MOSFETs de SiC – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.98
3,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R057M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R057M1HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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3,980En existencias

Cinta cortada

S/30.98

S/21.06

S/16.23

S/16.19

Envase tipo carrete

S/13.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

161 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R260M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.74
865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R260M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R260M1HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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865En existencias

Cinta cortada

S/16.74

S/11.05

S/7.79

S/7.12

Envase tipo carrete

S/5.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

346 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R163M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/19.38
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R163M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R163M1HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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739En existencias

Cinta cortada

S/19.38

S/12.46

S/9.19

S/8.68

Envase tipo carrete

S/7.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

217 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/58.39
783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R022M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R022M1HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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783En existencias

Cinta cortada

S/58.39

S/41.10

S/37.17

S/37.13

Envase tipo carrete

S/31.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

30 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R107M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.69
753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R107M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R107M1HXTM

Infineon Technologies

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753En existencias

Cinta cortada

S/22.69

S/13.08

S/11.72

S/11.68

Envase tipo carrete

S/9.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

141 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R083M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.87
466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R083M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R083M1HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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466En existencias

Cinta cortada

S/24.87

S/15.76

S/13.12

S/12.96

Envase tipo carrete

S/10.55

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

111 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

126 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/45.08
1,477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R030M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R030M1HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,477En existencias

Cinta cortada

S/45.08

S/30.56

S/26.59

S/26.55

Envase tipo carrete

S/21.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.33
444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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444En existencias

S/18.33

S/13.20

S/11.68

S/10.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R039M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.21
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R039M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R039M1HXTM

Infineon Technologies

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692En existencias

Cinta cortada

S/30.21

S/23.12

S/20.82

S/20.75

Envase tipo carrete

S/16.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

51 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.06
911En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R072M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R072M1HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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911En existencias

Cinta cortada

S/28.06

S/19.00

S/14.25

S/14.21

Envase tipo carrete

S/11.60

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R048M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/33.79
1,051En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R048M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R048M1HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,051En existencias

Cinta cortada

S/33.79

S/23.12

S/18.26

S/18.22

Envase tipo carrete

S/15.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

183 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.50
222En existencias
720Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

222En existencias

720Se espera el 30/07/2026

S/51.50

S/31.26

S/27.44

S/26.16

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.07
254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R030M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

254En existencias

S/41.07

S/28.03

S/23.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.15
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

332En existencias

S/32.15

S/20.40

S/17.48

S/16.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/49.55
153En existencias
240Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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153En existencias

240Se espera el 23/02/2026

S/49.55

S/30.01

S/25.73

S/25.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/45.70
20En existencias
240Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R030M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

20En existencias

240Se espera el 26/02/2026

S/45.70

S/27.52

S/25.15

S/23.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.42
91En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R057M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R057M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

91En existencias

S/28.42

S/17.32

S/14.75

S/14.29

S/14.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.06
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

300En existencias

S/28.06

S/14.71

S/13.35

S/13.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.68
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R083M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R083M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

92En existencias

S/21.68

S/13.94

S/12.22

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

111 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.50
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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251En existencias

S/22.50

S/13.08

S/11.79

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.98
155En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R039M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R039M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

155En existencias

S/33.98

S/22.23

S/17.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

50 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.65
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R057M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R057M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

132En existencias

S/28.65

S/18.45

S/18.06

S/14.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.64
480Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R039M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R039M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

480Se espera el 23/02/2026

S/34.64

S/21.29

S/18.45

S/17.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

50 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.00
480Se espera el 16/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

480Se espera el 16/06/2026

S/32.00

S/19.23

S/17.32

S/16.08

S/15.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.77
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R072M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

S/28.77

S/16.66

S/13.66

S/12.49

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

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