Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

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Resultados: 80

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJ482DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.19
20,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ482DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ482DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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20,710En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/4.55

S/3.64

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.85

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

SIR826DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.13
13,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR826DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR826DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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13,988En existencias

Cinta cortada

S/14.13

S/9.26

S/6.46

S/5.68

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7252DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.29
43,044En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7252DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7252DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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43,044En existencias

Cinta cortada

S/11.29

S/7.32

S/5.06

S/4.20

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.41

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

36.7 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR610DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.16
17,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR610DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR610DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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17,929En existencias

Cinta cortada

S/10.16

S/6.54

S/4.52

S/3.62

Envase tipo carrete

S/2.97

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

35.4 A

23.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR622DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.17
113,157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR622DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR622DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

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113,157En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.25

S/3.53

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.29

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

51.6 A

17.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS862DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.64
31,519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS862DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS862DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.85

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.79

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS890DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.51
41,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS890DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS890DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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41,263En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.26

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.09

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7322ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.41
153,424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7322ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7322ADN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/2.41

S/2.09

S/1.46

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.09

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

15.1 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

SUM90142E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.54
17,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90142E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90142E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

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17,434En existencias

S/16.54

S/10.90

S/7.71

S/7.36

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Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

SUP90142E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.53
37,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90142E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90142E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

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37,755En existencias

S/12.53

S/7.90

S/7.32

S/6.23

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200V (D-S)

SUD90330E-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.25
26,207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD90330E-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD90330E-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200V (D-S)

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Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.57

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.33

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

35.1 A

37.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR470DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.66
29,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR470DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR470DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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29,156En existencias

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S/13.66

S/8.91

S/6.27

S/5.45

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

155 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR622DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.72
5,817En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR622DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR622DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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5,817En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.61

S/3.79

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.47

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

51.6 A

17.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM90140E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.76
1,507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90140E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90140E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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1,507En existencias

S/15.76

S/10.39

S/7.32

S/6.66

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Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.62
11,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA537EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA537EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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Cinta cortada

S/3.62

S/2.25

S/1.46

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.876

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V, 20 V

4.5 A

23 mOhms, 44 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

16 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET

SI2392ADS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.11
16,044En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2392ADS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392ADS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET

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16,044En existencias

Cinta cortada

S/3.11

S/1.93

S/1.25

S/0.954

Envase tipo carrete

S/0.592

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.1 A

126 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR876ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.34
7,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR876ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR876ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

7,692En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/5.99

S/4.13

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS98DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.27
27,195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS98DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS98DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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27,195En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.65

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.67

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

200 V

14.1 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18.2 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-252

SUD90330E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.25
18,954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD90330E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD90330E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-252

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Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.57

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.41

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

35.8 A

31.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220

SUP10250E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.10
3,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP10250E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP10250E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220

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3,007En existencias

S/15.10

S/7.67

S/6.97

S/5.68

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

63 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

SUP90140E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.54
1,290En existencias

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SUP90140E-GE3

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78-SUP90140E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

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S/16.54

S/8.60

S/7.82

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR616DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.61
11,734En existencias

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SIR616DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR616DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/2.20

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

20.2 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR618DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.58
18,640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR618DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR618DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/6.58

S/4.20

S/1.90

S/1.69

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S/1.69

S/1.62

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

14.2 A

76 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

SISS94DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.57
26,727En existencias

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SISS94DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS94DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

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S/2.33

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S/1.47

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH-8

N-Channel

1 Channel

200 V

19.5 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V

SIR846DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.49
5,067En existencias

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SIR846DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR846DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V

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S/8.14

S/5.68

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S/4.09

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

ThunderFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.6 A
3.1 A
4.1 A
4.5 A
5.5 A
6.3 A
7.7 A
10.3 A
11.1 A
11.3 A
14.1 A
14.2 A
15.1 A
18.4 A
18.6 A
19.5 A
19.7 A
20.2 A
23 A
24.2 A

1.65 mOhms
1.9 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
3.2 mOhms
3.8 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
6.5 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
7.2 mOhms

2.9 nC
4.4 nC
5 nC
8 nC
8.4 nC
10 nC
10.9 nC
11 nC
12 nC
14.2 nC
16 nC, 25 nC
18.2 nC
19.5 nC
20 nC
21 nC
21.5 nC
24.8 nC
25 nC
27 nC
28 nC

5 mW
2.5 W
2.8 W
5.6 W
5.7 W
6 W
7.8 W
13 W
19 W
26 W
35.7 W
46 W
48 W
52 W
56.8 W
57 W
62.5 W
65.2 W
65.8 W
69.4 W