Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

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Resultados: 77

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM70040E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.85
1,940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70040E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70040E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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1,940En existencias

Cinta cortada

S/16.85

S/8.60

S/7.82

S/6.15

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM90140E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.85
1,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90140E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90140E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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1,029En existencias

S/16.85

S/11.09

S/7.82

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70060E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.72
1,810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70060E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70060E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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1,810En existencias

S/11.72

S/5.80

S/5.22

S/4.32

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

131 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-220

SUP80090E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.85
2,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP80090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP80090E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-220

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2,812En existencias

S/16.85

S/11.09

S/7.82

S/7.05

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR880DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.94
5,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR880DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR880DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/13.94

S/9.11

S/6.50

S/5.29

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET

SI2392ADS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.35
11,845En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2392ADS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392ADS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET

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Comentarios de Producto

11,845En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.07

S/1.34

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.743

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.1 A

126 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4058DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.13
36,852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4058DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4058DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

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36,852En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.57

S/1.68

S/1.29

Envase tipo carrete

S/0.985

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

10.3 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

5.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4090DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.49
15,516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4090DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4090DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

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15,516En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.41

S/3.66

S/2.91

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19.7 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs SO-8

SI4434ADY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.60
3,139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4434ADY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4434ADY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs SO-8

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3,139En existencias

Cinta cortada

S/11.60

S/7.51

S/5.18

S/4.16

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

250 V

4.1 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10.9 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA416DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.52
31,028En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA416DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA416DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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31,028En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.09

S/1.85

S/1.44

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

1 Channel

100 V

11.3 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

19 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75

SIB456DK-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.19
20,056En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIB456DK-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIB456DK-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75

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20,056En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.747

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-75-6

N-Channel

1 Channel

100 V

6.3 A

153 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJ482DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.89
7,016En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ482DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ482DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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7,016En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.50

S/4.55

S/3.73

S/3.46

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR622DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.30
2,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR622DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR622DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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2,684En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.92

S/4.09

S/3.24

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

51.6 A

17.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR624DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.24
16,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR624DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR624DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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16,136En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.09

S/2.44

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

18.6 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR640ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.08
3,257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR640ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR640ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

3,257En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.66

S/4.67

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

900 mV

90 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR882ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.43
5,118En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIR882ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR882ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

5,118En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/13.43

S/8.76

S/6.07

S/4.94

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS890DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.10
24,304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS890DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS890DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

24,304En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.49

S/2.77

S/2.54

Envase tipo carrete

S/2.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

SISS94DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.96
15,154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS94DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS94DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

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Hoja de datos

15,154En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.76

S/2.50

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH-8

N-Channel

1 Channel

200 V

19.5 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS98DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.70
21,321En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS98DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS98DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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Hoja de datos

21,321En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

200 V

14.1 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18.2 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-252

SUD90330E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.84
14,324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD90330E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD90330E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-252

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Comentarios de Producto

14,324En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.37

S/3.83

S/3.05

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

35.8 A

31.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

SUM70040M-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.85
1,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70040M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70040M-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

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Cinta cortada

S/16.85

S/11.09

S/7.82

S/6.23

Envase tipo carrete

S/6.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

SUM90220E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.25
2,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90220E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90220E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

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S/14.25

S/9.30

S/6.50

S/5.14

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Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

64 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR804DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.43
4,502En existencias

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SIR804DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR804DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/13.43

S/9.03

S/6.66

S/5.49

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50.8 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V

SIR846DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.43
3,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR846DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR846DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V

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S/13.43

S/8.76

S/6.07

S/4.94

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS434DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.59
16,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS434DN-T1-GE3

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781-SIS434DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/7.59

S/4.71

S/3.08

S/2.43

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S/1.88

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

ThunderFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.6 A
3.1 A
4.1 A
4.5 A
5.5 A
6.3 A
7.7 A
10.3 A
11.1 A
11.3 A
14.1 A
14.2 A
15.1 A
18.4 A
18.6 A
19.5 A
19.7 A
20.2 A
23 A
24.2 A

1.65 mOhms
1.9 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
3.2 mOhms
3.8 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
6.5 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
7.2 mOhms

2.9 nC
4.4 nC
5 nC
8 nC
8.4 nC
10 nC
10.9 nC
11 nC
12 nC
14.2 nC
16 nC, 25 nC
18.2 nC
19.5 nC
21 nC
21.5 nC
24.8 nC
25 nC
27 nC
28 nC
29 nC

5 mW
2.5 W
2.8 W
5.6 W
5.7 W
6 W
7.8 W
13 W
19 W
26 W
35.7 W
46 W
48 W
52 W
56.8 W
57 W
62.5 W
65.2 W
65.8 W
69.4 W