Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 77

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4090DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.49
25,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4090DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4090DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

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25,896En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.41

S/3.66

S/2.91

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19.7 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7322ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.36
141,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7322ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7322ADN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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141,369En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.73

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

15.1 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

SUM90142E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.67
17,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90142E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90142E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263

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17,009En existencias

S/17.67

S/11.68

S/8.25

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

SIR826DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.10
12,921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR826DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR826DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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12,921En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/9.89

S/6.93

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR622DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.29
112,025En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR622DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR622DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

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112,025En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/5.41

S/3.80

S/3.02

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

51.6 A

17.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

SUP90142E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.95
37,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90142E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90142E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

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37,667En existencias

S/14.95

S/9.07

S/8.14

S/6.73

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR470DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.64
28,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR470DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR470DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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28,812En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/9.58

S/6.70

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

155 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET

SI2392ADS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.35
14,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2392ADS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392ADS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET

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Comentarios de Producto

14,438En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.07

S/1.34

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.685

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.1 A

126 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR876ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.00
7,149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR876ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR876ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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7,149En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.42

S/4.40

S/3.51

S/3.23

Envase tipo carrete

S/3.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS98DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.70
26,530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS98DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS98DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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26,530En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

200 V

14.1 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18.2 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220

SUP10250E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.15
2,973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP10250E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP10250E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220

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2,973En existencias

S/16.15

S/8.21

S/7.43

S/6.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

63 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

SUP90140E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.98
1,226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90140E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90140E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220

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Hoja de datos

1,226En existencias

S/17.98

S/9.23

S/8.37

S/6.85

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ

SIJ494DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.46
13,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ494DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ494DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ

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13,999En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/5.06

S/3.71

S/3.17

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

150 V

36.8 A

19.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

ThunderFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR640ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.76
5,195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR640ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR640ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

5,195En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/6.07

S/4.44

S/3.74

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

900 mV

90 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR696DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.90
21,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR696DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR696DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

21,637En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.40

S/2.69

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

125 V

60 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR624DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.24
17,442En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR624DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR624DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

17,442En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

18.6 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR882ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.43
9,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR882ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR882ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

9,075En existencias

Cinta cortada

S/13.43

S/8.76

S/6.07

S/4.94

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR616DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.89
10,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR616DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR616DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

10,214En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/4.63

S/3.29

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

200 V

20.2 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SC70-6

SI1480DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.72
4,547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1480DH-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1480DH-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SC70-6

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Comentarios de Producto

4,547En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/1.84

S/1.18

S/0.876

Envase tipo carrete

S/0.673

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

100 V

2.6 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7252DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.07
23,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7252DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7252DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

23,151En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.36

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

36.7 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS890DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.10
34,262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS890DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS890DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIS892ADN-T1-GE3

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78-SIS892ADN-T1-GE3

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PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

100 V

28 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2392ADS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI2392ADS-T1-GE3

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78-SI2392ADS-T1-GE3

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.1 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI40

SI4056DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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6,108En existencias
10,000Se espera el 23/09/2027

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SI4056DY-T1-GE3

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78-SI4056DY-T1-GE3

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S/1.75

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SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11.1 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

29.5 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8

SI4848ADY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.36
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SI4848ADY-T1-GE3

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78-SI4848ADY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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S/1.79

S/1.38

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S/1.11

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: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

5.5 A

133 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

5 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.6 A
3.1 A
4.1 A
4.5 A
5.5 A
6.3 A
7.7 A
10.3 A
11.1 A
11.3 A
14.1 A
14.2 A
15.1 A
18.4 A
18.6 A
19.5 A
19.7 A
20.2 A
23 A
24.2 A

1.65 mOhms
1.9 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
3.2 mOhms
3.8 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
6.5 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
7.2 mOhms

2.9 nC
4.4 nC
5 nC
8 nC
8.4 nC
10 nC
10.9 nC
11 nC
12 nC
14.2 nC
16 nC, 25 nC
18.2 nC
19.5 nC
21 nC
21.5 nC
24.8 nC
25 nC
27 nC
28 nC
29 nC

5 mW
2.5 W
2.8 W
5.6 W
5.7 W
6 W
7.8 W
13 W
19 W
26 W
35.7 W
46 W
48 W
52 W
56.8 W
57 W
62.5 W
65.2 W
65.8 W
69.4 W