.3 A
14.1 A
14.2 A
15.1 A
18.4 A
18.6 A
19.5 A
19.7 A
20.2 A
23 A
24.2 A

1.65 mOhms
1.9 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
3.2 mOhms
3.8 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
6.5 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
7.2 mOhms

2.9 nC
4.4 nC
5 nC
8 nC
8.4 nC
10 nC
10.9 nC
11 nC
12 nC
14.2 nC
16 nC, 25 nC
18.2 nC
19.5 nC
20 nC
21 nC
21.5 nC
24.8 nC
25 nC
27 nC
28 nC

5 mW
2.5 W
2.8 W
5.6 W
5.7 W
6 W
7.8 W
13 W
19 W
26 W
35.7 W
46 W
48 W
52 W
56.8 W
57 W
62.5 W
65.2 W
65.8 W
69.4 W