MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Resultados: 26

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R107M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.69
753En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R107M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R107M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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753En existencias

Cinta cortada

S/25.69

S/16.50

S/13.04

S/12.22

Envase tipo carrete

S/11.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

141 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.11
355En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R039M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R039M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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355En existencias

S/35.11

S/25.22

S/21.37

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

50 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.24
861En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R072M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R072M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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861En existencias

Cinta cortada

S/30.24

S/20.98

S/15.45

S/14.99

Envase tipo carrete

S/13.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R048M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.28
1,019En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R048M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R048M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,019En existencias

Cinta cortada

S/36.28

S/23.71

S/18.68

Envase tipo carrete

S/17.44

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

183 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.41
437En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Fin de vida útil

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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437En existencias

S/24.41

S/15.30

S/13.62

S/13.39

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.98
653En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R022M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R022M1HXTM

NRND

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653En existencias

Cinta cortada

S/65.98

S/46.63

S/39.90

Envase tipo carrete

S/37.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

30 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/52.51
450En existencias
NRND

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IMW65R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R030M1HXKSA

NRND

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450En existencias

S/52.51

S/31.72

S/27.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.10
434En existencias
NRND

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IMW65R072M1HXKSA1

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726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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434En existencias

S/31.10

S/18.57

S/15.61

S/14.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R260M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.57
747En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R260M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R260M1HXTM

NRND

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747En existencias

Cinta cortada

S/18.57

S/12.26

S/8.68

S/7.47

Envase tipo carrete

S/7.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

346 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/56.32
1,240En existencias
NRND

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IMW65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

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1,240En existencias

S/56.32

S/34.22

S/30.40

Min.: 1
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Through Hole

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N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.00
455En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

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455En existencias

S/39.00

S/22.97

S/19.42

S/18.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.29
254En existencias
240Se espera el 9/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R030M1HXKS

NRND

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254En existencias

240Se espera el 9/07/2026

S/50.29

S/32.23

S/30.63

S/28.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.12
132En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R057M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R057M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

132En existencias

S/36.12

S/21.14

S/20.71

S/16.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.15
55En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R057M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R057M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

55En existencias

S/32.15

S/22.27

S/17.40

S/16.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.22
320En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R083M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R083M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

320En existencias

S/28.22

S/17.40

S/15.22

S/13.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

111 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.64
342En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

342En existencias

S/27.64

S/15.80

S/13.23

S/11.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/57.65
18En existencias
1,200En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

18En existencias

1,200En pedido

S/57.65

S/39.20

S/33.09

S/33.01

S/31.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.90
15En existencias
240Se espera el 31/12/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

15En existencias

240Se espera el 31/12/2026

S/39.90

S/25.73

S/20.71

S/19.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.63
1,995En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R057M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R057M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,995En pedido

Cinta cortada

S/30.63

S/22.89

S/17.09

S/16.89

Envase tipo carrete

S/15.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

161 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/42.74
2,160Se espera el 20/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R039M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R039M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

2,160Se espera el 20/08/2026

S/42.74

S/29.86

S/23.86

S/21.64

S/20.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

50 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1,000: S/25.92
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R030M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R030M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/25.92

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R039M1HXTMA1
Infineon Technologies
1,000: S/20.24
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R039M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R039M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/20.24

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

51 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R083M1HXTMA1
Infineon Technologies
1,000: S/12.77
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R083M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R083M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/12.77

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

111 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

126 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R163M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.45
Plazo de entrega 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R163M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R163M1HXTM

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega 52 Semanas

Cinta cortada

S/21.45

S/14.29

S/10.20

S/9.11

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

217 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.01
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R072M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/33.01

S/19.15

S/17.79

S/15.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

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